P4C165
超高速8K ×8
RESETTABLE静态CMOS RAM
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 15/20/25 NS （商业）
- 20/25/35 （工业级）
低功耗工作
芯片清零功能
输出使能和双芯片使能控制
功能
单5V ± 10 ％电源
通用数据的I / O
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚（ JEDEC批准）
- 28引脚塑料DIP （ 300密耳）
描述
该P4C165是65,536位超高速静态RAM
组织为8K X 8的RAM设有复位控制
能清除所有的话到零中的两个周期。
CMOS内存不需要时钟或清爽
有平等的机会和循环时间。输入是充分与TTL
兼容。该内存采用5V单电源工作± 10 ％
宽容电源。
存取时间快15纳秒是可用的，
允许大大提高了系统的运行速度。
在完全待机模式， CMOS输入，功率消耗
化是只有5.5毫瓦的P4C165 。
该P4C165可在一个28引脚300密耳DIP 。
功能框图
引脚配置
1519B
DIP （ P5 ）
文档＃
SRAM117
转或
1
修订后的2005年10月
P4C165
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作
温度和电源电压
Grade(2)
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
5
7
pF
pF
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
CD
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入钳位二极管电压
输出低电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输入漏电流
输出漏电流
待机电源电流
（ TTL电平输入）
待机电源电流
（ CMOS输入电平）
V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
CE
≥
V
IH
or
CE
2
≤V
IL
, V
CC
=最大
F =最大值，输出打开
CE
≥
V
HC
or
CE
2
≤V
LC
, V
CC
=最大
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
印第安纳州/ Com'l 。
印第安纳州/ Com'l 。
–5
___
+5
30
A
mA
印第安纳州/ Com'l 。
–5
+5
A
2.4
测试条件
P4C165
民
最大
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
V
CC
+0.5
0.8
0.2
–1.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
I
SB1
印第安纳州/ Com'l 。
___
15
mA
N / A =不适用
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM117
转或
2
第2 9
P4C165
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流*
温度范围
广告
产业
–15
160
不适用
–20
155
160
–25
150
155
–35
不适用
150
单位
mA
mA
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
,
OE
= V
IH
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用高Z输出
输出使能低到数据有效
-15
15
15
15
3
2
8
9
2
9
0
15
0
2
3
2
-20
20
20
20
3
2
8
10
2
9
0
20
-25
25
25
25
3
2
10
13
2
12
0
20
-35
35
35
35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
18
15
t
OLZ
输出使能低到低Z
t
OHZ
输出使能高到高Z
t
PU
t
PD
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
20
ns
文档＃
SRAM117
转或
3
第3 9
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