P4C164L
低功耗8K ×8
静态CMOS RAM
特点
V
CC
电流（商业/工业）
- 操作： 55毫安
- CMOS待机： 3 μA
访问时间
-80/100 （商业或工业）
单5伏± 10 ％电源
易内存扩展使用CE
1
，CE
2
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
自动断电
套餐
-28 - 300引脚和600万DIP
-28引脚330密耳SOP
描述
该P4C164L是一个64K的密度低功耗CMOS
静态RAM组织为8Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
可在80纳秒到100纳秒访问时间。 CMOS
被利用来降低功率消耗，以较低的水平。
该P4C164L设备提供异步操作
与之相配的访问和周期时间。
内存位置上的地址引脚指定的
0
to
A
12
。读是由设备选择完成（ CE
1
低CE
2
高点）和输出使能（ OE ），而写入恩
能（ WE）仍然很高。凭地址
在这些条件下，在被寻址的存储器中的数据
位置上呈现的数据输入/输出管脚。该
输入/输出引脚留在高Z状态时，无论
CE
1
or
OE
是高还是
WE
或CE
2
是低的。
为P4C164L封装选项包括28引脚和300
600万DIP和28引脚330密耳SOP封装。
功能框图
引脚配置
DIP （ P5 ， P6 ） ， SOP （ S5 ）
顶视图
文档＃
SRAM116
版本B
修订后的2007年6月
1
P4C164L
推荐工作温度&电源电压
温度范围（环境）
商用（0 ° C至70 ° C）
工业级（-40° C至85°C ）
电源电压
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5
≤
V
CC
≤
5.5V
最大额定值
(1)
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这是绝对的收视压力
只。该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在给定的暗示
该数据表的业务部门。暴露最大额定值长时间会不利
影响器件的可靠性。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压（高达7.0V ）
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
民
-0.5
-0.5
-55
-65
最大
7.0
V
CC
+ 0.5
125
150
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
DC电气特性
（在推荐的工作温度&电源电压）
(2)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输出高电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输出低电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
当前
TTL待机电流
（ TTL电平输入）
V
CC
当前
CMOS待机电流
（ CMOS输入电平）
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
CE
≥
V
IH
印第安纳州/ COM 。
印第安纳州/ COM 。
测试条件
I
OH
= -1mA ，V
CC
= 4.5V
I
OL
= 2.1毫安
2.2
-0.5
(3)
-2
-2
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+2
+2
最大
单位
V
V
V
V
A
A
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
1
= V
IH
或CE
2
= V
IL
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
1
≥
V
CC
-0.2V或CE
2
≤
0.2V
100
A
I
SB1
3
A
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM116
版本B
第11 2
P4C164L
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
7
9
单位
pF
pF
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
温度范围
印第安纳&通讯。
*
-80
55
-100
55
单位
mA
*测试
具有输出开路，所有的地址和数据输入在最大写入周期率的变化。
该器件被连续书写，即：使
CE
和
WE
≤
V
IL
（最大） ，
OE
高。开关
输入为0V和3V 。
AC电气特性 - 读周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
-80
民
80
80
80
10
10
30
10
10
30
最大
民
100
100
100
-100
最大
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
输出使能低
到数据有效
输出使能低到
低Z
输出使能高
到高阻
芯片使能到电源
运行时间
芯片被禁止在电力
停机时间
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
40
5
20
0
80
0
5
40
ns
ns
20
ns
ns
100
ns
文档＃
SRAM116
版本B
第11 3
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