P35-4250-3
马可尼光学元件
砷化镓MMIC SP4T反光
开关，直流 - 2GHz的
特点
·
·
·
·
·
宽带性能
低插入损耗;为1GHz 0.7分贝典型值
超低的直流功耗
开关速度快; 3纳秒典型
SO16表面贴装封装
描述
该P35-4250-3是一种高性能砷化镓单刀4掷射频开关。它适合于在使用中
宽带通信和仪器仪表应用。短路反射终端呈现在
开关的隔离输出。该开关是由免费0V / -5V或0 / -8V信号到该应用程序的控制
控制线按照以下的真值表。
该芯片采用MOC的0.5微米栅长MESFET制程（ S20）制作并使用氮化硅得到充分的保护
钝化优良的性能和可靠性。这个装置被封装在一个低成本表面安装塑料
封装。
电气性能
环境温度= 22 ±3 ℃下，Z0 = 50Ω ，控制电压= 0V / -5V ，除非另有说明
参数
插入Loss1
Isolation1
输入回波Loss2
输出返回Loss2
1分贝功率压缩POINT3
条件
DC - 1GHz的
1 - 2GHz的
DC - 1GHz的
1 - 2GHz的
DC - 1GHz的
1 - 2GHz的
DC - 1GHz的
1 - 2GHz的
0 / -5V控制; 50MHz的
0 / -5V控制; 2GHz的
0 / -8V控制; 50MHz的
0 / -8V控制; 2GHz的
50 ％对照10％ 90％射频
民
-
-
26
16
21
14
21
14
-
-
-
-
-
典型值
0.7
0.9
28
20
28
25
28
22
19
22.5
21.5
30
3
最大
0.9
1.1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
ns
开关速度
笔记
1.插入损耗和隔离RF输入和任意输出的测量。
在低损耗的开关状态2.测量回波损耗。
3.输入电源处插入损耗压缩1dB的。
P35-4250-3
马可尼光学元件
包装外形
电气原理图
开关真值表
控制板电压（V ）
A1
B1
A2
B2
-5
0
0
0
0
-5
-5
-5
0
-5
0
0
-5
0
-5
-5
路径从RF IN到
RF1
RF2
低损耗
隔离
隔离
隔离
隔离
低损耗
隔离
隔离
A3
0
0
-5
0
B3
-5
-5
0
-5
A4
0
0
0
-5
B4
-5
-5
-5
0
RF3
隔离
隔离
低损耗
隔离
RF4
隔离
隔离
隔离
低损耗
引脚的详细信息
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
搬运，安装和粘接
功能
A4
RF4
地
在RF
地
RF1
A1
B1
B2
A2
RF2
地
RF3
A3
B3
B4
管芯的背面是金金属化的，并且可以是管芯
手动连接到金，共晶与金锡
（80:20）或低温导电环氧树脂。该
最大允许模具温度为310 ℃下进行2
分钟。债券应到暴露的金
垫用17或25微米纯金，半硬金丝。
粘接应与模面在225℃下可实现对
275 ℃下用热超声加热的楔形物（约125 ℃）的
和60克的最大的力。球键可以是
使用，但必须小心，以确保球的大小是
与示出的键合焊盘兼容。的长度
键合线应该被最小化，以减少寄生
电感，特别是那些对射频和接地焊盘。
订购信息： P35-4250-3
这些数据和产品规格如有变更，恕不另行通知。这些设备
不宜用于恕不另行通知设备资质和生产。
463 / SM / 00074 / 200 ISS 2/2
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