P4C168 ， P4C169 ， P4C170
超高速4K ×4
静态CMOS RAMS
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 19 /15/20 /25 / 35ns的（商业）
- 20/25 /35 /五十五分之四十五/ 70ns的（ P4C168军）
低功耗工作（商业）
- 715毫瓦活动
- 193 mW的待机（ TTL输入） P4C168
- 83 mW的待机（ CMOS输入） P4C168
单5V ± 10 ％电源
充分TTL兼容，通用I / O端口
三个选项
- P4C168低功耗待机模式
- P4C169快速的片选控制
- P4C170快速的片选，输出使能
控制
标准引脚（ JEDEC批准）
- P4C168 ： 20引脚DIP ， SOJ ， LCC ， SOIC ，
CERPACK和扁平封装
- P4C169 ： 20引脚DIP和SOIC
- P4C170 ： 22引脚DIP
描述
该P4C168 ， P4C169和P4C170是一个家庭的
16,384位超高速静态RAM组织为4K
X 4.所有这三款器件具有共同的输入/输出ports.The
P4C168进入待机模式时，芯片使能
（ CE）控制变为高;与CMOS输入电平，功率
消耗量是在这种模式下只有83mW 。无论是P4C169
和P4C170提供快速的芯片选择访问时间
只有67％的地址访问时间。此外，该
P4C170包括一个输出使能（OE ）控制来消除
内特数据总线争。公羊从操作
单5V ±10 ％的容差的电源。
存取时间快12纳秒是可用的，
允许大大提高了系统的运行速度。
CMOS用于减少功耗的低715
毫瓦活跃， 193 mW的待机。
该P4C168和P4C169在20引脚可用（ P4C170
在22针） 300万DIP封装提供卓越
板级密度。该P4C168也可在20-
销300万SOIC ， SOJ ， CERPACK和扁平封装
包。
该P4C169还提供20引脚300密耳SOIC
封装。
功能框图
销刀豆网络gurations
P4C168
P4C169
DIP（ P 2， C 6 ， D 2）
DIP （P2）的
SOIC （S2）的
SOIC （S2）的
SOJ （ J2 ）
CERPACK （F2）
焊料密封扁平封装（ FS - 2 ）
P4C170
DIP （P3）
文档＃
SRAM107
REV A
1
修订后的2005年10月
P4C168 ， P4C169 ， P4C170
交流特性，读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号
t
RC
t
AA
t
AC =
t
AC =
t
OH
t
LZ {
t
赫兹
t
OE-
t
OLZ
t
OHZ
t
RCS
t
RCH
t
PU ...
t
PD =
读周期时间
参数
-12
-15
-20
-25
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
12
12
8
2
2
7
8
0
6
0
0
0
12
0
0
0
15
0
7
0
0
0
20
2
2
8
10
0
9
0
0
0
25
15
15
15
9
2
2
9
12
0
11
0
0
0
35
20
20
20
12
2
2
10
15
0
15
25
25
25
15
2
2
15
15
35
35
35
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片选择访问时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用高Z输出
输出使能到数据有效
输出使能到输出中低Z
输出禁止到输出中高Z
READ命令设置时间
读命令保持时间
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
交流特性 - 读周期（续）
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号
t
RC
t
AA
t
AC =
t
OH
t
LZ {
t
赫兹
t
RCS
t
RCH
t
PU ...
t
PD =
读周期时间
参数
-45
-55
-70
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
45
45
45
2
2
25
0
0
0
45
0
0
0
55
2
2
25
0
0
0
70
55
55
55
2
2
30
70
70
70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用高Z输出
READ命令设置时间
读命令保持时间
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
只有§ P4C168
只有 P4C170
芯片选择/取消选择的P4C169和P4C170
文档＃
SRAM107
REV A
第15 3
P4C168 ， P4C169 ， P4C170
读循环中没有时序波形。 1（地址控制）
(5,6)
注意事项：
5.
WE
为高的读周期。
6.
CE / CS
和
OE
为低电平的读周期。
读循环中没有时序波形。 2 （ CE
CS
控制）
(5,7)
CE / CS
CE
读循环中没有时序波形。 3 P4C170 ONLY （ OE控制）
(5)
OE
注意事项：
7.地址必须是有效的之前或与重合
CE / CS
过渡
低。对于快速
CS ，
t
AA
仍然必须满足。
8.转变是从稳态电压前测量± 200mV的
改变，同时装载如在图1中指定。
9.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档＃
SRAM107
REV A
第15 4
P4C168 ， P4C169 ， P4C170
AC电气特性 - 写周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号
t
WC
t
cw
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
写周期时间
芯片使能时间结束写的
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
地址保持时间
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
输出写入结束活动
0
参数
-12
-15
-20
-25
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
12
12
0
12
0
7
0
4
0
15
15
15
0
15
0
8
0
5
0
18
18
18
0
18
0
10
0
6
0
20
20
20
0
20
0
10
0
7
0
30
30
30
0
30
0
15
0
13
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC电气特性 - 写周期（续）
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号
t
WC
t
cw
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
写周期时间
芯片使能时间结束写的
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
地址保持时间
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
输出写入结束活动
0
参数
-45
-55
-70
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
45
40
40
0
40
0
20
3
20
0
55
50
50
0
50
0
20
3
25
0
70
60
60
0
60
0
25
3
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
文档＃
SRAM107
REV A
第15个5
QQ：2880707522 复制
