P4C148 ， P4C149
超高速1K ×4
静态CMOS RAMS
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20/25/35/45/55 NS （商业）
- 15/20/25/35/45/55 NS （ P4C148军）
低功耗工作
单5V ± 10 ％电源
两个选项
- P4C148低功耗待机模式
- P4C149快速的片选控制
通用输入/输出端口
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚（ JEDEC批准）
- 18引脚300密耳DIP
- 18引脚LCC （ 295 X 335密耳） P4C148只]
- 18引脚LCC （ 290 X 430密耳）
描述
该P4C148和P4C149 4,096位超高速
静态RAM组织为1K X 4，两款器件均
通用输入/输出端口。该P4C148进入
待机模式时，芯片使能（ CE）变为高电平;
与CMOS输入电平，功耗是非常
低在该模式。该P4C149具有快速的芯片选择
使用功能
CS 。
该CMOS存储器不需要
时钟或爽口，并有平等的机会和周期
次。输入是完全TTL兼容。公羊
用单5V操作
±
10 ％的容差的电源。
存取时间快10纳秒是可用的，
允许大大提高了系统的运行速度。
CMOS用于减少功率消耗时
活跃;为P4C148 ，消耗进一步降低
待机模式。
该P4C148和P4C149在18引脚300密耳可
DIP封装，以及2个不同的LCC封装，
提供优良的板级密度。
功能框图
引脚配置
P4C148 DIP（ C9 ，D1， P1）的
P4C149 DIP （P1）的
P4C148 LCC （ L7 ， L7-1 ）
P4C149 LCC （ L7 ）
文档＃
SRAM104
版本B
1
修订后的2007年4月
P4C148/P4C149
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
- 0.5至+7
= 0.5
V
CC
+0.5
- 55 + 125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
- 55 + 125
- 65 + 150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作
条件
GRADE
(2)
广告
军事
环境温度
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
± 10%
5.0V
± 10%
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压（ 2 ）
符号。
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
I
SB
I
SB1
参数
输出高电压
（ TTL负载）
输出低电压
（ TTL负载）
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE， CS
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
米尔。
Comm'l
米尔。
Comm'l
米尔。
Comm'l
米尔。
Comm'l
测试条件
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
I
OL
= 8毫安，V
CC
=分钟
2.2
–0.5
(3)
–10
–5
–10
–5
P4C148
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+10
+5
+10
+5
30
23
15
10
2.2
–0.5
(3)
–10
–5
–10
–5
马克斯。
P4C149
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+10
+5
+10
+5
不适用
不适用
不适用
不适用
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
备用电源
CE
≥
V
IH
, V
CC
=最大，
电流（ TTL电平输入）F =最大值，输出打开
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
CE
≥
V
HC
, V
CC
=最大值， F = 0 ，
输出打开
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
–0.2V
N / A =不适用
功耗特性VS. SPEED
符号参数
I
CC
动态工作电流
温度范围
广告
军事
-10 -12 -15 -20 -25 -35 -45 -55单位
130 130 120 115 100 100 95
95
mA
N / A N / A 145 135 125 120 115 115毫安
文档＃
SRAM104
版本B
第10 2
P4C148/P4C149
交流特性，读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
RCS
t
RCH
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间（ P4C148 ）
芯片使能存取时间（ P4C149 ）
从地址变更输出保持
芯片使能到输出低Z（ P4C149 ）
芯片禁用到输出高Z（ P4C149 ）
READ命令设置时间
读命令保持时间
芯片使能上电时间（ P4C148 ）
芯片禁用断电时间（ P4C148 ）
0
0
0
10
3
2
4
0
0
0
12
-10
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-55
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
10
12
15
20
25
35
45
55
10
10
8
3
2
5
0
0
0
15
12
12
10
3
2
6
0
0
0
20
15
15
12
3
2
8
0
0
0
25
20
20
14
3
2
10
0
0
0
35
25
25
15
3
2
14
0
0
0
45
35
35
20
3
2
18
0
0
0
55
45
45
20
3
2
20
55
55
25
读周期的时序波形
读循环中没有时序波形。 2
(6)
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其他与功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间会影响其可靠性。
保证有400英尺长2.扩展的工作温度
每气流分钟。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.
CE
低并且
WE
为高的读周期。
6.
WE
为高电平时，和地址必须之前或一致是有效的
CE
变为低电平。
7.转变是从稳态电压前测量± 200mV的
与指定加载改变在图1中，此参数
采样，而不是100 ％测试。
8.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档＃
SRAM104
版本B
第10 3
P4C148/P4C149
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号
参数
t
WC
写周期时间
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
芯片使能时间结束写的
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
地址保持时间从写入结束
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
输出写入结束活动
0
-10
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-55
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
10
12
15
20
25
35
45
55
8
8
0
8
0
5
0
5
0
10
10
0
10
0
6
0
6
0
12
12
0
12
0
7
0
7
0
16
16
0
16
0
9
0
7
0
20
20
0
20
0
12
0
8
0
25
25
0
25
0
16
0
12
0
30
30
0
30
0
20
0
15
0
35
35
0
35
0
25
0
20
WE
时序波形写周期NO 。 1 （我们控制）
(9)
时序波形写周期NO 。 2 （ CE
CS
控制）
(9)
CE / CS
CE
注意事项：
9.
CE
和
WE
必须是低的写周期。
10.如果
CE
云同时高
WE
高电平时，输出保持在高阻抗状态。
11.写周期时间是从最后一个有效地址到第一地址转变进行测定。
文档＃
SRAM104
版本B
第10 4
P4C148/P4C149
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入时序参考电平
输出时序参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
真值表
模式
待机
读
写
CE
H
L
L
WE
X
H
L
产量
高Z
D
OUT
高Z
动力
待机
活跃
活跃
图1.输出负载
*包括范围和测试夹具。
图2.戴维南等效
注意：
由于P4C148 / 149的超高速，必须小心
测试时，该设备;不适当的设置可能会导致正常
功能部分被拒绝的错误。长高的电感导致的
必须避免通过使在V事业供给弹跳
CC
和地面
飞机直接到接触手指。一个0.01μF高频
V之间也需要电容
CC
和地面。为了避免信号
反射，适当的终止必须使用;例如，一个50Ω的测试
环境应终止为50Ω负载与1.73V （戴维南
电压），在比较器的输入，以及一个116Ω电阻器必须在使用
系列的D
OUT
匹配166Ω （戴维南电阻） 。
文档＃
SRAM104
版本B
第10个5
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