P4C1024
P4C1024
高速128K ×8
CMOS静态RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 15/17/20/25/35 NS （商业）
- 20/25/35/45 NS （工业）
单5伏
±
10 ％的电力供应
易内存扩展使用
CE
1,
CE
2
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
快速吨
OE
自动断电
套餐
-32引脚300密耳DIP和SOJ
-32引脚400密耳SOJ
描述
该P4C1024是1,048,576位高速CMOS
静态RAM组织为128Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
该P4C1024设备提供了异步操作
系统蒸发散相匹配的访问和周期时间。内存
位置上的地址引脚指定的
0
到A
16
。读
ING是由设备选择完成（ CE
1
低，
CE
2
高点）和输出使能（ OE ），而写使能
（ WE）仍然很高。由下呈现地址
这些条件下，在被寻址的存储器中的数据
的15纳秒的存取时间允许大大烯位置被呈现在该数据输入/输出管脚。该
hanced系统的运行速度。 CMOS是用来输入/输出引脚留在高Z状态时，无论
降低功率消耗，以较低的水平。该P4C1024
CE
1
or
OE
是高还是
WE
或CE
2
是低的。
是一个家庭的RAM PACE 产品中的一员优惠 -
荷兰国际集团的快速存取时间。
为P4C1024封装选项包括32引脚300
万DIP和SOJ封装以及400万SOJ 。
功能框图
行选择
A
引脚配置
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
1024.2
(9)
A
262,144-
位
内存
ARRAY
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
I / O
1
输入
数据
控制
COLUMN
I / O
I / O
2
COLUMN
SELECT
WE
CE1
CE2
OE
控制
电路
A
GND
A
1024.1
(8)
DIP （ P300 ） ， SOJ （ J300 ， J400 ）
顶视图
意味着质量，服务和速度
1Q97
141
P4C1024
推荐工作温度&电源电压
温度范围（环境）
商用（0 ° C至70 ° C）
工业级（-40° C至85°C ）
电源电压
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5
≤
V
CC
≤
5.5V
最大额定值
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这些都是绝对压力
收视率而已。该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些暗示
本数据表中的业务部门给出。暴露最大额定值长时间能
器件的可靠性产生不利影响。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压（高达7.0V ）
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
民
-0.5
-0.5
-55
-65
最大
7.0
V
CC
+ 0.5
125
150
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
DC电气特性
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
I
OS
参数
输出高电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输出低电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出短路
当前
V
CC
当前
CMOS待机电流
（ CMOS输入电平）
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
Ind'l 。
Com'l 。
Ind'l 。
Com'l 。
测试条件
I
OH
= -4mA ，V
CC
= 4.5V
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 10毫安
2.2
-0.5
-10
-5
-10
-5
民
2.4
0.4
0.5
V
CC
+ 0.3
0.8
+10
+5
+10
+5
-350
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
OUT
= GND ，V
CC
= MAX（单
输出）不超过30秒
长短
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
1
≥
V
CC
-0.2V ，CE
2
≤
0.2V
I
SB1
20
（标准）
mA
142
P4C1024
电容
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
8
10
单位
pF
pF
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
温度
范围
广告
产业
-15
190
不适用
-17
180
不适用
-20
160
175
-25
150
165
-35
145
160
-45
不适用
155
单位
mA
mA
*测试
具有输出开路，所有的地址和数据输入在最大写入周期率的变化。
该器件被连续书写，即CE启用
2
≥
V
IH
（ MIN）
CE
1
和
WE
≤
V
IL
（最大值）。切换输入是0V
和3V 。
AC电气特性 - 读周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
输出使能低
到数据有效
输出使能低
以低Z
输出使能高
到高阻
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
关机时间
0
12
0
6
0
15
-35
-45
-15
-17
-20
-25
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
15
15
15
3
3
8
6
0
7
0
20
3
3
9
7
0
9
0
20
17
17
17
3
3
9
9
0
11
0
20
20
20
20
3
3
11
10
0
15
0
25
25
25
25
3
3
15
15
0
20
35
35
35
3
3
20
20
45
45
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
143
P4C1024
交流特性 - 写周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
芯片使能时间
写的结束
地址有效到
写结束
地址建立
时间
把脉冲宽度
地址保持时间
数据有效结束
写
数据保持时间
写使能到
在高Z输出
输出活动
写结束
3
-15
-17
-45
-25
-20
-35
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
15
12
12
0
12
0
7
0
8
3
17
13
13
0
12
0
7
0
8
3
20
15
15
0
15
0
8
0
10
3
25
18
20
0
18
0
10
0
11
3
35
22
25
0
22
0
15
0
15
3
45
30
35
0
25
0
20
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期号1 （我们控制）
(6)
WE
t
WC
地址
t
CW
CE
1
(9)
CE
2
t
AW
t
WP
WE
t
AS
DATA IN
t
WZ
数据输出
(7)
(4)
t
AH
t
DW
数据有效
t
DH
t
OW
(4,7)
数据中，未定义
高阻抗
注意事项：
6.
CE
1
和
WE
低， CE
2
是高的写周期。
7.
OE
为低电平的写周期显示TWZ和拖车。
8.如果
CE
1
变为高电平或CE
2
同时变为低配
WE
高电平时，输出保持在高阻抗状态。
9.写周期时间是从最后一个有效地址到第一过渡地址进行测定。
145
QQ：2881677436 复制
