P4C1256
P4C1256
高速32K ×8
静态CMOS RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 12/15/20/25/35 NS （商业）
- 15/20/25/35/45 NS （工业）
- 20/25/35/45/55/70 NS （军事）
低功耗
- 880 mW的活动（商业）
单5V
±
10 ％的电力供应
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
快速吨
OE
自动断电
套餐
-28引脚300密耳DIP和SOJ
-28引脚600密耳陶瓷DIP
-28引脚LCC （ 350密耳× 550密耳）
-32引脚LCC （ 450密耳× 550密耳）
描述
该P4C1256是262,144位高速CMOS
静态RAM组织为32Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
存取时间快12纳秒允许大大
增强的系统的运行速度。 CMOS是利用
降低功率消耗，以较低的水平。该
P4C1256是一个家庭的PACE RAM 的精良的成员
UCTS提供快速的存取时间。
该P4C1256设备提供了异步操作
匹配的访问和周期时间。存储器单元
在地址管脚指定的
0
到A
14
。阅读是accom-
通过设备选择（ CE和输出使能plished （ OE ）
而写使能（ WE）仍然很高。通过展示
在这些条件下处理，在处理的数据
存储器位置上呈现的数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚留在高Z状态时，无论
CE
or
OE
是高还是
WE
是低的。
为P4C1256封装选项包括28引脚300密耳
DIP和SOJ封装。对于军用温度范围内，
陶瓷DIP和LCC封装。
功能框图
行选择
A
销刀豆网络gurations
VCC
A2
A1
A0
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
(8)
A
262,144-BIT
内存
ARRAY
WE
A14
A13
A12
A2
A3
A4
A5
4
3
A0
2
1
NC
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
NC
I/O1
5
6
7
8
9
10
11
12
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
WE
A14
A 13
A 12
A 11
NC
OE
A 10
CE
I/O8
I/O7
I / O
1
A
11
OE
A
10
CE
I/0
8
I/0
7
I/0
6
I/0
5
I/0
4
A6
列I / O
输入
数据
控制
A7
A8
A9
I / O
2
I/0
1
I/0
2
COLUMN
SELECT
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O2
I/O3
GND
I/O4
I/O5
I/O6
NC
I/0
3
GND
WE
CE
OE
A
(7)
A
DIP （ P5 ， C5 ， D5-1 ） ， SOJ （ J5 ）
顶视图
1519B
32 LCC （ L6 ）
顶视图
请参见选型指南页28引脚LCC
意味着质量，服务和速度
1Q97
117
P4C1256
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作
温度和电源电压
Grade(2)
军事
产业
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
8
10
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输出低电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输入漏电流
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
米尔。
印第安纳州/ Com'l 。
2.4
–10
–5
–10
–5
___
___
___
___
+10
+5
+10
+5
45
30
20
10
测试条件
P4C1256
民
最大
2.2
V
CC
+0.5
0.8
–0.5
(3)
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
–0.5
(3)
0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
输出漏电流
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
米尔。
V
OUT
= GND到V
CC
印第安纳州/ Com'l 。
CE
≥
V
IH
or
米尔。
备用电源
电流（ TTL电平输入） CE
2
≤V
IL
, V
CC
=最大工业/ Com'l 。
F =最大值，输出打开
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
CE
≥
V
HC
or
米尔。
CE
2
≤V
LC
, V
CC
=最大工业/ Com'l 。
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
mA
I
SB1
mA
N / A =不适用
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
118
P4C1256
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
I
CC
动态工作电流*工业
军事
–12
170
不适用
不适用
–15
160
170
不适用
–20
155
165
170
–25
150
160
165
–35
145
155
160
–45
不适用
150
155
–55
不适用
不适用
150
–70
不适用
不适用
150
单位
mA
mA
mA
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
.
