P4C1049/P4C1049L
高速512K ×8
静态CMOS RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 15/20/25 NS （商业）
- 20/25/35 NS （工业）
- 20/25/35/45/55/70 NS （军事）
低功耗
单5V ± 10 ％电源
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
自动断电
套餐
-36引脚SOJ （ 400万）
-36引脚FLATPACK
-36引脚LCC （ 452密耳× 920密耳）
描述
该P4C1049是4兆的高速CMOS
静态RAM组织为512Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
存取时间快15纳秒允许大大
增强的系统的运行速度。 CMOS是利用
降低功率消耗，以较低的水平。该P4C1049
是一个家庭的RAM PACE 产品中的一员优惠 -
荷兰国际集团的快速存取时间。
该P4C1049设备提供异步操作
与之相配的访问和周期时间。存储器地址
系统蒸发散是在地址管脚指定的
0
到A
18
。阅读是
通过设备选择（ CE ）和输出恩完成
abling （ OE ），而写使能（ WE）仍然很高。通过
在这些条件下呈现的地址，该数据
在寻址的存储位置，提出在
数据输入/输出管脚。的输入/输出管脚留在
高Z状态时，无论
CE
or
OE
是高还是
WE
is
低。
功能框图
销刀豆网络gurations
焊接密封
FLATPACK （FS -4）的
SOJ （ J9 ）
LCC （ L11 ）
1519B
文档＃
SRAM128
转或
1
修订后的2005年10月
P4C1049
数据保持特性（ P4C1049L军用温度只）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
*T
A
= +25°C
§t
RC
=读周期时间
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到
数据保存时间
手术恢复时间
测试Conditons
民
3.0
TYP 。 *
V
CC
= 3.0V
最大
V
CC
= 3.0V
单位
V
CE
≥
V
CC
–0.2V,
V
IN
≥
V
CC
–0.2V
或V
IN
≤
0.2V
0
t
RC =
2
3
mA
ns
ns
此参数是保证，但未经测试。
数据保存波形
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
I
CC
动态工作电流*
产业
军事
–15
220
不适用
不适用
–20
185
190
200
–25
180
185
195
–35
不适用
175
185
–45
不适用
不适用
175
–55
不适用
不适用
170
–70
不适用
不适用
165
单位
mA
mA
mA
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
.
文档＃
SRAM128
转或
第12页3
P4C1049
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址输出保持
变化
芯片使能到输出的
低Z
芯片禁用到输出的
高Z
输出使能低到数据
有效
输出使能低到低Z
输出使能高到高Z
芯片使能上电
时间
芯片禁用断电
时间
-15
15
15
15
3
3
8
7
0
7
0
15
0
0
3
3
20
-20
25
20
20
3
3
9
9
0
9
0
20
-25
35
25
25
3
3
11
10
0
10
0
25
-35
45
35
35
3
3
15
15
0
15
0
35
-45
55
45
45
3
3
20
20
0
20
0
45
-55
70
55
55
3
3
25
25
0
25
0
55
-70
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
70
70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
30
30
ns
ns
ns
30
ns
ns
70
ns
读循环中没有时序波形。 1 （ OE控制）
(5)
OE
文档＃
SRAM128
转或
第12页4
P4C1049
读循环中没有时序波形。 2 （地址控制）
(5,6)
读循环中没有时序波形。 3 （ CE控制）
(5,7)
CE
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-2.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.
WE
为高的读周期。
6.
CE
低并且
OE
为低电平读周期。
7.地址必须是有效的之前或与重合
CE
变为低电平。
8.转变是从稳态电压前测量± 200 mV的
改变，同时装载如在图1中指定的该参数是
采样，而不是100 ％测试。
9.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档＃
SRAM128
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