P4C187/P4C187L
超高速64K ×1
静态CMOS RAMS
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20/25/35/45 NS （商业）
- 12/15/20/25/35 / 45纳秒（工业）
- 15/20/25/35/45/55/70/85 NS （军事）
低功耗工作
- 743 mW的主动-10
- 七百七十〇分之六百六十○毫瓦主动为-12/15
- 六百六十〇分之五百五十○毫瓦主动为-20/25/35
- 二百二十○分之一百九十三mW的待机（ TTL输入）
- 110分之83 mW的待机（ CMOS输入） P4C187
- 5.5 mW的待机（ CMOS输入） P4C187L （军事）
单5V ± 10 ％电源
数据保留与2.0V电源（ P4C187L
军事）
单独的数据I / O
三态输出
TTL兼容输出
充分TTL兼容输入
标准引脚（ JEDEC批准）
- 22引脚300密耳DIP
- 24引脚300密耳SOJ
- 22引脚290x490万LCC
- 28引脚350x550万LCC
描述
该P4C187 / P4C187L 65 ， 536位的超高速
组织为64K X 1， CMOS存储器静态RAM
不需要时钟或清新，有平等的机会和
周期时间。公羊用单5V操作±10 ％
宽容电源。数据的完整性是维持支持
层电压下降到2.0V ，典型的拉10μA 。
存取时间快10纳秒是可用的，
极大地提高了系统的速度。 CMOS降低功耗
消费低743mW活跃， 193 / 83mW待机
为TTL / CMOS输入和仅为5.5 mW的待机为
P4C187L.
该P4C187 / P4C187L是22针300万拨用，
24针300万SOJ ， 22引脚和28引脚LCC封装亲
人们提供优良的板级密度。
功能框图
销刀豆网络gurations
DIP （P3 ，D3， C3）的
SOJ （ J4 ）
LCC引脚配置在数据表的末尾。
文档＃
SRAM111
版本B
1
修订后的2007年4月
P4C187/187L
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作
温度和电源电压
Grade(2)
军事
环境
温度
GND
0V
0V
0V
V
CC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
5
7
pF
pF
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
产业
0 ° C至+ 70°C
广告
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
CD
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入钳位二极管电压V
CC
=最小值，我
IN
= 18毫安
输出低电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输入漏电流
输出漏电流
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
2.4
–10
–5
–10
–5
___
___
___
___
+10
+5
+10
+5
40
35
20
15
测试条件
P4C187
民
最大
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
V
CC
+0.5
0.8
0.2
–1.2
0.4
2.4
–5
不适用
–5
不适用
___
___
___
___
+5
不适用
+5
不适用
40
不适用
1.0
不适用
P4C187L
民
最大
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
V
CC
+0.5
0.8
0.2
–1.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5 V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
备用电源
CE
≥
V
IH
米尔。
电流（ TTL电平输入）V
CC
=最大，
印第安纳州/ Com'l 。
F =最大值，输出打开
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
CE
≥
V
HC
米尔。
V
CC
=最大，
印第安纳州/ Com'l 。
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
I
SB1
mA
N / A =不适用
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM111
版本B
第12页2
P4C187/187L
功耗特性VS. SPEED
符号参数
动态
操作
目前*
温度
范围
广告
产业
军事
–10
180
不适用
不适用
–12
170
180
不适用
–15
160
170
170
–20
155
160
160
–25
150
155
155
–35
不适用
150
150
–45
不适用
不适用
145
–55
不适用
不适用
145
–70
不适用
不适用
145
-85机组
不适用
不适用
145
mA
mA
mA
I
CC
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
= V
IL
.
数据保持特性（ P4C187L军用温度只）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
*T
A
= +25°C
§t
RC
=读周期时间
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到
数据保存时间
手术恢复时间
测试Conditons
民
2.0
TYP 。 *
V
CC
=
2.0V
3.0V
最大
V
CC
=
2.0V
3.0V
单位
V
CE
≥
V
CC
–0.2V,
V
IN
≥
V
CC
–0.2V
或V
IN
≤
0.2V
0
t
RC =
10
15
600
900
A
ns
ns
此参数是保证，但未经测试。
数据保存波形
文档＃
SRAM111
版本B
第12页3
P4C187/187L
交流特性，读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号参数
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用高Z输出
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
0
10
2
2
5
0
12
-10
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-55
-70
-85
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
10
10
10
2
2
6
0
15
12
12
12
2
2
8
0
20
15
15
15
2
2
10
0
25
20
20
20
2
2
12
0
35
25
25
25
2
2
17
0
45
35
35
35
2
2
20
0
55
45
45
45
2
2
25
0
70
55
55
65
2
2
30
0
85
70
70
70
2
2
35
85
85
85
读循环中没有时序波形。 1
(5)
读循环中没有时序波形。 2
(6)
注意事项：
5.
CE
低并且
WE
为高的读周期。
6.
WE
为高电平时，和地址必须之前或一致是有效的
CE
变为低电平。
7.转变是从稳态电压前测量± 200mV的
与指定加载改变图1.该参数采样
而不是100 ％测试。
8.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档＃
SRAM111
版本B
第12页4
P4C187/187L
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号参数
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
写周期时间
芯片使能时间
写结束
地址有效结束
写
地址建立时间
把脉冲宽度
地址保持时间
从写结束
数据有效的结束
写
数据保持时间
写使能到
在高Z输出
输出活动
写结束
-10
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-55
-70
-85
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
10
8
8
0
8
0
6
0
6
0
0
12
10
10
0
10
0
7
0
7
0
15
12
12
0
12
0
10
0
8
0
20
15
15
0
15
0
13
0
12
0
25
20
20
0
20
0
15
0
15
0
35
25
25
0
25
0
20
0
17
0
45
30
30
0
30
0
25
0
20
0
55
35
35
0
35
0
30
0
25
0
70
40
40
0
40
0
35
0
30
0
85
45
45
0
45
0
40
0
35
时序波形写周期NO 。 1 （我们控制）
(9)
WE
注意事项：
9.
CE
和
WE
必须是低的写周期。
10.如果
CE
云同时高
WE
高，输出遗体
在高阻抗状态。
11.写周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档＃
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版本B
第12页5
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