P4C1024
P4C1024
高速128K ×8
CMOS静态RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 15/17/20/25/35 NS （商业）
- 20/25/35/45 NS （工业）
单5伏
±
10 ％的电力供应
易内存扩展使用
CE
1,
CE
2
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
快速吨
OE
自动断电
套餐
-32引脚300密耳DIP和SOJ
-32引脚400密耳SOJ
描述
该P4C1024是1,048,576位高速CMOS
静态RAM组织为128Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
该P4C1024设备提供了异步操作
系统蒸发散相匹配的访问和周期时间。内存
位置上的地址引脚指定的
0
到A
16
。读
ING是由设备选择完成（ CE
1
低，
CE
2
高点）和输出使能（ OE ），而写使能
（ WE）仍然很高。由下呈现地址
这些条件下，在被寻址的存储器中的数据
的15纳秒的存取时间允许大大烯位置被呈现在该数据输入/输出管脚。该
hanced系统的运行速度。 CMOS是用来输入/输出引脚留在高Z状态时，无论
降低功率消耗，以较低的水平。该P4C1024
CE
1
or
OE
是高还是
WE
或CE
2
是低的。
是一个家庭的RAM PACE 产品中的一员优惠 -
荷兰国际集团的快速存取时间。
为P4C1024封装选项包括32引脚300
万DIP和SOJ封装以及400万SOJ 。
功能框图
行选择
A
引脚配置
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
1024.2
(9)
A
262,144-
位
内存
ARRAY
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
I / O
1
输入
数据
控制
COLUMN
I / O
I / O
2
COLUMN
SELECT
WE
CE1
CE2
OE
控制
电路
A
GND
A
1024.1
(8)
DIP （ P300 ） ， SOJ （ J300 ， J400 ）
顶视图
意味着质量，服务和速度
1Q97
141
P4C1024
推荐工作温度&电源电压
温度范围（环境）
商用（0 ° C至70 ° C）
工业级（-40° C至85°C ）
电源电压
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5
≤
V
CC
≤
5.5V
最大额定值
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这些都是绝对压力
收视率而已。该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些暗示
本数据表中的业务部门给出。暴露最大额定值长时间能
器件的可靠性产生不利影响。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压（高达7.0V ）
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
民
-0.5
-0.5
-55
-65
最大
7.0
V
CC
+ 0.5
125
150
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
DC电气特性
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
I
OS
参数
输出高电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输出低电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出短路
当前
V
CC
当前
CMOS待机电流
（ CMOS输入电平）
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
Ind'l 。
Com'l 。
Ind'l 。
Com'l 。
测试条件
I
OH
= -4mA ，V
CC
= 4.5V
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 10毫安
2.2
-0.5
-10
-5
-10
-5
民
2.4
0.4
0.5
V
CC
+ 0.3
0.8
+10
+5
+10
+5
-350
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
OUT
= GND ，V
CC
= MAX（单
输出）不超过30秒
长短
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
1
≥
V
CC
-0.2V ，CE
2
≤
0.2V
I
SB1
20
（标准）
mA
142
P4C1024
电容
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
8
10
单位
pF
pF
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
温度
范围
广告
产业
-15
190
不适用
-17
180
不适用
-20
160
175
-25
150
165
-35
145
160
-45
不适用
155
单位
mA
mA
*测试
具有输出开路，所有的地址和数据输入在最大写入周期率的变化。
该器件被连续书写，即CE启用
2
≥
V
IH
（ MIN）
CE
1
和
WE
≤
V
IL
（最大值）。切换输入是0V
和3V 。
AC电气特性 - 读周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
输出使能低
到数据有效
输出使能低
以低Z
输出使能高
到高阻
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
关机时间
0
12
0
6
0
15
-35
-45
-15
-17
-20
-25
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
15
15
15
3
3
8
6
0
7
0
20
3
3
9
7
0
9
0
20
17
17
17
3
3
9
9
0
11
0
20
20
20
20
3
3
11
10
0
15
0
25
25
25
25
3
3
15
15
0
20
35
35
35
3
3
20
20
45
45
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
143
P4C1024
交流特性 - 写周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
芯片使能时间
写的结束
地址有效到
写结束
地址建立
时间
把脉冲宽度
地址保持时间
数据有效结束
写
数据保持时间
写使能到
在高Z输出
输出活动
写结束
3
-15
-17
-45
-25
-20
-35
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
15
12
12
0
12
0
7
0
8
3
17
13
13
0
12
0
7
0
8
3
20
15
15
0
15
0
8
0
10
3
25
18
20
0
18
0
10
0
11
3
35
22
25
0
22
0
15
0
15
3
45
30
35
0
25
0
20
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期号1 （我们控制）
(6)
WE
t
WC
地址
t
CW
CE
1
(9)
CE
2
t
AW
t
WP
WE
t
AS
DATA IN
t
WZ
数据输出
(7)
(4)
t
AH
t
DW
数据有效
t
DH
t
OW
(4,7)
数据中，未定义
高阻抗
注意事项：
6.
