P4C164/164L
P4C164/P4C164L
超高速8K ×8
静态CMOS RAMS
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 8/10/12/15/20/25 NS （商业）
- 10/12/15/20/25/35 （工业）
- 12/15/20/25/35/45 NS （军事）
低功耗工作
- 770mW主动-15
- 七百四十三分之六百六十〇 mW的主动 - 20
- 五百七十五分之四百九十五mW的主动 - 25 ， 35 ， 45
- 二百二十○分之一百九十三mW的待机（ TTL输入）
- 5.5MW待机（ CMOS输入） P4C164L （军事）
输出使能和双芯片使能控制
功能
单5V
±
10 ％的电力供应
数据保留与2.0V供电， 10
一个典型的
电流（ P4C164L军）
通用数据的I / O
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚（ JEDEC批准）
- 28引脚300密耳DIP ， SOJ
- 28引脚600密耳陶瓷DIP
- 28引脚350× 550密耳LCC
- 28引脚CERPACK
描述
该P4C164和P4C164L是65,536位超高速
组织为8K X 8 CMOS存储器静态RAM
不需要时钟或清新，有平等的机会和
周期时间。输入是完全TTL兼容。公羊
从单一5V ± 10 ％的容差电源供电。
具有电池备份的，数据的完整性得以维持与
电源电压下降到2.0V 。漏电流通常为10
A
从一个2.0V电源。
存取时间快10纳秒是可用的，
允许大大提高了系统的运行速度。在
完全待机模式， CMOS输入，功耗
只有5.5毫瓦的P4C164L 。
该P4C164和P4C164L提供28引脚300密耳可
DIP和SOJ ， 28引脚600密耳陶瓷DIP和28引脚350
X 550万股LCC封装提供卓越的板级
密度。
功能框图
A
0
销刀豆网络gurations
V
CC
A
2
A
1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
12
A
11
A
10
OE
A
9
CE
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
1519B
ROW
SELECT
65,536-BIT
内存
ARRAY
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
3
NC
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
I / O
2
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
I / O
3
A
0
2
A
7
I / O
1
27
26
28
1
25
24
23
22
21
20
19
WE
CE
2
A
12
A
OE
A
9
CE
1
I / O
8
I / O
7
11
A
10
A
5
输入
数据
控制
A
6
A
7
A
8
I / O
1
I / O
2
I / O
3
列I / O
I / O
8
14 15 16
GND
I / O
4
I / O
5
18
17
I / O
6
CE
1
CE
2
WE
OE
A
8
COLUMN
SELECT
1519C
GND
1519A
A
12
DIP （ P5 ， D5-2 ， D5-1 ） ， SOJ （ J5 ）
CERPACK （ F4 ）相似
顶视图
1519B
LCC （ L5）的
顶视图
意味着质量，服务和速度
1Q97
91
P4C164/164L
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
V
°C
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
推荐工作
温度和电源电压
Grade(2)
军事
产业
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
CD
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入钳位二极管电压V
CC
=最小值，我
IN
= 18毫安
输出低电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输入漏电流
输出漏电流
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
2.4
–10
–5
–10
–5
___
___
___
___
+10
+5
+10
+5
40
30
25
15
测试条件
P4C164
民
最大
V
CC
+0.5
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
0.8
0.2
–1.2
0.4
2.4
–5
不适用
–5
不适用
___
___
___
___
+5
不适用
+5
不适用
40
不适用
1
不适用
P4C164L
单位
民
最大
2.2
V
CC
+0.5 V
–0.5
(3)
–0.5(3)
0.8
0.2
–1.2
0.4
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5 V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
备用电源
CE
≥
V
IH
or
米尔。
电流（ TTL电平输入） CE
2
≤V
IL
, V
CC
=最大工业/ Com'l 。
F =最大值，输出打开
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
CE
≥
V
HC
or
米尔。
CE
2
≤V
LC
, V
CC
=最大工业/ Com'l 。
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
I
SB1
mA
N / A =不适用
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
92
P4C164/164L
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
I
CC
动态工作电流*工业
军事
–8
200
不适用
不适用
–10
180
190
不适用
–12
170
180
180
–15
160
170
170
–20
155
160
160
–25
150
155
155
–35
不适用
150
150
–45
不适用
不适用
145
单位
mA
mA
mA
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
,
OE
= V
IH
数据保持特性（ P4C164L ，军用温度只）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
*
T
A
= +25°C
§
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到
数据保存时间
手术恢复时间
测试条件
民
2.0
TYP 。 *
V
CC
=
2.0V
3.0V
10
15
最大
V
CC
=
2.0V
3.0V
200
300
单位
V
A
ns
ns
CE
1
≥
V
CC
- 0.2V或
CE
2
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
– 0.2V
或V
IN
≤
0.2V
0
t
RC =
t
RC
=读周期时间
此参数是保证，但未经测试。
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
t
CDR
CE
1
V
DR
V
HC
V
LC
V
HC
V
LC
4.5V
V
DR
≥
2V
4.5V
t
R
CE
2
93
P4C164/164L
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
参数
读周期时间
地址访问
时间
芯片使能
存取时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
OUTPUT ENABLE
低到数据
有效
OUTPUT ENABLE
低到低Z
OUTPUT ENABLE
高到高阻
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
掉电
时间
-8
8
8
8
3
2
5
5
3
2
-10
10
10
10
3
2
6
6
-12
12
12
12
3
2
7
7
-15
15
15
15
3
2
8
9
-20
20
20
20
3
2
8
10
-25
25
25
25
3
2
10
13
-35
35
35
35
3
2
15
18
-45
45
45
45
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
ns
ns
ns
20
20
ns
ns
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
2
5
0
8
2
6
0
10
2
7
0
12
2
9
0
15
2
9
0
20
2
12
0
20
2
15
0
20
2
20
0
25
ns
ns
ns
ns
读周期NO 。 1 （ OE控制）
(5)
OE
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE
1
t
OLZ
(8)
t
OH
(9)
CE
2
t
AC
t
LZ
(8)
数据输出
t
OHZ
(8)
t
HZ
(8)
注意事项：
5.
WE
为高的读周期。
6.
CE
1
为低电平，CE
2
为HIGH和
OE
为低电平读周期。
7.地址必须是有效的之前或与重合
CE
1
过渡
LOW和CE
2
变为高电平。
8.转换测量
±
200从稳态电压之前毫伏
改变，同时装载如在图1中指定的该参数是
采样，而不是100 ％测试。
94
QQ：2880707522 复制
