P4C1023/P4C1023L
低功耗128K ×8
单芯片使能
CMOS静态RAM
特点
V
CC
当前
- 操作： 35毫安
- CMOS待机： 100μA
访问时间
-55/70 NS
单5伏± 10 ％电源
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
自动断电
套餐
-32针400或600万陶瓷DIP
-32引脚陶瓷SOJ
描述
该P4C1023L是1兆位低功耗CMOS静态
RAM组织为128K X 8 CMOS内存重
张塌塌米无时钟或刷新，并且有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM采用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。
55纳秒和70 ns访问时间availale 。 CMOS是
用于以降低功耗为低电平。
该P4C1023L设备提供了异步操作
化相匹配的访问和周期时间。内存
位置上的地址引脚指定的
0
到A
16
。读
ING是由设备选择（ CE低点）和完成
输出使能（ OE ），而写使能（ WE）的遗体
HIGH 。通过在这些条件呈现地址
系统蒸发散，在寻址的存储位置是前期的数据
sented上的数据输入/输出管脚。输入/输出
针留在高Z状态时，无论
CE
是高还是
WE
是低的。
该P4C1023L打包在一个32针400或600密耳
陶瓷DIP封装和32引脚的陶瓷SOJ 。
功能框图
引脚配置
DIP （ C10 ， C11 ），陶瓷SOJ （ CJ1 ）
顶视图
文档＃
SRAM126
转或
修订后的2005年10月
1
P4C1023/P4C1023L
推荐工作温度&电源电压
温度范围（环境）
商用（0 ° C至70 ° C）
工业级（-40° C至85°C ）
军用（ -55°C至125°C ）
电源电压
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
最大额定值
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这些都是绝对压力额定值只。
该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在操作给出的暗示
本数据手册的tional部分。暴露最大额定值长时间可以产生不利影响的设备
可靠性。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压（高达7.0V ）
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
民
-0.5
-0.5
-55
-65
最大
7.0
V
CC
+ 0.5
125
150
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
DC电气特性
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
参数
输出高电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输出低电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
通信。
产业
军事
通信。
产业
军事
I
SB
V
CC
当前
TTL待机电流
（ TTL电平输入）
V
CC
当前
CMOS待机电流
（ CMOS输入电平）
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
1
= V
IH
或CE
2
= V
IL
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
1
≥
V
CC
-0.2V ，CE
2
≤
0.2V
100
A
测试条件
I
OH
= -1mA ，V
CC
= 4.5V
I
OL
= 2.1毫安
2.2
-0.3
-2
-5
-10
-2
-5
-10
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+2
+5
+10
+2
+5
+10
3
mA
最大
单位
V
V
V
V
A
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
I
LO
输出漏电流
CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
A
I
SB1
文档＃
SRAM126
转或
第11 2
P4C1023/P4C1023L
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
7
9
单位
pF
pF
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
I
CC
动态工作电流
产业
军事
注1
-55
-70
20
25
35
20
25
35
mA
单位
注1 -
经过测试与产出开放，所有的地址和数据输入在最大写入周期率的变化。
该器件被连续书写，即CE启用
2
≥
V
IH
（ MIN）
CE
1
和
WE
≤
V
IL
（最大） ，
OE
高。开关
输入为0V和3V 。
AC电气特性 - 读周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
输出使能低
到数据有效
输出使能低到
低Z
输出使能高
到高阻
芯片使能到电源
运行时间
芯片禁用到
关机时间
0
55
5
20
0
70
-55
民
55
55
55
5
10
20
30
5
25
5
10
25
35
最大
民
70
70
70
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
文档＃
SRAM126
转或
第11 3
P4C1023/P4C1023L
交流特性 - 写周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
芯片使能时间
写的结束
地址有效到
写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
地址保持时间
数据有效结束
写
数据保持时间
写使能到
在高Z输出
输出活动
写结束
5
-55
民
55
50
50
0
40
0
25
0
25
5
最大
民
70
60
60
0
50
0
30
0
30
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期号1 （我们控制）
(6)
WE
注意事项：
6.
CE
和
WE
为低电平的写周期。
7.
OE
为低电平的写周期显示TWZ和拖车。
8.写周期时间是从最后一个有效地址的第一个过渡的地址进行测量。
文档＃
SRAM126
转或
第11个5
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