P3C1011
高速128K ×16 （ 2 MEG ）
静态CMOS RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20 NS （商业）
- 20年12月15日NS （工业）
- 20/25/35 （军事）
低功耗
- 360毫瓦（最大）
单3.3V ± 0.3V电源
2.0V数据保留
易内存扩展使用
CE
和
OE
输入
充分TTL兼容输入和输出
先进的CMOS技术
快速吨
OE
取消的时候自动断电
套餐
-44引脚SOJ ， TSOP II
描述
该P3C1011是131,072字由16位高速
CMOS静态RAM 。 CMOS存储器不需要
时钟或刷新，并具有平等的机会和周期
次。输入是完全TTL兼容。拉姆能操作
从一个单一的3.3V阿泰±0.3V电源容差
供应量。
存取时间快10纳秒允许大大
增强的系统的运行速度。 CMOS是利用
降低功率消耗，以较低的水平。该P3C1011
是一个家庭的RAM PACE 产品中的一员优惠 -
荷兰国际集团的快速存取时间。
该P3C1011设备提供异步操作
与之相配的访问和周期时间。存储器地址
系统蒸发散是在地址管脚指定的
0
到A
17
。阅读是
通过设备选择（ CE和输出恩完成
abling （ OE ），而写使能（ WE）仍然很高。通过
在这些条件下呈现的地址，该数据
在寻址的存储位置，提出在
数据输入/输出管脚。的输入/输出管脚留在
高Z状态时，无论
CE
or
OE
是高还是
WE
is
低。
对于读写，字节使能控制线
（ BLE用于I / O
0-7
和
BHE
对于I / O
8-15
一个）可以选择
只有16个I / O线的8如果需要的话。当一个字节
使能控制线为高电平，对应的I / O是
活跃的。
为P3C1011封装选项包括44引脚SOJ和
TSOP封装。
功能框图
引脚配置
1519B
SOJ
TSOP II
文档＃
SRAM131
转或
修订后的2006年3月
1
P3C1011
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
I
CC
动态工作电流*工业
军事
–10
90
不适用
不适用
–12
85
95
不适用
–15
80
90
不适用
–20
75
85
100
–25
70
80
95
–35
65
75
90
单位
mA
mA
mA
*V
CC
= 3.6V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
.
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用高Z输出
输出使能低到数据有效
3
3
-10
10
10
10
3
3
5
5
12
-12
15
12
12
3
3
6
6
-15
20
15
15
3
3
7
7
-20
-25
-35
单位
ns
35
35
ns
ns
ns
ns
12
12
ns
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
25
20
20
3
3
8
8
10
10
25
25
35
3
3
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
t
BE
t
LZBE
t
HZBE
输出使能低到低Z
输出使能高到高Z
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
0
5
0
10
5
0
6
0
6
0
12
6
0
6
0
7
0
15
7
0
7
0
8
0
20
8
0
8
0
10
0
25
10
0
10
0
12
0
35
12
0
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
文档＃
SRAM131
转或
第10 3
P3C1011
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，全温度范围）
(2)
符号。
t
WC
t
CW
参数
写周期时间
芯片使能时间结束
写
地址有效到写结束
地址建立时间写
开始
把脉冲宽度
地址保持时间
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
输出写入结束活动
WE
高到低Z
字节使能，以结束写的
-10
10
7
12
8
-12
15
10
-15
20
10
-20
25
12
-25
35
15
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
t
LZWE
t
BW
7
0
7
0
5
0
5
3
3
7
8
0
8
0
6
0
6
3
3
8
10
0
10
0
7
0
7
3
3
10
10
0
10
0
8
0
8
3
3
10
12
0
12
0
10
0
10
3
3
12
15
0
15
0
12
0
12
3
3
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时序波形写周期NO 。 1 （ CE控制）
CE
文档＃
SRAM131
转或
第10个5
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