P3C1024L
超低功耗128K ×8
CMOS静态RAM
特点
V
CC
电流（商业/工业）
- 运行： 10毫安/ 12毫安
- CMOS待机： 10μA / 10μA
访问时间
-55/70 （商业或工业）
单3.3伏± 0.3V电源
易内存扩展使用
CE
1,
CE
2
和
OE
输入
通用数据的I / O
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
自动断电
套餐
-32引脚445密耳SOP
-32引脚TSOP
描述
该P3C1024L是1,048,576位低功耗CMOS静态
RAM组织为128Kx8 。 CMOS内存重
张塌塌米无时钟或刷新，并且有平等的机会
和循环时间。输入是完全TTL兼容。该
RAM从一个单一的3.3V ± 0.3V电源容差工作
供应量。
55纳秒和70 ns访问时间availale 。 CMOS是
用于以降低功耗为低电平。
该P3C1024L设备提供了异步操作
化相匹配的访问和周期时间。内存
位置上的地址引脚指定的
0
到A
16
。读
ING是由设备选择完成（ CE
1
低，
CE
2
高点）和输出使能（ OE ），而写使能
（ WE）仍然很高。由下呈现地址
这些条件下，在被寻址的存储器中的数据某一地址
阳离子上呈现的数据输入/输出管脚。该
输入/输出引脚留在高Z状态时，无论
CE
1
or
OE
是高还是
WE
或CE
2
是低的。
该P3C1024L打包在一个32针TSOP和445
万SOP 。
功能框图
引脚配置
SOP （S12）
顶视图
请查阅技术资料的TSOP引脚配置结束。
文档＃
SRAM132
转或
修订后的2006年4月
1
P3C1024L
推荐工作温度&电源电压
温度范围（环境）
商用（0 ° C至70 ° C）
工业级（-40° C至85°C ）
电源电压
3.0V
≤
V
CC
≤
3.6V
3.0V
≤
V
CC
≤
3.6V
最大额定值
(1)
强调以上所列可能导致器件的永久性损坏。这是绝对的收视压力
只。该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在给定的暗示
该数据表的业务部门。暴露最大额定值长时间会不利
影响器件的可靠性。
符号
V
CC
V
TERM
T
A
S
TG
I
OUT
I
LAT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
工作环境温度
储存温度
输出电流为低电压输出
闩锁电流
>200
民
-0.3
-0.3
-55
-65
最大
3.9
V
CC
+ 0.3
125
150
20
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
DC电气特性
（在推荐的工作温度&电源电压）
(2)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输出高电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输出低电压
（ I / O
0
- I / O
7
)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
当前
TTL待机电流
（ TTL电平输入）
V
CC
当前
CMOS待机电流
（ CMOS输入电平）
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
V
CC
= 3.6V ，我
OUT
= 0毫安
CE
1
= V
IH
或CE
2
= V
IL
V
CC
= 5.5V ，我
OUT
= 0毫安
CE
1
≥
V
CC
-0.2V ，CE
2
≤
0.2V
Ind'l 。
Com'l 。
Ind'l 。
Com'l 。
测试条件
I
OH
= -1mA ，V
CC
= 3.3V
I
OL
= 2.1毫安
2.2
-0.3
-2
-1
-2
-1
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+2
+1
+2
+1
3
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
10
A
文档＃
SRAM132
转或
第2 9
P3C1024L
电容
(4)
(V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
8
9
单位
pF
pF
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
产业
12
10
mA
温度范围
广告
-55
10
-70
8
单位
mA
经过测试与产出开放，所有的地址和数据输入在最大写入周期率的变化。
该器件被连续书写，即CE启用
2
≥
V
IH
（ MIN）
CE
1
和
WE
≤
V
IL
（最大） ，
OE
高。开关
输入为0V和3V 。
AC电气特性 - 读周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
输出使能低
到数据有效
输出使能低到
低Z
输出使能高
到高阻
芯片使能到电源
运行时间
芯片禁用到
关机时间
0
55
5
20
0
70
-55
民
55
55
55
10
10
20
25
5
25
10
10
25
35
最大
民
70
70
70
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
文档＃
SRAM132
转或
第3 9
P3C1024L
交流特性 - 写周期
（在推荐的工作温度&电源电压）
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
芯片使能时间
写的结束
地址有效到
写结束
地址建立
时间
把脉冲宽度
地址保持
时间
数据有效结束
写
数据保持时间
写使能到
在高Z输出
输出活动
写结束
10
-55
民
55
40
40
0
40
0
25
0
20
10
最大
民
70
60
60
0
50
0
30
0
25
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期号1 （我们控制）
(6)
WE
注意事项：
6.
CE
1
和
WE
低， CE
2
是高的写周期。
7.
OE
为低电平的写周期显示TWZ和拖车。
8.如果
CE
1
变为高电平或CE
2
同时变为低配
WE
高电平时，输出保持在高阻抗状态。
9.写周期时间是从最后一个有效地址到第一过渡地址进行测定。
文档＃
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第5 9
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