P4C422
P4C422
超高速256 ×4
静态CMOS RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20/25/35 NS （商业）
- 15/20/25 / 35纳秒（军事）
CMOS的低功耗
- 495毫瓦最大。 - 10/12/15/20/25 （商业）
- 495毫瓦最大。 - 15/20/25/35 （军事）
单5V
±
10 ％的电力供应
独立的I / O
充分TTL兼容输入和输出
抗单粒子翻转和闭锁
从先进的工艺和设计产生的
改进
标准的22引脚400密耳DIP ， 24引脚300密耳
SOIC ，24引脚LCC封装和24引脚CERPACK
包
描述
该P4C422是1024位高速（ 10ns的）静态RAM
具有256 ×4的组织。内存不需要
时钟或清爽，拥有平等的机会和周期
次。输入和输出完全TTL兼容。
操作是从一个单一的5伏电源。容易记忆
膨胀是由一个低电平有效的芯片选择1设置
（ CS
1
）和高电平有效片选2 （ CS
2
），以及3-
态输出。
除了非常高的性能和非常高的树突
sity ，设备功能锁定保护，单一事件
和不安的保护。该P4C422提供几个
封装： 22引脚400密耳DIP （塑料和陶瓷） ， 24-
销300万SOIC ， 24引脚LCC和24针CERPACK 。
器件提供商用和军用
温度范围。
功能框图引脚配置
CS
2
CS
1
A3
A2
A1
A0
A5
A6
A7
GND
D0
O0
D1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V CC
A4
WE
CS
1
OE
CS 2
O3
D3
O2
D2
O1
NC
D
0
D
1
D
2
D
3
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
数据输入
控制
WE
OE
32 X 32
ARRAY
ROW
解码器
检测放大器
O
0
O
1
O
2
O
3
A3
A2
A1
A0
A5
A6
A7
GND
D0
O0
D1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
V CC
A4
WE
CS
1
OE
CS 2
O3
D3
O2
D2
O1
指数
A1 A2 A3 A4 VCC我们
3
4
5
6
7
8
9
10
D0
11
O0
12
13
14
2
1
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A0
A5
NC
A6
A7
GND
CS1
OE
CS2
NC
O3
D3
D1 O1
D 2 O 2
COLUMN
解码器
SOIC （ S4 ）
CERPACK （ F3 ）相似
顶视图
DIP （ P3-1 ， D3-1 ）
顶视图
LCC （L4）的
顶视图
意味着质量，服务和速度
1Q97
1
P4C422
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
- 0.5至+7
= 0.5
V
CC
+0.5
- 55 + 125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
V
°C
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
直流输出电流
价值
- 55 + 125
- 65 + 150
20
单位
°C
°C
mA
V
TERM
T
A
推荐工作条件
GRADE
(2)
广告
军事
环境温度
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
±10%
5.0V
±10%
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
P4C422
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
CL
I
IX
I
OZ
I
OS
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入钳位二极管电压
输入负载电流
输出电流（高阻）
输出短路
当前
(3)
I
IN
= -10毫安
GND≤ V
IN
≤
V
CC
V
OL
≤
V
OUT
≤
V
OH
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
–1.5
–10
–10
10
10
90
测试条件
I
OH
= -5.2毫安，V
CC
=最小值。
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
2.1
0.8
民
2.4
0.4
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
温度
范围
广告
军事
-10
90
不适用
-12
90
不适用
-15
90
90
-20
90
90
-25
65
90
-35
65
90
单位
mA
mA
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应该是
短路。短路测试持续时间不应超过30秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.过渡时间
≤
为3ns为10，12，和15纳秒的产品和
≤
为5ns的
20 ，25和35纳秒的产品，参见图1d中。时序参考输入端
和输出1.5V的电平。输出负载等效于
指定I
OL
/I
OH
用15 pF的（10， 12）或30 pF左右的负载电容
（15， 20，25， 35），如在图分别1a和1b 。
6.过渡时间
≤
为3ns为10，12，和15纳秒的产品和
≤
为5ns的
20 ，25和35纳秒的产品，参见图1d中。过渡处测量
稳态高电平-500mV或稳态低电平+ 500mV的
来自于输入与负载于图中所示的电平的输出。 1C 。
7. t
W
测定在T
WSA
= MIN ：T
WSA
测定在T
W
=最小值。
2
P4C422
功能说明
一个低电平有效写使能（ WE）控制写入/
读存储器的操作。当芯片选择
1 （ CS
1
）和写使能（WE ）是低电平，并且
芯片选择两个（ CS
2
）为高电平时，对数据的信息
输入（D
0
到D
3
）写入到被寻址的
记忆单词和前提条件，输出电路等等
真正的数据是存在于输出时的写
循环完成。这个预处理操作保证
最小写入恢复时间通过消除“写
恢复故障。 “阅读与芯片SELCT之一执行
（ CS
1
）低，片选2 （ CS
2
）高，写使能
（WE） HIGH和输出使能（OE ）为低电平。该信息
灰存储在被寻址的字被读出，在
同相输出（O
0
到O
3
） 。的输出
内存到非活动高阻状态时
