P3C1256
高速32K ×8
3.3V CMOS静态RAM
特点
3.3V电源
高速（平等机会和循环时间）
- 12/15/20/25 NS （商业）
- 15/20/25 NS （工业）
低功耗
单3.3伏± 0.3Volts电源
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
自动断电
套餐
-28引脚TSOP和SOJ
描述
该P3C1256是262,144位高速CMOS
静态RAM组织为32Kx8 。 CMOS内存
不需要时钟或刷新，并具有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM从一个单一的3.3V ± 0.3V电源容差工作
供应量。
存取时间快12纳秒允许大大
增强的系统的运行速度。 CMOS是利用
降低功率消耗，以较低的水平。该
P3C1256是一个家庭的PACE RAM 的精良的成员
UCTS提供快速的存取时间。
该P3C1256设备提供异步操作
与之相配的访问和周期时间。存储器地址
系统蒸发散是在地址管脚指定的
0
到A
14
。阅读是
通过设备选择（ CE和输出恩完成
abling （ OE ），而写使能（ WE）仍然很高。通过
在这些条件下呈现的地址，该数据
在寻址的存储位置，提出在
数据输入/输出管脚。的输入/输出管脚留在
高Z状态时，无论
CE
or
OE
是高还是
WE
is
低。
为P3C1256封装选项包括28引脚TSOP
和SOJ封装。
功能框图
销刀豆网络gurations
SOJ （ J5 ）
1519B
顶视图
请查阅技术资料的结束TSOP引脚配置
文档＃
SRAM122
版本B
1
修订后的2006年8月
P3C1256
推荐工作温度&电源电压
温度范围（环境）
商用（0 ° C至70 ° C）
工业级（-40° C至85°C ）
电源电压
3.0V
≤
V
CC
≤
3.6V
3.0
≤
V
CC
≤
3.6V
最大额定值
(1)
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这是绝对的收视压力
只。该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在给定的暗示
该数据表的业务部门。暴露最大额定值长时间会不利
影响器件的可靠性。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压（高达7.0V ）
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
民
-0.5
-0.5
-40
-55
最大
7.0
V
CC
+ 0.5
85
125
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
DC电气特性
（在推荐的工作温度&电源电压）
(2)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
I
SB
I
SB1
参数
输出高电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输出低电压
（ I / O
0
- I / O
8
)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
当前
TTL待机电流
V
CC
当前
CMOS待机电流
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
CE
= V
CC
V
CC
= 3.6V ，我
OUT
= 0毫安
CE
= V
CC
V
CC
= 3.6V ，我
OUT
= 0毫安
CE
= V
CC
测试条件
I
OH
= -4mA ，V
CC
= 3.0V
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 10毫安
2.2
-0.5
(3)
-5
-5
民
2.4
0.4
0.5
V
CC
+ 0.3
0.8
+5
+5
20
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
3
mA
文档＃
SRAM122
版本B
第10 2
P3C1256
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
10
10
单位
pF
pF
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
温度
TEST
范围
条件
广告
产业
*
*
-12
110
不适用
-15
100
115
-20
95
110
-25
90
105
单位
mA
mA
*测试
具有输出开路，所有的地址和数据输入在最大写入周期率的变化。
该器件被连续进行写入使能，即
CE，
和
WE
≤
V
IL
（最大） ，
OE
高。切换输入是0V
和3V 。
AC电气特性 - 读周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
输出使能低
到数据有效
输出使能低到
低Z
输出使能高
到高阻
芯片使能到电源
运行时间
芯片禁用到
关机时间
0
12
0
6
0
15
-12
民
12
12
12
2
2
7
7
0
7
0
20
2
2
8
9
0
9
0
20
最大
民
15
15
15
2
2
9
11
0
10
-15
最大
民
20
20
20
2
2
10
12
-20
最大
民
25
25
25
-25
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
文档＃
SRAM122
版本B
第10 3
P3C1256
读循环中没有时序波形。 1 （ OE控制）
(5)
OE
读循环中没有时序波形。 2 （地址控制）
(5,6)
读循环中没有时序波形。 3 （ CE控制）
(5,7)
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.
WE
为高的读周期。
6.
CE
低并且
OE
为低电平读周期。
7.地址必须是有效的之前或与重合
CE
过渡
低。
8.转变是从稳态电压前测量± 200 mV的
改变，同时装载如在图1中指定的该参数是
采样，而不是100 ％测试。
9.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
转换地址。
文档＃
SRAM122
版本B
第10 4
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