CE
1
和
WE
低， CE
2
是高的写周期。
7.
OE
为低电平的写周期显示TWZ和拖车。
8.如果
CE
1
变为高电平或CE
2
同时变为低配
WE
高电平时，输出保持在高阻抗状态。
9.写周期时间是从最后一个有效地址到第一过渡地址进行测定。
145
P4C1024
P4C1024
高速128K ×8
CMOS静态RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 15/17/20/25/35 NS （商业）
- 20/25/35/45 NS （工业）
单5伏
±
10 ％的电力供应
易内存扩展使用
CE
1,
CE
2
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
快速吨
OE
自动断电
套餐
-32引脚300密耳DIP和SOJ
-32引脚400密耳SOJ
描述
该P4C1024是1,048,576位高速CMOS
静态RAM组织为128Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
该P4C1024设备提供了异步操作
系统蒸发散相匹配的访问和周期时间。内存
位置上的地址引脚指定的
0
到A
16
。读
ING是由设备选择完成（ CE
1
低，
CE
2
高点）和输出使能（ OE ），而写使能
（ WE）仍然很高。由下呈现地址
这些条件下，在被寻址的存储器中的数据
的15纳秒的存取时间允许大大烯位置被呈现在该数据输入/输出管脚。该
hanced系统的运行速度。 CMOS是用来输入/输出引脚留在高Z状态时，无论
降低功率消耗，以较低的水平。该P4C1024
CE
1
or
OE
是高还是
WE
或CE
2
是低的。
是一个家庭的RAM PACE 产品中的一员优惠 -
荷兰国际集团的快速存取时间。
为P4C1024封装选项包括32引脚300
万DIP和SOJ封装以及400万SOJ 。
功能框图
行选择
A
引脚配置
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
1024.2
(9)
A
262,144-
位
内存
ARRAY
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
I / O
1
输入
数据
控制
COLUMN
I / O
I / O
2
COLUMN
SELECT
WE
CE1
CE2
OE
控制
电路
A
GND
A
1024.1
(8)
DIP （ P300 ） ， SOJ （ J300 ， J400 ）
顶视图
意味着质量，服务和速度
1Q97
141
P4C1024
推荐工作温度&电源电压
温度范围（环境）
商用（0 ° C至70 ° C）
工业级（-40° C至85°C ）
电源电压
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5
≤
V
CC
≤
5.5V
最大额定值
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这些都是绝对压力
收视率而已。该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些暗示
本数据表中的业务部门给出。暴露最大额定值长时间能
器件的可靠性产生不利影响。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压（高达7.0V ）
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
民
-0.5
-0.5
-55
-65
最大
7.0
V
CC
+ 0.5
125
150
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
DC电气特性
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
I
OS
参数
输出高电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输出低电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出短路
当前
V
CC
当前
CMOS待机电流
（ CMOS输入电平）
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
Ind'l 。
Com'l 。
Ind'l 。
Com'l 。
测试条件
I
OH
= -4mA ，V
CC
= 4.5V
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 10毫安
2.2
-0.5
-10
-5
-10
-5
民
2.4
0.4
0.5
V
CC
+ 0.3
0.8
+10
+5
+10
+5
-350
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
OUT
= GND ，V
CC
= MAX（单
