P4C1256L
P4C1256L
低功耗32K ×8
静态CMOS RAM
特点
V
CC
电流（商业/工业）
- 运行： 70毫安/ 85毫安
- CMOS待机： 100
A/100
A
访问时间
-55/70 （商业或工业）
单5伏
±
10 ％的电力供应
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
自动断电
套餐
-28引脚600密耳DIP
-28引脚330密耳SOP
描述
位置上的地址引脚指定的
0
到A
14
。读
ING是由设备选择（ CE和输出完成
把使（ OE ），而写使能（ WE）的遗体
HIGH 。通过在这些条件呈现地址
系统蒸发散，在寻址的存储位置是前期的数据
sented上的数据输入/输出管脚。输入/输出
针留在高Z状态时，无论
CE
or
OE
is
提供55纳秒和70 ns的存取时间。 CMOS高或
WE
是低的。
被利用来降低功率消耗，以较低的水平。
为P4C1256L封装选项包括28引脚600
该P4C1256L设备提供了异步操作MIL DIP和28引脚330密耳SOP封装。
化相匹配的访问和周期时间。内存
该P4C1256L是262,144位低功耗CMOS
静态RAM组织为32Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
功能框图
行选择
A
引脚配置
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
(8)
A
262,144-BIT
内存
ARRAY
A1
A2
A3
A4
A5
WE
A14
A13
A12
I/O1
A
11
OE
A
10
CE
I/0
8
I/0
7
I/0
6
I/0
5
I/0
4
输入
数据
控制
列I / O
A6
A7
A8
A9
I/O2
COLUMN
SELECT
I/0
1
I/0
2
I/0
3
GND
A
WE
CE
A
(7)
OE
DIP （ P6 ） ， SOP （ S11-2 ）
顶视图
意味着质量，服务和速度
1Q97
125
P4C1256L
推荐工作温度&电源电压
温度范围（环境）
商用（0 ° C至70 ° C）
工业级（-40° C至85°C ）
电源电压
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5
≤
V
CC
≤
5.5V
最大额定值
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这些都是绝对压力
收视率而已。该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些暗示
本数据表中的业务部门给出。暴露最大额定值长时间能
器件的可靠性产生不利影响。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压（高达7.0V ）
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
民
-0.5
-0.5
-55
-65
最大
7.0
V
CC
+ 0.5
125
150
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
DC电气特性
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输出高电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输出低电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
当前
TTL待机电流
（ TTL电平输入）
V
CC
当前
CMOS待机电流
（ CMOS输入电平）
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
CE
≥
V
IH
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
= V
IH
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
≥
V
CC
-0.2V
Ind'l 。
Com'l 。
Ind'l 。
Com'l 。
测试条件
I
OH
= -1mA ，V
CC
= 4.5V
I
OL
= 2.1毫安
2.2
-0.5
-5
-2
-5
-2
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+5
+2
+5
+2
3
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
100
A
126
P4C1256L
电容
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
7
9
单位
pF
pF
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
温度
范围
广告
产业
*
-55
70
85
-70
70
85
-55
15
25
**
-70
15
25
单位
mA
mA
*测试
具有输出开路，所有的地址和数据输入在最大写入周期率的变化。
该器件被连续书写，即：使
CE
和
WE
≤
V
IL
（最大） ，
OE
高。开关
输入为0V和3V 。
**同上，但@ F = 1 MHz和V
IL
/ V
IH
= 0V/ V
CC
.
AC电气特性 - 读周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
输出使能低
到数据有效
输出使能低
以低Z
输出使能高
到高阻
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
关机时间
0
55
5
20
0
70
-55
民
55
55
55
5
5
20
30
5
25
5
5
25
35
最大
民
70
70
70
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
127
P4C1256L
交流特性 - 写周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
芯片使能时间
写的结束
地址有效到
写结束
地址建立
时间
把脉冲宽度
地址保持
时间
数据有效结束
写
数据保持时间
写使能到
在高Z输出
输出活动
写结束
5
-55
民
55
50
50
0
40
0
25
0
25
5
最大
民
70
60
60
0
50
0
30
0
30
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期号1 （我们控制）
(6)
WE
t
WC
地址
t
CW
CE
(9)
t
AW
t
WP
WE
t
AS
DATA IN
t
WZ
(7)
(4)
t
AH
t
DW
数据有效
t
DH
t
OW
(4,7)
数据输出
数据中，未定义
高阻抗
注意事项：
6.
CE
和
WE
必须是低的写周期。
7.
