P4C174
高速8K ×8
高速缓存标记静态RAM
特点
高速地址到赛事 - 8 ns最大
存取时间
高速读取访问时间
- 8/10/12/15/20/25 NS （商业）
- 15/20/25 NS （军事）
开漏输出MATCH
复位功能
8位标签比较逻辑
自动关闭电源在长时间周期
数据保留在2V的电池备份
手术
先进的CMOS技术
低功耗工作
可用包装样式
- 28引脚300密耳DIP
- 28引脚300密耳的塑料SOJ
单电源供电
— 5V±10%
描述
该P4C174是65,536位高速缓存静态标签
RAM大小为8K X 8 CMOS存储器具有同等
访问时间和周期时间。输入是完全TTL兼容。
缓存标签的RAM采用5V单电源工作± 10 ％
电源。一个8位数据比较用火柴
输出是包含用作地址标记比较
在高速缓存中的应用程序。复位功能
提供的功能来重置所有内存位置到
低的水平。
该P4C174的匹配输出反映compari-
在I / O引脚的8位数据和子之间产生
被寻址的存储位置。 8K高速缓存线可以是
通过比较20映射到1M字节的地址空间
地址位组织成13行地址位和7-
页地址位。
在P4C174的低功耗操作是由增强
当内存被取消自动关机或
在漫长的周期。此外，数据保存就会维持
tained下降到V
CC
= 2.0 。典型的电池备份应用程序
阳离子仅消耗30
在V W
CC
=
3.0V.
功能框图
引脚配置
DIP （ C5 ， P5 ） ， SOJ （ J5 ）
文档＃
SRAM118
REV C
1
修订后的2006年8月
P4C174
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作
温度和电源电压
Grade(2)
广告
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
5
7
pF
pF
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
CD
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入钳位二极管电压V
CC
=最小值，我
IN
= 18毫安
输出低电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输入漏电流
输出漏电流
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
米尔。
2.4
–5
-10
–5
-10
___
___
___
___
+5
+10
+5
+10
25
40
5
25
mA
测试条件
P4C174
民
最大
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
V
CC
+0.5
0.8
0.2
–1.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
Com'l 。
CE
≥
V
IH
备用电源
米尔。
电流（ TTL电平输入）V
CC
=最大，
F =最大值，输出打开
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
CE
≥
V
HC
V
CC
=最大，
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
Com'l 。
米尔。
I
SB1
mA
N / A =不适用
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM118
REV C
第12页2
P4C174
数据保持特性（ P4C174军用温度只）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
*T
A
= +25C
§t
RC
=读周期时间
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到
数据保存时间
手术恢复时间
测试Conditons
民
2.0
TYP 。 *
V
CC
=
2.0V
3.0V
最大
V
CC
=
2.0V
3.0V
单位
V
CE
≥
V
CC
–0.2V,
V
IN
≥
V
CC
–0.2V
或V
IN
≤
0.2V
0
t
RC =
10
15
600
900
A
ns
ns
此参数是保证，但未经测试。
数据保存波形
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流*
温度
范围
广告
军事
–8
200
–10
180
–12
170
170
–15
–20
155
160
–25
150
155
单位
mA
mA
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
.
文档＃
SRAM118
REV C
第12页3
P4C174
交流特性，读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
AC
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
参数
读周期时间
地址访问
时间
地址更改为
输出变化
芯片使能低到
输出有效
芯片使能低
到输出低Z
(1)
芯片使能高
输出高-Z
(1)
输出使能低
到输出有效
输出使能低
到输出低Z
(1)
输出使能高
输出高-Z
(1)
芯片使能或低
地址更改为
POWERUP
上电到
断电
–8
最小最大
8
8
3
8
3
5
5
0
5
0
0
0
3
3
10
–10
12
10
3
10
3
5
6
0
5
0
–12
最大
12
3
12
3
5
6
0
5
0
15
–15
最小最大
15
3
15
3
8
8
0
5
0
20
–20
民
25
20
3
20
3
8
10
0
8
0
–25
MIN MAX MIN
最大最小最大
25
单位
ns
ns
ns
25
ns
ns
10
12
ns
ns
ns
10
ns
ns
t
pUPD
20
20
20
20
20
25
ns
注意：
1.转变是从稳态电压与输出负载B.测量± 200 mV的
OE
读周期NO 。 1 （ OE控制）
(2, 3)
文档＃
SRAM118
REV C
第12页4
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