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NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P3056LS
TO-263
D
产品概述
V
( BR ) DSS
25
R
DS ( ON)
50mΩ
I
D
12A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值(T
C
= 25
°C
除非另有说明)
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩能量
重复性雪崩能量
功耗
2
1
符号
V
GS
范围
±12
12
8
45
60
3
43
15
-55到150
275
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
A
L = 0.1mH
L = 0.05mH
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
E
AS
E
AR
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
mJ
W
工作结&存储温度范围
焊接温度( /
16
“从案例10秒。 )
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
1
2
1
°C
符号
R
θJC
R
θJA
R
θCS
典型
最大
2.6
60
单位
C / W
0.6
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
1%
电气特性(T
C
= 25
°C,
除非另有说明)
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±12V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125 °C
25
0.5
0.7
1.0
± 250 nA的
25
250
A
V
范围
单位
最小典型最大
1
AUG-09-2001
NIKO -SEM
1
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
I
D(上)
R
DS ( ON)
1
P3056LS
TO-263
通态漏电流
漏极 - 源极导通状态
1
阻力
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 5V ,我
D
= 12A
V
GS
= 10V ,我
D
= 12A
V
DS
= 15V ,我
D
= 12A
动态
12
70
50
16
120
90
A
S
正向跨导
g
fs
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
450
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
200
60
15
V
DS
= 0.5V
( BR ) DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 6A
2.0
7.0
6.0
V
DS
= 15V ,R
L
= 1Ω
I
D
12A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 2.5Ω
6.0
20
5.0
nS
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2
2
导通延迟时间
上升时间
t
D(上)
t
r
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
t
D(关闭)
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25
°C)
连续电流
脉冲电流
3
1
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM ( REC )
Q
rr
I
F
= I
S
, DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
30
15
0.043
12
20
1.5
A
V
nS
A
C
正向电压
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
脉冲测试:脉冲宽度
300
微秒,
占空比
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注:标有“ P3056LS ” ,日期代码或批号的产品
2
AUG-09-2001
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P3056LS
TO-263
TO- 263 (D
2
PAK )机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
0.3
-0.102
8.5
9
14.5
4.2
1.20
2.8
0.4
0.5
0.203
9.5
典型值。
15
马克斯。
15.8
4.7
1.35
H
I
J
K
L
M
N
0.7
4.83
5.08
分钟。
1.0
9.8
6.5
1.5
1.4
5.33
典型值。
1.5
马克斯。
1.8
10.3
mm
3
AUG-09-2001
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P3056LS
TO-263
D
产品概述
V
( BR ) DSS
25
R
DS ( ON)
50mΩ
I
D
12A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值(T
C
= 25
°C
除非另有说明)
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩能量
重复性雪崩能量
功耗
2
1
符号
V
GS
范围
±12
12
8
45
60
3
43
15
-55到150
275
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
A
L = 0.1mH
L = 0.05mH
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
E
AS
E
AR
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
mJ
W
工作结&存储温度范围
焊接温度( /
16
“从案例10秒。 )
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
1
2
1
°C
符号
R
θJC
R
θJA
R
θCS
典型
最大
2.6
60
单位
C / W
0.6
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
1%
电气特性(T
C
= 25
°C,
除非另有说明)
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±12V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125 °C
25
0.5
0.7
1.0
± 250 nA的
25
250
A
V
范围
单位
最小典型最大
1
AUG-09-2001
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1
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
I
D(上)
R
DS ( ON)
1
P3056LS
TO-263
通态漏电流
漏极 - 源极导通状态
1
阻力
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 5V ,我
D
= 12A
V
GS
= 10V ,我
D
= 12A
V
DS
= 15V ,我
D
= 12A
动态
12
70
50
16
120
90
A
S
正向跨导
g
fs
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
450
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
200
60
15
V
DS
= 0.5V
( BR ) DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 6A
2.0
7.0
6.0
V
DS
= 15V ,R
L
= 1Ω
I
D
12A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 2.5Ω
6.0
20
5.0
nS
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2
2
导通延迟时间
上升时间
t
D(上)
t
r
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
t
D(关闭)
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25
°C)
连续电流
脉冲电流
3
1
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM ( REC )
Q
rr
I
F
= I
S
, DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
30
15
0.043
12
20
1.5
A
V
nS
A
C
正向电压
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
脉冲测试:脉冲宽度
300
微秒,
占空比
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注:标有“ P3056LS ” ,日期代码或批号的产品
2
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N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
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TO-263
TO- 263 (D
2
PAK )机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
0.3
-0.102
8.5
9
14.5
4.2
1.20
2.8
0.4
0.5
0.203
9.5
典型值。
15
马克斯。
15.8
4.7
1.35
H
I
J
K
L
M
N
0.7
4.83
5.08
分钟。
1.0
9.8
6.5
1.5
1.4
5.33
典型值。
1.5
马克斯。
1.8
10.3
mm
3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
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电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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联系人:欧阳
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sop8
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联系人:柯
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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联系人:何小姐
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电话:0755-29275935
联系人:李小姐
地址:广东省深圳市华强北赛格科技园6C18
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