本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
P4C1298/P4C1298L
超高速64K ×4
静态CMOS RAM
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 15/20/25/35 NS （商业/工业）
- 15/20/25/35/45 NS （军事）
低功耗
单5V ± 10 ％电源
输出使能&芯片使能控制功能
数据保留与2.0V电源
三态输出
TTL / CMOS兼容输出
充分TTL兼容输入
标准引脚（ JEDEC批准）
- 28引脚300密耳DIP ， SOJ
- 28引脚350x550万LCC
描述
该P4C1298 / L是262,144位超高速静态RAM
组织为64K X 4， CMOS存储器不需要时钟
或清新，有平等的机会和循环时间。输入
和输出完全兼容TTL 。的RAM运行
从单一5V ± 10 ％容差的电源。带电池
备份，数据的完整性得以维持为电源电压的下降
至2.0V 。漏电流通常是从一个2.0V电源10 μA 。
存取时间快15纳秒是可用的，
允许大大提高系统速度。 CMOS是
用于减少功率消耗。
该P4C1298是一个28引脚300密耳DIP或SOJ可用，
还有一个28针的350x500万LCC封装，可提供
优良的板级密度。
功能框图
引脚配置
DIP （ P5 ， C5 ）
SOJ （ J5 ）
LCC （ L5）的
文档＃
SRAM135
转或
修订后的2007年4月
1
P4C1298/L
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
V
°C
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
推荐工作
温度和电源电压
Grade(2)
军事
产业
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
0V
V
CC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
5
7
pF
pF
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
CD
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
SB
I
SB1
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入钳位二极管电压
输出低电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输入漏电流
V
CC
=最小值，我
IN
= 18毫安
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
V
OUT
= GND到V
CC
CE
≥
V
IH
V
CC
=最大值， F =最大值，输出
开放
CE
≥
V
HC
V
CC
=最大值， F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
米尔
工业/通信
米尔
工业/通信
2.4
测试条件
P4C1298
民
最大
2.2
–0.5
(3)
V
CC
–0.2
–0.5
(3)
V
CC
+0.5
0.8
P4C1298L
民
最大
2.2
–0.5
(3)
V
CC
+0.5
0.8
V
CC
+0.5
0.2
–1.2
0.4
2.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
CC
+0.5 V
CC
–0.2
0.2
–1.2
0.4
–0.5
(3)
–5
+5
–10
+10
A
输出漏电流
备用电源
电流（ TTL电平输入）
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
–5
___
___
+5
40
20
10
10
–10
___
___
___
___
+10
20
不适用
10
不适用
A
mA
mA
mA
mA
___
___
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM135
转或
第11 2
P4C1298/L
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
产业
军事
–15
160
160
160
–20
125
135
150
–25
115
120
120
–35
110
115
120
单位
mA
mA
mA
I
CC
动态工作电流*
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
= V
IL
数据保持特性（ P4C1298L ONLY）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到
数据保存时间
手术恢复时间
CE
≥
V
CC
–0.2V,
V
IN
≥
V
CC
-0.2V或
V
IN
≤
0.2V
测试条件
民
2.0
10
0
t
RC =
15
1000
2000
TYP 。 *
V
CC
=
2.0V
3.0V
最大
V
CC
=
2.0V 3.0V
单位
V
A
ns
ns
*T
A
= +25°C
§
t
RC
=读周期时间
此参数是保证，但未经测试。
数据保存波形
文档＃
SRAM135
转或
第11 3
QQ：2880707522 复制
