P4C147
交流特性，读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
关机时间
-10
10
10
10
2
2
4
0
10
0
2
2
12
-12
15
12
12
2
2
5
0
12
-15
20
15
15
2
2
6
0
15
-20
-25
25
20
20
2
2
8
0
20
25
10
0
25
25
2
2
35
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
14
ns
ns
35
ns
读循环中没有时序波形。 1
(5)
读循环中没有时序波形。 2
(6)
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.
CE
低并且
WE
为高的读周期。
6.
WE
为高电平时，和地址必须之前或一致是有效的
CE
变为低电平。
7.转变是从稳态电压前测量± 200mV的
与指定加载改变图1.该参数采样
而不是100 ％测试。
8.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档＃
SRAM103
REV A
第10 3
P4C147
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
芯片使能时间结束写的
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
从地址保持时间
写结束
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
输出写入结束活动
-10
-25
-12
-15
-20
-35
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
10
8
8
0
8
0
5
0
5
0
0
12
10
10
0
10
0
6
0
6
0
15
12
12
0
12
0
7
0
7
0
20
15
15
0
14
0
9
0
9
0
25
20
20
0
15
0
12
0
12
0
35
25
25
0
18
0
15
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时序波形写周期NO 。 1 （我们控制）
(9)
WE
时序波形写周期NO 。 2 （ CE控制）
(9)
CE
注意事项：
9.
CE
和
WE
必须是低的写周期。
10.如果
CE
云同时高
WE
高，输出遗体
在高阻抗状态。
11.写周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档＃
SRAM103
REV A
第10 4
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