P4C1256
高速32K ×8
静态CMOS RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 12/15/20/25/35 NS （商业）
- 15/20/25/35/45 NS （工业）
- 20/25/35/45/55/70 NS （军事）
低功耗
单5V ± 10 ％电源
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
快速吨
OE
自动断电
套餐
-28引脚300密耳DIP ， SOJ ， TSOP
-28引脚300密耳陶瓷DIP
-28引脚600密耳陶瓷DIP
-28引脚CERPACK
-28引脚SOP
-28引脚LCC （ 350密耳× 550密耳）
-32引脚LCC （ 450密耳× 550密耳）
描述
该P4C1256是262,144位高速CMOS
静态RAM组织为32Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
存取时间快12纳秒允许大大
增强的系统的运行速度。 CMOS是利用
降低功率消耗，以较低的水平。该
P4C1256是一个家庭的PACE RAM 的精良的成员
UCTS提供快速的存取时间。
该P4C1256设备提供异步操作
与之相配的访问和周期时间。存储器地址
系统蒸发散是在地址管脚指定的
0
到A
14
。阅读
由设备选择（ CE和输出完成
启用（ OE ），而写使能（ WE）仍然很高。
通过在这些条件下呈现的地址，该
在被寻址的存储器位置的数据出现在
数据输入/输出管脚。输入/输出引脚留
在高Z状态时，无论
CE
or
OE
是高还是
WE
是低的。
为P4C1256封装选项包括28引脚300
万DIP ， SOJ和TSOP封装。军用温度
TURE系列，陶瓷DIP和LCC封装都可用
能。
功能框图
销刀豆网络gurations
DIP （ P5 ， C5 ， C5-1 ， D5-2 ） ， SOJ （ J5 ） ， SOP （ S11-1 ， S11-3 ）
CERPACK （ F4 ）相似
1519B
请查阅技术资料的结束LCC和TSOP
引脚配置。
文档＃
SRAM119
版本G
1
修订后的2007年6月
P4C1256
数据保持特性（ P4C1256L军用温度只）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
*T
A
= +25°C
§t
RC
=读周期时间
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到
数据保存时间
手术恢复时间
测试Conditons
民
2.0
TYP 。 *
V
CC
=
2.0V
3.0V
最大
V
CC
=
2.0V
3.0V
单位
V
CE
≥
V
CC
–0.2V,
V
IN
≥
V
CC
–0.2V
或V
IN
≤
0.2V
0
t
RC =
10
15
100
200
A
ns
ns
此参数是保证，但未经测试。
数据保存波形
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
军事
–12
170
不适用
不适用
–15
160
170
不适用
–20
155
165
170
–25
150
160
165
–35
145
155
160
–45
不适用
150
155
–55
不适用
不适用
150
–70
不适用
不适用
150
单位
mA
mA
mA
I
CC
动态工作电流*工业
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
.
文档＃
SRAM119
版本G
第17页3
P4C1256
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
参数
读周期时间
地址访问
时间
芯片使能
存取时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
OUTPUT ENABLE
低到数据
有效
OUTPUT ENABLE
低到低Z
OUTPUT ENABLE
高到高阻
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
掉电
时间
0
0
2
2
-12
12
12
12
2
2
5
5
-15
15
15
15
2
2
8
7
20
-20
25
20
20
3
3
9
9
-25
35
25
25
3
3
11
10
-35
45
35
35
3
3
15
15
-45
55
45
45
3
3
20
20
-55
70
55
55
3
3
25
25
-70
单位
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
70
70
ns
ns
ns
ns
30
30
ns
ns
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
0
5
0
12
15
7
0
9
0
20
0
11
0
20
0
15
0
20
0
20
0
25
0
25
0
30
0
30
0
35
ns
ns
ns
ns
文档＃
SRAM119
版本G
第17页4
P4C1256
读循环中没有时序波形。 1 （ OE控制）
(5)
OE
读循环中没有时序波形。 2 （地址控制）
(5,6)
读循环中没有时序波形。 3 （ CE控制）
(5,7)
CE
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.
WE
为高的读周期。
6.
CE
低并且
OE
为低电平读周期。
7.地址必须是有效的之前或与重合
CE
变为低电平。
8.转变是从稳态电压前测量± 200 mV的
改变，同时装载如在图1中指定的该参数是
采样，而不是100 ％测试。
9.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档＃
SRAM119
版本G
第17页5
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