片选1 （ CS
1
）为高电平时，或在写操作期间
操作时，写使能（WE ）是低电压。
真值表
模式
待机
待机
D
OUT
残
读
写
CS
2
CS
1
L
X
H
H
H
X
H
L
L
L
WE
X
X
X
H
L
OE
X
X
H
L
X
产量
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
注意事项：
H = HIGH
L =低
X =不关心
高Z =隐含输出被禁用或关闭。这
条件定义为高阻抗状态
为P4C422 。
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V
±
除非另有说明10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
ACS
t
ZRCS
t
AOS
t
ZROS
t
AA
参数
读周期时间
(5)
片选时间
(5)
片选到高阻
(6)
输出使能时间
输出使能到高阻
(6)
地址访问时间
(5)
-10*
-12
-15
-20
-25
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
7.5
8
7.5
8
10
12
8
10
8
10
12
15
8
12
8
12
15
20
12
15
12
15
20
25
15
20
15
20
25
35
25
30
25
30
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*V
CC
= 5V
±
5%
读周期的时序波形
TRC
地址
A0–A7
CS
1
TAA
CS2
OE
WE
数据
输出
O0–O3
TAOS
tZROS
数据有效
TACS
tZRCS
3
P4C422
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V
±
除非另有说明10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
WC
t
ZWS
t
WR
t
W
t
WSD
t
WHD
t
WSA
t
WHA
t
WSCS
t
WHCS
参数
写周期时间
(5)
写使能到高阻
(6)
写恢复时间
把脉冲宽度
(5,7)
数据建立时间之前写
(5)
数据保持时间
(5)
地址建立时间
(5,7)
地址保持时间
(5)
片选建立时间
(5)
芯片选择保持时间
(5)
8
-10*
10
8
8
9
0
2
0
2
0
2
12
-12
15
10
10
11
0
2
0
4
0
2
-15
-20
20
-25
25
35
20
20
15
5
5
5
5
5
5
20
5
5
5
5
5
5
-35
单位
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
12
13
2
5
2
5
2
5
15
15
30
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
2
0
2
0
2
*V
CC
= 5V
±
5%
写周期时序波形
地址
A0–A7
CS
1
TWSA
TWC
tWHA
CS2
DATA IN
D0–D3
WE
tWSCS
tWHCS
tWSD
tW
tWHD
tWR的
数据
输出
O0–O3
tZWS
4
P4C422
P4C422
超高速256 ×4
静态CMOS RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20/25/35 NS （商业）
- 15/20/25 / 35纳秒（军事）
CMOS的低功耗
- 495毫瓦最大。 - 10/12/15/20/25 （商业）
- 495毫瓦最大。 - 15/20/25/35 （军事）
单5V
±
10 ％的电力供应
独立的I / O
充分TTL兼容输入和输出
抗单粒子翻转和闭锁
从先进的工艺和设计产生的
改进
标准的22引脚400密耳DIP ， 24引脚300密耳
SOIC ，24引脚LCC封装和24引脚CERPACK
包
描述
该P4C422是1024位高速（ 10ns的）静态RAM
具有256 ×4的组织。内存不需要
时钟或清爽，拥有平等的机会和周期
次。输入和输出完全TTL兼容。
操作是从一个单一的5伏电源。容易记忆
膨胀是由一个低电平有效的芯片选择1设置
（ CS
1
）和高电平有效片选2 （ CS
2
），以及3-
态输出。
除了非常高的性能和非常高的树突
sity ，设备功能锁定保护，单一事件
和不安的保护。该P4C422提供几个
封装： 22引脚400密耳DIP （塑料和陶瓷） ， 24-
销300万SOIC ， 24引脚LCC和24针CERPACK 。
器件提供商用和军用
温度范围。
功能框图引脚配置
CS
2
CS
1
A3
A2
A1
A0
A5
A6
A7
GND
D0
O0
D1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V CC
A4
WE
CS
1
OE
CS 2
O3
D3
O2
D2
O1
NC
D
0
D
1
D
2
D
3
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
数据输入
控制
WE
OE
32 X 32
ARRAY
ROW
解码器
检测放大器
O
0
O
1
O
2
O
3
A3
A2
A1
A0
A5
A6
A7
GND
D0
O0
D1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
V CC
A4
WE
CS
1
OE
CS 2
O3
D3
O2
D2
O1
指数
A1 A2 A3 A4 VCC我们
3
4
5
6
7
8
9
10
D0
11
O0
12
13
14
2
1
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A0
A5
NC
A6
A7
GND
CS1
OE
CS2
NC
O3
D3
D1 O1
D 2 O 2
COLUMN
解码器
SOIC （ S4 ）
CERPACK （ F3 ）相似
顶视图
DIP （ P3-1 ， D3-1 ）
顶视图
LCC （L4）的
顶视图
意味着质量，服务和速度
1Q97
1
P4C422
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
- 0.5至+7
= 0.5
V
CC
+0.5
- 55 + 125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
V
°C
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
直流输出电流
价值
- 55 + 125
- 65 + 150
