P4C1048L
低功耗512K ×8
CMOS静态RAM
特点
V
CC
当前
- 操作： 35毫安
- CMOS待机： 100μA
访问时间
-45/55/70/100 NS
单5伏± 10 ％电源
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
自动断电
套餐
-32引脚600密耳的塑料和陶瓷DIP
-32引脚445密耳SOP
-32引脚TSOP II
描述
该P4C1048L是4兆位低功耗CMOS静态
RAM组织为512K X 8 CMOS内存重
张塌塌米无时钟或刷新，并且有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
存取时间快45纳秒的availale 。 CMOS是
用于以降低功耗为低电平。
该P4C1048L设备提供了异步操作
化相匹配的访问和周期时间。内存
位置上的地址引脚指定的
0
到A
18
。读
ING是由设备选择（ CE低点）和完成
输出使能（ OE ），而写使能（ WE）的遗体
HIGH 。通过在这些条件呈现地址
系统蒸发散，在寻址的存储位置是前期的数据
sented上的数据输入/输出管脚。输入/输出
针留在高Z状态时，无论
CE
是高还是
WE
是低的。
该P4C1048L封装在一个32引脚445密耳胶
SOP ， 32引脚TSOP II ，或600万的塑料或陶瓷副作用
钎焊DIP封装。
功能框图
引脚配置
DIP （ P600 ， C10 ）
SOP （S12） ，TSOP II（ T4）的
顶视图
文档＃
SRAM129
修订版D
修订后的2007年7月
1
P4C1048L
推荐工作温度&电源电压
温度范围（环境）
商用（0 ° C至70 ° C）
工业级（-40° C至85°C ）
军用（ -55°C至125°C ）
电源电压
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
最大额定值
(a)
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这是绝对的收视压力
只。该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在给定的暗示
该数据表的业务部门。暴露最大额定值长时间会不利
影响器件的可靠性。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压（高达7.0V ）
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
民
-0.5
-0.5
-55
-65
最大
7.0
V
CC
+ 0.5
125
150
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
电容
(d)
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
6
8
单位
pF
pF
功耗特性VS. SPEED
符号参数
温度范围
广告
I
CC
动态工作电流产业
军事
*
-45
20
25
35
-55
20
25
35
-70
20
25
35
-100
20
25
35
mA
单位
*测试
具有输出开路，所有的地址和数据输入在最大写入周期率的变化。
该器件被连续书写，即：使
CE
和
WE
≤
V
IL
（最大） ，
OE
高。开关
输入为0V和3V 。
注意事项：
一。应力大于下最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能影响可靠性。
B 。扩展的工作温度保证有400元的气流分钟直线英尺。
。瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM129
修订版D
第12页2
P4C1048L
读周期NO 。 2 （地址控制）
CE
读周期NO 。 3 （ CE控制）
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.
CE
和
OE
为低电平的读周期。
3.地址必须是有效之前，或暗合了更高的
CE
变为低电平。
4.转变是从稳态电压测量± 200 mV的前改变，
与负载如在图1中指定的该参数进行采样，并且不
100 ％测试。
5.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档＃
SRAM129
修订版D
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