OE
为低电平的写周期显示TWZ和拖车。
8.如果
CE
云同时高
WE
高电平时，输出保持在高阻抗状态。
9.写周期时间是从最后一个有效地址到第一过渡地址进行测定。
129
P4C1256L
P4C1256L
低功耗32K ×8
静态CMOS RAM
特点
V
CC
电流（商业/工业）
- 运行： 70毫安/ 85毫安
- CMOS待机： 100
A/100
A
访问时间
-55/70 （商业或工业）
单5伏
±
10 ％的电力供应
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
自动断电
套餐
-28引脚600密耳DIP
-28引脚330密耳SOP
描述
位置上的地址引脚指定的
0
到A
14
。读
ING是由设备选择（ CE和输出完成
把使（ OE ），而写使能（ WE）的遗体
HIGH 。通过在这些条件呈现地址
系统蒸发散，在寻址的存储位置是前期的数据
sented上的数据输入/输出管脚。输入/输出
针留在高Z状态时，无论
CE
or
OE
is
提供55纳秒和70 ns的存取时间。 CMOS高或
WE
是低的。
被利用来降低功率消耗，以较低的水平。
为P4C1256L封装选项包括28引脚600
该P4C1256L设备提供了异步操作MIL DIP和28引脚330密耳SOP封装。
化相匹配的访问和周期时间。内存
该P4C1256L是262,144位低功耗CMOS
静态RAM组织为32Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
功能框图
行选择
A
引脚配置
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
(8)
A
262,144-BIT
内存
ARRAY
A1
A2
A3
A4
A5
WE
A14
A13
A12
I/O1
A
11
OE
A
10
CE
I/0
8
I/0
7
I/0
6
I/0
5
I/0
4
输入
数据
控制
列I / O
A6
A7
A8
A9
I/O2
COLUMN
SELECT
I/0
1
I/0
2
I/0
3
GND
A
WE
CE
A
(7)
OE
DIP （ P6 ） ， SOP （ S11-2 ）
顶视图
意味着质量，服务和速度
1Q97
125
P4C1256L
推荐工作温度&电源电压
温度范围（环境）
商用（0 ° C至70 ° C）
工业级（-40° C至85°C ）
电源电压
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5
≤
V
CC
≤
5.5V
最大额定值
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这些都是绝对压力
收视率而已。该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些暗示
本数据表中的业务部门给出。暴露最大额定值长时间能
器件的可靠性产生不利影响。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压（高达7.0V ）
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
民
-0.5
-0.5
-55
-65
最大
7.0
V
CC
+ 0.5
125
150
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
DC电气特性
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输出高电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输出低电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
当前
TTL待机电流
（ TTL电平输入）
V
CC
当前
CMOS待机电流
（ CMOS输入电平）
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
CE
≥
V
IH
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
= V
IH
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
≥
V
CC
-0.2V
Ind'l 。
Com'l 。
Ind'l 。
Com'l 。
测试条件
I
OH
= -1mA ，V
CC
= 4.5V
I
OL
= 2.1毫安
2.2
-0.5
-5
-2
-5
-2
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+5
+2
+5
+2
3
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
100
A
126
P4C1256L
电容
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
7
9
单位
pF
pF
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
温度
范围
广告
产业
*
-55
70
85
-70
70
85
-55
15
25
**
-70
15
25
单位
mA
mA
*测试
具有输出开路，所有的地址和数据输入在最大写入周期率的变化。
该器件被连续书写，即：使
CE
和
WE
≤
V
IL
（最大） ，
OE
高。开关
输入为0V和3V 。
**同上，但@ F = 1 MHz和V
IL
/ V
IH
= 0V/ V
CC
.
AC电气特性 - 读周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
输出使能低
到数据有效
输出使能低
以低Z
输出使能高
到高阻
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
关机时间
0
55
5
20
0
70
-55
民
55
55
55
5
5
20
30
5
25
5
5
25
35
最大
民
70
70
70
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
127
P4C1256L
交流特性 - 写周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
芯片使能时间
写的结束
地址有效到
写结束
地址建立
时间
把脉冲宽度
地址保持
时间
数据有效结束
写
数据保持时间
写使能到
在高Z输出
输出活动
写结束
5
-55
民
55
50
50
0
40
0
25
0
25
5
最大
民
70
60
60
0
50
0
30
0
30
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期号1 （我们控制）
(6)
WE
t
WC
地址
t
CW
CE
(9)
t
AW
t
WP
WE
t
AS
DATA IN
t
WZ
(7)
(4)
t
AH
t
DW
数据有效
t
DH
t
OW
(4,7)
数据输出
数据中，未定义
高阻抗
注意事项：
6.
CE
和
WE
必须是低的写周期。
7.
OE
为低电平的写周期显示TWZ和拖车。
8.如果
CE
云同时高
WE
高电平时，输出保持在高阻抗状态。
9.写周期时间是从最后一个有效地址到第一过渡地址进行测定。
129
QQ：2881677436 复制