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
参数
-12
-15
15
-20
20
-25
25
-35
35
-45
45
-55
55
-70
70
单位
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
读周期时间12
地址访问
时间
芯片使能
存取时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
OUTPUT ENABLE
低到数据
有效
OUTPUT ENABLE
低到低Z
OUTPUT ENABLE
高到高阻
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
掉电
时间
0
12
0
5
0
15
2
2
5
5
12
12
2
2
8
7
15
15
2
2
20
20
3
3
9
9
25
25
3
3
11
10
35
35
3
3
15
15
45
45
3
3
20
20
55
55
3
3
25
25
70
70
ns
ns
ns
ns
30
30
ns
ns
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
0
7
0
9
0
20
0
11
0
20
0
15
0
20
0
20
0
25
0
25
0
30
0
30
0
35
ns
ns
ns
ns
119
P4C1256
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
WC
t
CW
参数
-12
-15
15
10
-20
20
15
-25
25
18
-35
35
22
-45
45
30
-55
55
35
-70
70
40
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
写周期时间12
芯片使能
时间结束
写
地址有效到
写结束
地址建立
时间
写脉冲
宽度
地址保持
时间
数据有效到
写结束
日期保持时间
写使能到
在高Z输出
输出活动
3
从写结束
9
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
9
0
9
0
8
0
7
10
0
11
0
9
0
8
3
15
0
15
0
11
0
10
3
20
0
18
0
13
0
11
3
25
0
22
0
15
0
15
5
35
0
25
0
20
0
18
5
40
0
30
0
25
0
25
0
45
0
35
0
30
0
30
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期号1 （我们控制）
(6)
WE
TWC
地址
TCW
CE
(9)
TAW
TWP
WE
TAS
DATA IN
TWZ
(7)
(4)
TAH
TDW
数据有效
TDH
拖车
(4,7)
数据输出
数据中，未定义
高阻抗
注意事项：
6.
CE
1
和
WE
必须是低的写周期。
7.
OE
为低电平的写周期显示吨
WZ
和T
OW
.
8.如果
CE
1
云同时高
WE
高，输出遗体
在高阻抗状态。
9.写周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
121
P4C1256
P4C1256
高速32K ×8
静态CMOS RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 12/15/20/25/35 NS （商业）
- 15/20/25/35/45 NS （工业）
- 20/25/35/45/55/70 NS （军事）
低功耗
- 880 mW的活动（商业）
单5V
±
10 ％的电力供应
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
快速吨
OE
自动断电
套餐
-28引脚300密耳DIP和SOJ
-28引脚600密耳陶瓷DIP
-28引脚LCC （ 350密耳× 550密耳）
-32引脚LCC （ 450密耳× 550密耳）
描述
该P4C1256是262,144位高速CMOS
静态RAM组织为32Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
存取时间快12纳秒允许大大
增强的系统的运行速度。 CMOS是利用
降低功率消耗，以较低的水平。该
P4C1256是一个家庭的PACE RAM 的精良的成员
UCTS提供快速的存取时间。
该P4C1256设备提供了异步操作
匹配的访问和周期时间。存储器单元
在地址管脚指定的
0
到A
14
。阅读是accom-
通过设备选择（ CE和输出使能plished （ OE ）
而写使能（ WE）仍然很高。通过展示
在这些条件下处理，在处理的数据
存储器位置上呈现的数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚留在高Z状态时，无论
CE
or
OE
是高还是
WE
是低的。
为P4C1256封装选项包括28引脚300密耳
DIP和SOJ封装。对于军用温度范围内，
陶瓷DIP和LCC封装。
功能框图
行选择
A
销刀豆网络gurations
VCC
A2
A1
A0
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
(8)
A
262,144-BIT
内存
ARRAY
WE
A14
A13
A12
A2
A3
A4
A5
4
3
A0
2
1
NC
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
NC
I/O1
5
6
7
8
9
10
11
12
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
WE
A14
A 13
A 12
A 11
NC
OE
A 10
CE
I/O8
I/O7
I / O
1
A
11
OE
A
10
CE
I/0
8
I/0
7
I/0
6
I/0
5
I/0
4
A6
列I / O
输入
数据
控制
A7
A8
A9
I / O
2
I/0
1
I/0
2
COLUMN
SELECT
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O2
I/O3
GND
I/O4
I/O5
I/O6
NC
I/0
3
GND
WE
CE
OE
A
(7)
A
DIP （ P5 ， C5 ， D5-1 ） ， SOJ （ J5 ）
顶视图
1519B
32 LCC （ L6 ）
顶视图
请参见选型指南页28引脚LCC
意味着质量，服务和速度
1Q97
117
P4C1256
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作
温度和电源电压
Grade(2)
军事
产业
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
8
10
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输出低电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输入漏电流
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
米尔。
印第安纳州/ Com'l 。
2.4
–10
–5
–10
–5
___
___
___
___
+10
+5
+10
+5
45
30
20
10
测试条件
P4C1256
民
最大
2.2
V
CC
+0.5
0.8
–0.5
(3)
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
–0.5
(3)
0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
输出漏电流
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
米尔。
V
OUT
= GND到V
CC
印第安纳州/ Com'l 。
CE
≥
V
IH
or
米尔。
备用电源
电流（ TTL电平输入） CE
2
≤V
IL
, V
CC
=最大工业/ Com'l 。
F =最大值，输出打开
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
CE
≥
V
HC
or
米尔。
CE
2
≤V
LC
, V
CC
=最大工业/ Com'l 。
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
mA
I
SB1
mA
N / A =不适用
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
118
P4C1256
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
I
CC
动态工作电流*工业
军事
–12
170
不适用
不适用
–15
160
170
不适用
–20
155
165
170
–25
150
160
165
–35
145
155
160
–45
不适用
150
155
–55
不适用
不适用
150
–70
不适用
不适用
150
单位
mA
mA
mA
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
.