输出）不超过30秒
长短
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
1
≥
V
CC
-0.2V ，CE
2
≤
0.2V
I
SB1
20
（标准）
mA
142
P4C1024
电容
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
8
10
单位
pF
pF
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
温度
范围
广告
产业
-15
190
不适用
-17
180
不适用
-20
160
175
-25
150
165
-35
145
160
-45
不适用
155
单位
mA
mA
*测试
具有输出开路，所有的地址和数据输入在最大写入周期率的变化。
该器件被连续书写，即CE启用
2
≥
V
IH
（ MIN）
CE
1
和
WE
≤
V
IL
（最大值）。切换输入是0V
和3V 。
AC电气特性 - 读周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
输出使能低
到数据有效
输出使能低
以低Z
输出使能高
到高阻
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
关机时间
0
12
0
6
0
15
-35
-45
-15
-17
-20
-25
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
15
15
15
3
3
8
6
0
7
0
20
3
3
9
7
0
9
0
20
17
17
17
3
3
9
9
0
11
0
20
20
20
20
3
3
11
10
0
15
0
25
25
25
25
3
3
15
15
0
20
35
35
35
3
3
20
20
45
45
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
143
P4C1024
交流特性 - 写周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
芯片使能时间
写的结束
地址有效到
写结束
地址建立
时间
把脉冲宽度
地址保持时间
数据有效结束
写
数据保持时间
写使能到
在高Z输出
输出活动
写结束
3
-15
-17
-45
-25
-20
-35
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
15
12
12
0
12
0
7
0
8
3
17
13
13
0
12
0
7
0
8
3
20
15
15
0
15
0
8
0
10
3
25
18
20
0
18
0
10
0
11
3
35
22
25
0
22
0
15
0
15
3
45
30
35
0
25
0
20
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期号1 （我们控制）
(6)
WE
t
WC
地址
t
CW
CE
1
(9)
CE
2
t
AW
t
WP
WE
t
AS
DATA IN
t
WZ
数据输出
(7)
(4)
t
AH
t
DW
数据有效
t
DH
t
OW
(4,7)
数据中，未定义
高阻抗
注意事项：
6.
CE
1
和
WE
低， CE
2
是高的写周期。
7.
OE
为低电平的写周期显示TWZ和拖车。
8.如果
CE
1
变为高电平或CE
2
同时变为低配
WE
高电平时，输出保持在高阻抗状态。
9.写周期时间是从最后一个有效地址到第一过渡地址进行测定。
145
P4C1024
高速128K ×8
双芯片使能
CMOS静态RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 15/20/25/35 NS （商业）
- 20/25/35/45 NS （工业）
- 20/25/35/45/55/70/85/100/120 NS （军事）
单5伏± 10 ％电源
易内存扩展使用
CE
1,
CE
2
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
快速吨
OE
自动断电
套餐
-32引脚300密耳DIP和SOJ
-32引脚400密耳SOJ
-32引脚600密耳陶瓷DIP
-32引脚400密耳陶瓷DIP
-32引脚焊锡密封扁平
-32引脚LCC （ 450 ×500密耳）
-32引脚陶瓷SOJ
描述
该P4C1024是1,048,576位高速CMOS
静态RAM组织为128Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
15纳秒访问时间允许大大恩
hanced系统的运行速度。 CMOS被利用来
降低功率消耗，以较低的水平。该P4C1024
是一个家庭的RAM PACE 产品中的一员优惠 -
荷兰国际集团的快速存取时间。
该P4C1024设备提供了异步操作
系统蒸发散相匹配的访问和周期时间。内存
位置上的地址引脚指定的
0
到A
16
.
