P3C1041
高速256K ×16 （ 4 MEG ）
静态CMOS RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20 NS （商业）
- 20年12月15日NS （工业）
低功耗
- 325毫瓦（最大）
单3.3V ± 0.3V电源
2.0V数据保留
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
快速吨
OE
取消的时候自动断电
套餐
-44引脚SOJ ， TSOP II
描述
该P3C1041是262,144字由16位高速
CMOS静态RAM 。 CMOS存储器不需要
时钟或刷新，并具有平等的机会和周期
次。输入是完全TTL兼容。拉姆能操作
从一个单一的3.3V阿泰±0.3V电源容差
供应量。
存取时间快10纳秒允许大大
增强的系统的运行速度。 CMOS是利用
降低功率消耗，以较低的水平。该P3C1041
是一个家庭的RAM PACE 产品中的一员优惠 -
荷兰国际集团的快速存取时间。
该P3C1041设备提供异步操作
与之相配的访问和周期时间。存储器地址
系统蒸发散是在地址管脚指定的
0
到A
17
。阅读是
通过设备选择（ CE和输出恩完成
abling （ OE ），而写使能（ WE）仍然很高。通过
在这些条件下呈现的地址，该数据
在寻址的存储位置，提出在
数据输入/输出管脚。的输入/输出管脚留在
高Z状态时，无论
CE
or
OE
是高还是
WE
is
低。
为P3C1041封装选项包括44引脚SOJ
与TSOP封装。
功能框图
引脚配置
1519B
SOJ
TSOP II
文档＃
SRAM130
转或
1
修订后的2005年10月
P3C1041
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流*
温度
范围
广告
产业
–10
90
不适用
–12
85
95
–15
80
90
–20
75
85
单位
mA
mA
*V
CC
= 3.6V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
.
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用高Z输出
输出使能低到数据有效
-10
民
10
10
10
3
3
5
5
3
3
最大
民
12
-12
最大
12
12
3
3
6
6
民
15
-15
最大
15
15
3
3
7
7
民
20
-20
最大
20
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
8
8
ns
ns
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
t
BE
t
LZBE
t
HZBE
输出使能低到低Z
输出使能高到高Z
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
0
5
0
10
5
0
6
0
6
0
12
6
0
6
0
7
0
15
7
0
7
0
8
0
20
8
0
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
文档＃
SRAM130
转或
第10 3
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