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P4C198 / P4C198L ， P4C198A / P4C198AL
超高速16K ×4
静态CMOS RAMS
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20/25 NS （商业）
- 12/15/20/25/35 NS （工业）
- 15/20/25/35/45 NS （军事）
低功耗工作（商用/军用）
5V ±10 ％电源
数据保留， 10
A
在2.0V的典型电流
P4C198L / 198AL （军事）
输出使能&芯片使能控制功能
- 单芯片使能P4C198
- 双芯片使能P4C198A
常见的输入和输出
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚（ JEDEC批准）
- 24引脚300密耳DIP
- 24引脚300密耳SOJ
- 28引脚350× 550密耳LCC
描述
该P4C198 / L和P4C198A / L的65,536位超高端
组织为16K X 4.每个设备的速度静态RAM
酒店设有一个低电平有效输出使能控制，以消除
数据总线争。该P4C198 / L也有积极的
小芯片使能（在P4C198A / L有两个芯片使，
既便于系统的扩展低电平有效） 。该CMOS
回忆不需要时钟或清新，有平等的
访问时间和周期时间。输入是完全TTL兼容。
公羊用单5V ± 10 ％容差操作
电源。数据的完整性是维持供应
电压下降到2.0V 。漏电流通常为10
A
从一个2.0V电源。
存取时间快12纳秒是可用的，
允许大大提高了系统的运行速度。
CMOS用于减少功耗的低715
毫瓦活跃， 193 mW的待机。
该P4C198 / L和P4C198A / L的24引脚可用
300万DIP和SOJ ，以及28引脚350× 550密耳LCC
封装提供卓越的板级密度。
功能框图
销刀豆网络gurations
DIP （P4 ，C4， D4） ，
SOJ （ J4 ）
P4C198 （ P4C198A ）
LCC （ L5）的
P4C198 （ P4C198A ）
文档＃
SRAM113
REV A
1
修订后的2005年10月
P4C198 / 198L ， P4C198A / 198AL
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作
温度和电源电压
Grade(2)
军事
环境
温度
GND
0V
0V
0V
V
CC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
5
7
pF
pF
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
广告
-40 ° C至+ 85°C
产业
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
CD
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入钳位二极管电压
输出低电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
I
OL
= 10毫安，V
CC
=最小值。
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
米尔。
印第安纳州/ Com'l 。
米尔。
印第安纳州/ Com'l 。
测试条件
P4C198 / 198A
民
最大
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
0.5
0.4
2.4
–10
–5
–10
–5
___
___
___
___
+10
+5
+10
+5
40
35
20
15
2.4
–5
不适用
–5
不适用
___
___
___
___
+5
不适用
+5
不适用
40
不适用
1.5
不适用
0.8
0.2
–1.2
0.5
0.4
P4C198L / 198AL
单位
民
最大
V
CC
+0.5
2.2
V
CC
+0.5 V
–0.5
(3)
–0.5
(3)
0.8
0.2
–1.2
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5 V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
CE
1
,
CE
2
≥
V
IH
米尔。
备用电源
V
CC
=最大，
印第安纳州/ Com'l 。
电流（ TTL电平输入）
F =最大值，输出打开
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
CE
1
,
CE
2
≥
V
IH
米尔。
V
CC
=最大，
印第安纳州/ Com'l 。
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
mA
I
SB1
N / A =不适用
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露最大ratingconditions的扩展
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM113
REV A
分页： 13 2
P4C198 / 198L ， P4C198A / 198AL
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
产业
军事
198:
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
198A:
CE
1
= V
IL
,
CE
2
= V
IL
.
OE
= V
IH
–10
180
不适用
不适用
–12
170
180
不适用
–15
160
170
170
–20
155
160
160
–25
150
155
155
–35
不适用
150
150
–45
不适用
不适用
145
单位
mA
mA
mA
I
CC
动态工作电流*
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
数据保持特性（ P4C198L / P4C198AL军用温度只）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
*
T
A
= +25°C
§
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到
数据保存时间
手术恢复时间
测试条件
民
2.0
TYP 。 *
V
CC
=
2.0V
3.0V
10
15
最大
V
CC
=
2.0V
3.0V
600
900
单位
V
A
ns
ns
CE
≥V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V
0
t
RC =
t
RC
=读周期时间
此参数是保证，但未经测试。
数据保存波形
文档＃
SRAM113
REV A
第13 3
P4C198 / 198L ， P4C198A / 198AL
交流特性，读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
-10
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
参数
读周期时间
地址访问
时间
芯片使能
存取时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
OUTPUT ENABLE
低到数据有效
输出使能到
在低Z输出
2
6
0
10
0
2
2
6
6
2
10
10
10
2
2
12
-12
-15
15
12
12
2
2
7
7
2
7
0
12
15
9
0
8
9
2
15
15
2
2
20
-20
25
20
20
2
2
10
12
2
9
0
20
-25
35
25
25
2
2
10
15
2
10
0
25
-35
45
35
35
2
2
14
25
2
14
0
35
-45
ns
45
45
ns
ns
ns
ns
15
30
ns
ns
ns
15
ns
ns
45
ns
MIN MAX MIN
最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
t
OHZ
输出禁止以
在高Z输出
t
PU
t
PD
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
关机时间
OE
读周期NO.1 （ OE控制）
(5)
注意事项：
5.
WE
为高的读周期。
文档＃
SRAM113
REV A
第13 4
P4C198 / 198L ， P4C198A / 198AL
读周期NO 。 2 （地址控制）
(5,6)
读周期NO 。 3 （ CE
(12)
控制）
(5,7,8)
CE
注意事项：
6.
CE
（ CE
1
CE
2
对于P4C198A / L）和
OE
是低读周期。
7.
OE
是低的周期。
8.地址必须是有效之前，或暗合
CE
（ CE
1
和
CE
2
对于P4C198A / L）变为低电平。
9.转变是从稳态电压测量± 200mV的
之前改变，同时装载如在图1中指定。
10.读周期时间是从最后一个有效地址的测定
到第一过渡地址。
造成芯片使能控制11.转换也有类似的
延误，不论是否
CE
1
or
CE
2
导致他们
(P4C198A/L).
12.
CE
1
,
CE
2
对于P4C198A /升。
文档＃
SRAM113
REV A
第13个5
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