NIKO -SEM
1
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
I
D(上)
R
DS ( ON)
1
P3056LS
TO-263
通态漏电流
漏极 - 源极导通状态
1
阻力
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 5V ,我
D
= 12A
V
GS
= 10V ,我
D
= 12A
V
DS
= 15V ,我
D
= 12A
动态
12
70
50
16
120
90
A
mΩ
S
正向跨导
g
fs
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
450
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
200
60
15
V
DS
= 0.5V
( BR ) DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 6A
2.0
7.0
6.0
V
DS
= 15V ,R
L
= 1Ω
I
D
12A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 2.5Ω
6.0
20
5.0
nS
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2
2
导通延迟时间
上升时间
t
D(上)
t
r
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
t
D(关闭)
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25
°C)
连续电流
脉冲电流
3
1
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM ( REC )
Q
rr
I
F
= I
S
, DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
30
15
0.043
12
20
1.5
A
V
nS
A
C
正向电压
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
微秒,
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注:标有“ P3056LS ” ,日期代码或批号的产品
2
AUG-09-2001
NIKO -SEM
1
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
I
D(上)
R
DS ( ON)
1
P3056LS
TO-263
通态漏电流
漏极 - 源极导通状态
1
阻力
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 5V ,我
D
= 12A
V
GS
= 10V ,我
D
= 12A
V
DS
= 15V ,我
D
= 12A
动态
12
70
50
16
120
90
A
mΩ
S
正向跨导
g
fs
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
450
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
200
60
15
V
DS
= 0.5V
( BR ) DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 6A
2.0
7.0
6.0
V
DS
= 15V ,R
L
= 1Ω
I
D
12A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 2.5Ω
6.0
20
5.0
nS
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2
2
导通延迟时间
上升时间
t
D(上)
t
r
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
t
D(关闭)
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25
°C)
连续电流
脉冲电流
3
1
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM ( REC )
Q
rr
I
F
= I
S
, DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
30
15
0.043
12
20
1.5
A
V
nS
A
C
正向电压
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
微秒,
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注:标有“ P3056LS ” ,日期代码或批号的产品
2
AUG-09-2001