P4C164
超高速8K ×8
静态CMOS RAMS
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 8/10/12/15/20/25/35/70/100 NS （商业）
- 10/12/15/20/25/35/70/100 NS （工业）
- 12/15/20/25/35/45/70/100 NS （军事）
低功耗工作
输出使能和双芯片使能控制
功能
单5V ± 10 ％电源
数据保留与2.0V供电， 10 μA典型
电流（ P4C164L军）
通用数据的I / O
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚（ JEDEC批准）
- 28引脚300密耳的塑料DIP ， SOJ
- 28引脚600密耳的塑料DIP （ 70 &为100ns ）
- 28引脚300密耳SOP （ 70 &为100ns ）
- 28引脚300密耳陶瓷DIP
- 28引脚600密耳陶瓷DIP
- 28引脚350× 550密耳LCC
- 32引脚450× 550密耳LCC
- 28引脚CERPACK
描述
该P4C164是65,536位超高速静态RAM
组织为8K X 8 CMOS存储器不需要
时钟或清爽，拥有平等的机会和周期
次。输入是完全TTL兼容。的RAM运行
从单一5V ± 10 ％容差的电源。同
电池备份，数据的完整性得以维持与供应
电压下降到2.0V 。漏电流通常为10 μA
从一个2.0V电源。
存取时间快8纳秒是可用的，
允许大大提高了系统的运行速度。
该P4C164是28引脚300密耳DIP和SOJ可用， 28-
销600万塑料和陶瓷DIP封装， 28引脚350× 550密耳
LCC ， 32引脚450× 550密耳LCC和28引脚CERPACK 。
在为70ns和100ns的P4C164s都在600万可用
塑料DIP封装。
功能框图
销刀豆网络gurations
DIP （ P5 ， P6 ， C5 ， C5-1 ， D5-1 ， D5-2 ）
SOJ （ J5 ） ， CERPACK （ F4 ） ， SOP （ S6 ）
见第7页LCC引脚配置
1519B
文档＃
SRAM115
F版
修订后的2007年6月
1
P4C164
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
V
°C
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
(2)
军事
产业
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
0V
V
CC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
CD
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入钳位二极管电压V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
输出低电压
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
（ TTL负载）
输出高电压
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
（ TTL负载）
V
CC
=最大。
米尔。
输入漏电流
V
IN
= GND到V
CC
印第安纳州/ Com'l 。
输出漏电流
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
米尔。
印第安纳州/ Com'l 。
测试条件
P4C164
民
最大
2.2
V
CC
+0.5
–0.5
(3)
–0.5
(3)
0.8
0.2
–1.2
0.4
2.4
–10
–5
–10
–5
___
___
+10
+5
+10
+5
40
30
2.4
–5
不适用
–5
不适用
___
___
+5
不适用
+5
不适用
40
不适用
P4C164L
单位
民
最大
2.2
V
CC
+0.5 V
–0.5
(3)
–0.5
(3)
0.8
0.2
–1.2
0.4
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5 V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
I
SB
备用电源
电流（ TTL电平输入）
CE
1
≥
V
IH
or
米尔。
CE
2
≤V
IL
,
印第安纳州/ Com'l 。
V
CC
=最大，
F =最大值，输出打开
CE
1
≥
V
HC
or
米尔。
CE
2
≤V
LC
,
印第安纳州/ Com'l 。
V
CC
=最大，
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
I
SB1
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
___
___
25
15
___
___
1
不适用
mA
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM115
F版
第16页2
P4C164
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
I
CC
动态工作电流*工业
军事
-8
-10
-12
-15
-20
-25
-35
45
-70 -100
单位
mA
mA
mA
200 180 170 160 155 150 145 N / A 130 125
N / A 190 180 170 160 155 150 N / A 145 140
N / A N / A 180 170 160 155 150 145 145 145
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
,
OE
= V
IH
数据保持特性（ P4C164L ，军用温度只）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
*
T
A
= +25°C
§
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到
数据保存时间
手术恢复时间
测试条件
民
2.0
TYP 。 *
V
CC
=
2.0V
3.0V
10
15
最大
V
CC
=
2.0V
3.0V
200
300
单位
V
A
ns
ns
CE
1
≥
V
CC
- 0.2V或
CE
2
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
– 0.2V
或V
IN
≤
0.2V
t
RC =
0
t
RC
=读周期时间
此参数是保证，但未经测试。
数据保存波形
文档＃
SRAM115
F版
第16页3
P4C164
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号
t
RC
t
AA
t
AC
参数
读周期
时间
地址
存取时间
芯片使能
存取时间
输出保持
从地址
变化
芯片使能到
在低Z输出
芯片被禁止
到输出的
高Z
OUTPUT ENABLE
低到数据
有效
OUTPUT ENABLE
低到低Z
OUTPUT ENABLE
高到高阻
芯片使能到
上电
时间
芯片被禁止
断电
时间
0
2
5
3
-8
-10
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-70
-100
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
8
8
8
10
10
10
12
12
12
15
15
15
20
20
20
25
25
25
35
35
35
45
45
45
70
70
70
100
100
100
ns
ns
ns
t
OH
3
3
3
3
3
3
3
3
3
ns
t
LZ
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
ns
t
HZ
5
6
7
8
8
10
15
20
35
45
ns
t
OE
5
6
7
9
10
13
18
20
35
45
ns
t
OLZ
t
OHZ
2
6
2
7
2
9
2
9
2
12
2
15
2
20
2
35
2
45
ns
ns
t
PU
0
0
0
0
0
0
0
0
0
ns
t
PD
8
10
12
15
20
20
20
25
35
45
ns
读循环中没有时序波形。 1 （ OE控制）
(5)
OE
注意事项：
5.
WE
为高的读周期。
6.
CE
1
为低电平，CE
2
为HIGH和
OE
为低电平读周期。
7.地址必须是有效的之前或与重合
CE
1
过渡
LOW和CE
2
变为高电平。
8.转变是从稳态电压前测量± 200 mV的
改变，同时装载如在图1中指定的该参数是
采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM115
F版
第16页4
P4C164
TIMINIG WAVERFORM读循环中没有。 2 （地址控制）
(5,6)
读循环中没有时序波形。 3 （ CE
1
，CE
2
控制）
(5,7,10)
CE
注意事项：
9.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
造成芯片使能控制10转换也有类似的延误
不论
CE
1
或CE
2
导致他们。
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
芯片使能
时间结束
写
地址有效到
写结束
地址建立
时间
写脉冲
宽度
地址保持
时间
数据有效到
写结束
日期保持时间
写使能到
在高Z输出
输出活动
从结束
写
3
-8
-10
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-70
-100
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
8
6
10
7
12
8
15
12
20
15
25
18
35
25
45
33
70
50
100
70
ns
ns
7
0
7
0
6
0
6
8
0
8
0
7
0
7
10
0
9
0
8
0
7
12
0
12
0
9
0
7
15
0
15
0
11
0
8
18
0
18
0
13
0
10
25
0
20
0
15
0
14
33
0
25
0
20
0
18
50
0
40
0
30
0
30
70
0
50
0
40
0
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
3
3
3
3
3
3
3
3
ns
文档＃
SRAM115
F版
第16页5
QQ：2880707522 复制