20
单位
°C
°C
mA
V
TERM
T
A
推荐工作条件
GRADE
(2)
广告
军事
环境温度
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
±10%
5.0V
±10%
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
P4C422
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
CL
I
IX
I
OZ
I
OS
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入钳位二极管电压
输入负载电流
输出电流（高阻）
输出短路
当前
(3)
I
IN
= -10毫安
GND≤ V
IN
≤
V
CC
V
OL
≤
V
OUT
≤
V
OH
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
–1.5
–10
–10
10
10
90
测试条件
I
OH
= -5.2毫安，V
CC
=最小值。
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
2.1
0.8
民
2.4
0.4
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
温度
范围
广告
军事
-10
90
不适用
-12
90
不适用
-15
90
90
-20
90
90
-25
65
90
-35
65
90
单位
mA
mA
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应该是
短路。短路测试持续时间不应超过30秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.过渡时间
≤
为3ns为10，12，和15纳秒的产品和
≤
为5ns的
20 ，25和35纳秒的产品，参见图1d中。时序参考输入端
和输出1.5V的电平。输出负载等效于
指定I
OL
/I
OH
用15 pF的（10， 12）或30 pF左右的负载电容
（15， 20，25， 35），如在图分别1a和1b 。
6.过渡时间
≤
为3ns为10，12，和15纳秒的产品和
≤
为5ns的
20 ，25和35纳秒的产品，参见图1d中。过渡处测量
稳态高电平-500mV或稳态低电平+ 500mV的
来自于输入与负载于图中所示的电平的输出。 1C 。
7. t
W
测定在T
WSA
= MIN ：T
WSA
测定在T
W
=最小值。
2
P4C422
功能说明
一个低电平有效写使能（ WE）控制写入/
读存储器的操作。当芯片选择
1 （ CS
1
）和写使能（WE ）是低电平，并且
芯片选择两个（ CS
2
）为高电平时，对数据的信息
输入（D
0
到D
3
）写入到被寻址的
记忆单词和前提条件，输出电路等等
真正的数据是存在于输出时的写
循环完成。这个预处理操作保证
最小写入恢复时间通过消除“写
恢复故障。 “阅读与芯片SELCT之一执行
（ CS
1
）低，片选2 （ CS
2
）高，写使能
（WE） HIGH和输出使能（OE ）为低电平。该信息
灰存储在被寻址的字被读出，在
同相输出（O
0
到O
3
） 。的输出
内存到非活动高阻状态时
片选1 （ CS
1
）为高电平时，或在写操作期间
操作时，写使能（WE ）是低电压。
真值表
模式
待机
待机
D
OUT
残
读
写
CS
2
CS
1
L
X
H
H
H
X
H
L
L
L
WE
X
X
X
H
L
OE
X
X
H
L
X
产量
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
注意事项：
H = HIGH
L =低
X =不关心
高Z =隐含输出被禁用或关闭。这
条件定义为高阻抗状态
为P4C422 。
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V
±
除非另有说明10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
ACS
t
ZRCS
t
AOS
t
ZROS
t
AA
参数
读周期时间
(5)
片选时间
(5)
片选到高阻
(6)
输出使能时间
输出使能到高阻
(6)
地址访问时间
(5)
-10*
-12
-15
-20
-25
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
7.5
8
7.5
8
10
12
8
10
8
10
12
15
8
12
8
12
15
20
12
15
12
15
20
25
15
20
15
20
25
35
25
30
25
30
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*V
CC
= 5V
±
5%
读周期的时序波形
TRC
地址
A0–A7
CS
1
TAA
CS2
OE
WE
数据
输出
O0–O3
TAOS
tZROS
数据有效
TACS
tZRCS
3
P4C422
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V
±
除非另有说明10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
WC
t
ZWS
t
WR
t
W
t
WSD
t
WHD
t
WSA
t
WHA
t
WSCS
t
WHCS
参数
写周期时间
(5)
写使能到高阻
(6)
写恢复时间
把脉冲宽度
(5,7)
数据建立时间之前写
(5)
数据保持时间
(5)
地址建立时间
(5,7)
地址保持时间
(5)
片选建立时间
(5)
芯片选择保持时间
(5)
8
-10*
10
8
8
9
0
2
0
2
0
2
12
-12
15
10
10
11
0
2
0
4
0
2
-15
-20
20
-25
25
35
20
20
15
5
5
5
5
5
5
20
5
5
5
5
5
5
-35
单位
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
12
13
2
5
2
5
2
5
15
15
30
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
2
0
2
0
2
*V
CC
= 5V
±
5%
写周期时序波形
地址
A0–A7
CS
1
TWSA
TWC
tWHA
CS2
DATA IN
D0–D3
WE
tWSCS
tWHCS
tWSD
tW
tWHD
tWR的
数据
输出
O0–O3
tZWS
4
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