读是由设备选择完成（ CE
1
低
和CE
2
高点）和输出使能（ OE ），而写
使能（ WE）仍然很高。通过提供这种吸附
在这些条件下穿着，该数据在AD-
穿着存储器位置被呈现在该数据
输入/输出管脚。的输入/输出管脚留在
高Z状态时，无论
CE
1
or
OE
是高还是
WE
或CE
2
是低的。
功能框图
引脚配置
DIP（ P300， C10，C11 ） ，
SOJ （ J300 ， J400 ， CJ1 ）
焊锡密封
FLATPACK （ FS - 3 ）相似
LCC （ L6 ）
文档＃
SRAM124
REV A
修订后的2005年10月
P4C1024
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
(2)
军事
产业
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
0V
V
CC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
8
10
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
CD
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入钳位二极管电压V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
输出低电压
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
（ TTL负载）
输出高电压
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
（ TTL负载）
V
CC
=最大。
米尔。
输入漏电流
V
IN
= GND到V
CC
印第安纳州/ Com'l 。
输出漏电流
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
米尔。
印第安纳州/ Com'l 。
测试条件
P4C1024
民
最大
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
V
CC
+0.5
0.8
0.2
–1.2
0.4
2.4
–10
–5
–10
–5
___
___
+10
+5
+10
+5
35
30
2.4
–5
不适用
–5
不适用
___
___
+5
不适用
+5
不适用
25
不适用
P4C1024L
民
最大
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
V
CC
+0.5
0.8
0.2
–1.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5 V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
I
SB
备用电源
电流（ TTL电平输入）
CE
1
≥
V
IH
or
米尔。
CE
2
≤V
IL
,
印第安纳州/ Com'l 。
V
CC
=最大，
F =最大值，输出打开
CE
1
≥
V
HC
or
米尔。
CE
2
≤V
LC
,
印第安纳州/ Com'l 。
V
CC
=最大，
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
I
SB1
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
___
___
25
20
___
___
2
不适用
mA
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM124
REV A
第14页2
P4C1024
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
I
CC
动态工作电流*工业
军事
-15
-20
-25
-35
-45
-55
-70
-85 -100 -120
单位
mA
mA
mA
190 160 150 145 N / A N / A N / A N / A N / A N / A
N / A 175 165 160 155 N / A N / A N / A N / A N / A
N / A 150 140 135 130 125 115 110 105 100
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。 CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
， OE = V
IH
数据保持特性（ P4C1024L ，军用温度只）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
*
T
A
= +25°C
§
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到
数据保存时间
手术恢复时间
测试条件
民
2.0
TYP 。 *
V
CC
=
2.0V
3.0V
50
200
最大
V
CC
=
2.0V
3.0V
400
600
单位
V
A
ns
CE
1
≥
V
CC
- 0.2V或
CE
2
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
– 0.2V
或V
IN
≤
0.2V
t
RC =
ns
t
RC
=读周期时间
此参数是保证，但未经测试。
数据保存波形
文档＃
SRAM124
REV A
第14页3
P4C1024
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
参数
读周期
时间
地址
存取时间
芯片使能
存取时间
输出保持
从地址
变化
芯片使能到
在低Z输出
芯片被禁止
到输出的
高Z
OUTPUT ENABLE
低到数据
有效
OUTPUT ENABLE
低到低Z
OUTPUT ENABLE
高到高阻
芯片使能到
上电
时间
芯片被禁止
断电
时间
0
0
7
0
3
-15
-20
-25
-35
-45
-55
-70
-85
-100
-120
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
15
15
15
3
20
20
20
3
25
25
25
3
35
35
35
3
45
45
45
3
55
55
55
3
70
70
70
3
85
85
85
3
100
100
100
3
120
120
120
ns
ns
ns
ns
t
LZ
t
HZ
3
8
3
9
3
11
3
15
3
20
3
25
3
30
3
35
3
40
3
50
ns
ns
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
7
0
9
0
9
0
11
0
11
0
15
0
15
0
20
0
20
0
25
0
25
0
30
0
30
0
35
0
35
0
40
0
40
0
50
ns
ns
50
ns
ns
t
PD
12
20
20
20
25
30
35
40
45
50
ns
读循环中没有时序波形。 1 （ OE控制）
(5)
OE
注意事项：
5.
WE
为高的读周期。
6.
CE
1
为低电平，CE
2
为HIGH和
OE
为低电平读周期。
7.地址必须是有效的之前或与重合
CE
1
过渡
LOW和CE
2
变为高电平。
8.转变是从稳态电压前测量± 200 mV的
改变，同时装载如在图1中指定的该参数是
采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM124
REV A
第14页4
P4C1024
TIMINIG WAVERFORM读循环中没有。 2 （地址控制）
(5,6)
CE
读循环中没有时序波形。 3 （ CE
1
，CE
2
控制）
(5,7,10)
注意事项：
9.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
造成芯片使能控制10转换也有类似的延误
不论
CE
1
或CE
2
导致他们。
文档＃
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REV A
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