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
参数
-12
-15
15
-20
20
-25
25
-35
35
-45
45
-55
55
-70
70
单位
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
读周期时间12
地址访问
时间
芯片使能
存取时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
OUTPUT ENABLE
低到数据
有效
OUTPUT ENABLE
低到低Z
OUTPUT ENABLE
高到高阻
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
掉电
时间
0
12
0
5
0
15
2
2
5
5
12
12
2
2
8
7
15
15
2
2
20
20
3
3
9
9
25
25
3
3
11
10
35
35
3
3
15
15
45
45
3
3
20
20
55
55
3
3
25
25
70
70
ns
ns
ns
ns
30
30
ns
ns
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
0
7
0
9
0
20
0
11
0
20
0
15
0
20
0
20
0
25
0
25
0
30
0
30
0
35
ns
ns
ns
ns
119
P4C1256
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
WC
t
CW
参数
-12
-15
15
10
-20
20
15
-25
25
18
-35
35
22
-45
45
30
-55
55
35
-70
70
40
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
写周期时间12
芯片使能
时间结束
写
地址有效到
写结束
地址建立
时间
写脉冲
宽度
地址保持
时间
数据有效到
写结束
日期保持时间
写使能到
在高Z输出
输出活动
3
从写结束
9
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
9
0
9
0
8
0
7
10
0
11
0
9
0
8
3
15
0
15
0
11
0
10
3
20
0
18
0
13
0
11
3
25
0
22
0
15
0
15
5
35
0
25
0
20
0
18
5
40
0
30
0
25
0
25
0
45
0
35
0
30
0
30
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期号1 （我们控制）
(6)
WE
TWC
地址
TCW
CE
(9)
TAW
TWP
WE
TAS
DATA IN
TWZ
(7)
(4)
TAH
TDW
数据有效
TDH
拖车
(4,7)
数据输出
数据中，未定义
高阻抗
注意事项：
6.
CE
1
和
WE
必须是低的写周期。
7.
OE
为低电平的写周期显示吨
WZ
和T
OW
.
8.如果
CE
1
云同时高
WE
高，输出遗体
在高阻抗状态。
9.写周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
121
P4C1256
P4C1256
高速32K ×8
静态CMOS RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 12/15/20/25/35 NS （商业）
- 15/20/25/35/45 NS （工业）
- 20/25/35/45/55/70 NS （军事）
低功耗
- 880 mW的活动（商业）
单5V
±
10 ％的电力供应
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
快速吨
OE
自动断电
套餐
-28引脚300密耳DIP和SOJ
-28引脚600密耳陶瓷DIP
-28引脚LCC （ 350密耳× 550密耳）
-32引脚LCC （ 450密耳× 550密耳）
描述
该P4C1256是262,144位高速CMOS
静态RAM组织为32Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
存取时间快12纳秒允许大大
增强的系统的运行速度。 CMOS是利用
降低功率消耗，以较低的水平。该
P4C1256是一个家庭的PACE RAM 的精良的成员
UCTS提供快速的存取时间。
该P4C1256设备提供了异步操作
匹配的访问和周期时间。存储器单元
在地址管脚指定的
0
到A
14
。阅读是accom-
通过设备选择（ CE和输出使能plished （ OE ）
而写使能（ WE）仍然很高。通过展示
在这些条件下处理，在处理的数据
存储器位置上呈现的数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚留在高Z状态时，无论
CE
or
OE
是高还是
WE
是低的。
为P4C1256封装选项包括28引脚300密耳
DIP和SOJ封装。对于军用温度范围内，
陶瓷DIP和LCC封装。
功能框图
行选择
A
销刀豆网络gurations
VCC
A2
A1
A0
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
(8)
A
262,144-BIT
内存
ARRAY
WE
A14
A13
A12
A2
A3
A4
A5
4
3
A0
2
1
NC
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
NC
I/O1
5
6
7
8
9
10
11
12
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
WE
A14
A 13
A 12
A 11
NC
OE
A 10
CE
I/O8
I/O7
I / O
1
A
11
OE
A
10
CE
I/0
8
I/0
7
I/0
6
I/0
5
I/0
4
A6
列I / O
输入
数据
控制
A7
A8
A9
I / O
2
I/0
1
I/0
2
COLUMN
SELECT
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O2
I/O3
GND
I/O4
I/O5
I/O6
NC
I/0
3
GND
WE
CE
