P4C163/P4C163L
超高速8K ×9
静态CMOS RAMS
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 25 / 35ns的（商业）
- 40 /35 /为45nS （军事）
低功耗工作（商用/军用）
输出使能和双芯片使能控制
功能
单5V ± 10 ％电源
数据保留与2.0V供电， 10 μA典型
电流（ P4C163L军）
通用I / O
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚（ JEDEC批准）
- 28引脚300密耳DIP ， SOJ
- 28引脚350× 550密耳LCC
- 28引脚CERPACK
描述
该P4C163和P4C163L是73,728位超高速
组织为8K ×9的CMOS存储器静态RAM重
叠纸无时钟或刷新，并有平等的机会和
周期时间。输入是完全TTL兼容。公羊
从单一5V ± 10 ％的容差电源供电。
带备用电池，数据完整性被保持供给
电压下降到2.0V 。漏电流是从2.0V 10 μA
供应量。
存取时间快25纳秒可用， per-
mitting大大提高了系统的运行速度。 CMOS
用于减少在两个有源功率消耗和
待机模式。
该P4C163和P4C163L提供28引脚300密耳可
DIP和SOJ ， 28引脚350× 550密耳LCC和28引脚
CERPACK封装提供卓越的板级densi-
关系。
功能框图
销刀豆网络gurations
DIP （ P5 ， C5 ） ， SOJ （ J5 ）
CERPACK （ F4 ）相似
LCC （ L5）的
文档＃
SRAM120
REV C
1
修订后的2006年8月
P4C163/163L
最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
A
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
°C
推荐运行温度和电源电压
GRADE
(2)
军事
环境
温度
-55到+ 125°C
GND
0V
V
CC
5.0V ± 10%
GRADE
(2)
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
V
CC
5.0V ± 10%
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
CD
V
OL
V
OLC
V
OH
V
OHC
I
LI
I
LO
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入钳位二极管电压
输出低电压
（ TTL负载）
输出低电压
（ CMOS负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ CMOS负载）
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
P4C163
民
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
最大
V
CC
+0.5
0.8
0.2
–1.2
0.4
0.2
2.4
V
CC
–0.2
–10
–5
–10
–5
+10
+5
+10
+5
P4C163L
民
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
最大
V
CC
+0.5
0.8
0.2
–1.2
0.4
0.2
2.4
V
CC
–0.2
–5
不适用
–5
不适用
+5
不适用
+5
不适用
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OLC
= 100 μA ，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
I
OHC
= -100 μA ，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
pF
符号
C
OUT
参数
输出电容
典型的条件。单位
V
OUT
= 0V
7
pF
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM120
REV C
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