OE
A
(7)
A
DIP （ P5 ， C5 ， D5-1 ） ， SOJ （ J5 ）
顶视图
1519B
32 LCC （ L6 ）
顶视图
请参见选型指南页28引脚LCC
意味着质量，服务和速度
1Q97
117
P4C1256
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作
温度和电源电压
Grade(2)
军事
产业
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
8
10
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输出低电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输入漏电流
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
米尔。
印第安纳州/ Com'l 。
2.4
–10
–5
–10
–5
___
___
___
___
+10
+5
+10
+5
45
30
20
10
测试条件
P4C1256
民
最大
2.2
V
CC
+0.5
0.8
–0.5
(3)
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
–0.5
(3)
0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
输出漏电流
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
米尔。
V
OUT
= GND到V
CC
印第安纳州/ Com'l 。
CE
≥
V
IH
or
米尔。
备用电源
电流（ TTL电平输入） CE
2
≤V
IL
, V
CC
=最大工业/ Com'l 。
F =最大值，输出打开
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
CE
≥
V
HC
or
米尔。
CE
2
≤V
LC
, V
CC
=最大工业/ Com'l 。
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
mA
I
SB1
mA
N / A =不适用
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
118
P4C1256
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
I
CC
动态工作电流*工业
军事
–12
170
不适用
不适用
–15
160
170
不适用
–20
155
165
170
–25
150
160
165
–35
145
155
160
–45
不适用
150
155
–55
不适用
不适用
150
–70
不适用
不适用
150
单位
mA
mA
mA
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
.
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
参数
-12
-15
15
-20
20
-25
25
-35
35
-45
45
-55
55
-70
70
单位
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
读周期时间12
地址访问
时间
芯片使能
存取时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
OUTPUT ENABLE
低到数据
有效
OUTPUT ENABLE
低到低Z
OUTPUT ENABLE
高到高阻
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
掉电
时间
0
12
0
5
0
15
2
2
5
5
12
12
2
2
8
7
15
15
2
2
20
20
3
3
9
9
25
25
3
3
11
10
35
35
3
3
15
15
45
45
3
3
20
20
55
55
3
3
25
25
70
70
ns
ns
ns
ns
30
30
ns
ns
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
0
7
0
9
0
20
0
11
0
20
0
15
0
20
0
20
0
25
0
25
0
30
0
30
0
35
ns
ns
ns
ns
119
P4C1256
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
WC
t
CW
参数
-12
-15
15
10
-20
20
15
-25
25
18
-35
35
22
-45
45
30
-55
55
35
-70
70
40
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
写周期时间12
芯片使能
时间结束
写
地址有效到
写结束
地址建立
时间
写脉冲
宽度
地址保持
时间
数据有效到
写结束
日期保持时间
写使能到
在高Z输出
输出活动
3
从写结束
9
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
9
0
9
0
8
0
7
10
0
11
0
9
0
8
3
15
0
15
0
11
0
10
3
20
0
18
0
13
0
11
3
25
0
22
0
15
0
15
5
35
0
25
0
20
0
18
5
40
0
30
0
25
0
25
0
45
0
35
0
30
0
30
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期号1 （我们控制）
(6)
WE
TWC
地址
TCW
CE
(9)
TAW
TWP
WE
TAS
DATA IN
TWZ
(7)
(4)
TAH
TDW
数据有效
TDH
拖车
(4,7)
数据输出
数据中，未定义
高阻抗
注意事项：
6.
CE
1
和
WE
必须是低的写周期。
7.
OE
为低电平的写周期显示吨
WZ
和T
OW
.
8.如果
CE
1
云同时高
WE
高，输出遗体
在高阻抗状态。
9.写周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
121
QQ：2880707522 复制
