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128Mb的同步DRAM
P2V28S20ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行8,388,608 - WORD ×4位）
P2V28S30ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行4,194,304 - WORD ×8位）
P2V28S40ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行2,097,152 - WORD ×16位）
128Mb的SDRAM规格
P2V28S20DTP-7,-75,-8
P2V28S30DTP-7,-75,-8
P2V28S40DTP-7,-75,-8
MIRA科技股份有限公司。
8F 。 ， 68 ，第3节，南京东路。台北，台湾，中华民国
TEL ： 886-2-25170055.25170066
传真： 886-2-25174575
JULY.2000
Rev.2.2
128Mb的同步DRAM
128Mb的同步DRAM
P2V28S20ATP-7,-75,-8
P2V28S30ATP-7,-75,-8
P2V28S40ATP-7,-75,-8
初步
（ 4 - X银行8,388,608 - WORD ×4位）
（ 4 - X银行4,194,304 - WORD ×8位）
（ 4 - X银行2,097,152 - WORD ×16位）
P2V28S20ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行8,388,608 - WORD ×4位）
P2V28S30ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行4,194,304 - WORD ×8位）
P2V28S40ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行2,097,152 - WORD ×16位）
有些内容是针对一般的产品描述和
如有更改，恕不另行通知。
描述
P2V28S20ATP组织为4 - X银行8,388,608字X
4位同步DRAM与LVTTL接口
P2V28S30ATP组织为4 - X银行4,194,304字X
8位和P2V28S40ATP组织成4行X 2097 ，
152字×16位。所有输入和输出都参考
CLK的上升沿。
P2V28S20ATP ， P2V28S30ATP和P2V28S40ATP
实现超高速数据传输速率高达166MHz的，并
适用于主存储器或图形记忆中的COM
计算机系统。
特点
项
TCLK
tRAS的
tRCD的
TAC
TRC
Icc1
时钟周期时间
（分）
CL=2
CL=3
-7
-
7ns
45ns
CL=2
CL=3
V28S20D
20ns
-
5.4ns
63ns
85mA
85mA
85mA
1mA
P2V28S20/30/40ATP
-75
-8
10ns
7.5ns
45ns
20ns
6ns
5.4ns
67.5ns
85mA
85mA
85mA
1mA
10ns
8ns
48ns
20ns
6ns
6ns
70ns
85mA
85mA
85mA
1mA
主动到预充电命令周期（分钟）。
（分）
行到列延迟
从CLK访问时间
REF /主动命令时期
工作电流（单银行）
（ MAX 。 ）
（分）
（ MAX 。 ）
V28S30D
V28S40D
-7,-75,-8
Icc6
自刷新电流
（ MAX 。 ）
- 单3.3V ± 0.3V电源
- 最大。时钟频率-7 ： 143MHz<3-3-3> / -75 ： 133MHz<3-3-3> / -8 ： 100MHz<2-2-2>
- 完全同步操作参考时钟上升沿
- 由BA0控制的4 -银行操作， BA1 （银行地址）
- / CAS延时： 2/3 （可编程）
- 突发长度 - 1/2/ 4/8 / FP （可编程）
- 突发类型 - 顺序和交错爆裂（可编程）
- 字节控制 - DQML和DQMU （ P2V28S40ATP ）
- 随机接入列
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 自动和自刷新
- 4096刷新周期/ 64ms的
- LVTTL接口
- 包
P2V28S20ATP/30ATP/40ATP
400万， 54引脚薄型小外形封装（ TSOP II ） ，具有0.8mm引脚间距
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128Mb的同步DRAM
P2V28S20ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行8,388,608 - WORD ×4位）
P2V28S30ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行4,194,304 - WORD ×8位）
P2V28S40ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行2,097,152 - WORD ×16位）
引脚配置（顶视图）
P2V28S20ATP
P2V28S30ATP
P2V28S40ATP
引脚配置
（ TOP VIEW ）
VDD
NC
VDDQ
NC
DQ0
VSSQ
NC
NC
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
VDD
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0(A13)
BA1(A12)
A10(AP)
A0
A1
A2
A3
VDD
VDD
DQ0
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
DQ3
VSSQ
NC
VDD
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0(A13)
BA1(A12)
A10(AP)
A0
A1
A2
A3
VDD
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
DQML
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0(A13)
BA1(A12)
A10(AP)
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
DQMU
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VDDQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VDDQ
NC
NC
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
400mil 54pin TSOP （II）的
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQ0-15
：主时钟
：时钟使能
：片选
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：数据I / O
DQM
A0-11
BA0,1
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
：输出禁用/写屏蔽
：地址输入
：银行地址
：电源
：电源的输出
：地面
：接地输出
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128Mb的同步DRAM
P2V28S20ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行8,388,608 - WORD ×4位）
P2V28S30ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行4,194,304 - WORD ×8位）
P2V28S40ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行2,097,152 - WORD ×16位）
框图
DQ0-7
I / O缓冲器
存储阵列
4096 x1024 x8
电池阵列
存储阵列
4096 x1024 x8
电池阵列
存储阵列
4096 x1024 x8
电池阵列
存储阵列
4096 x1024 x8
电池阵列
银行＃ 0
银行＃ 1
银行＃ 2
银行＃ 3
模式
注册
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
控制信号缓冲
A0-11
BA0,1
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQM
注意：图中显示了P2V28S30ATP
该A2V28S20ATP配置单元阵列和DQ0-3的4096x2048x4
该A2V28S40ATP配置单元阵列和DQ0-15的4069x512x16
型号代码
P2
V 28号第3 0 A TP -8
访问项目
-7 ： 7纳秒（ 143MHz下/ 3-3-3 ）
-75 ： 7.5ns （ 100MHz的/ 2-2-2或为133MHz / 3-3-3 ）
-8 ： 8纳秒（ 100MHz的/ 2-2-2或为125MHz / 3-3-3 ）
TP ： TSOP （ II ）
答：第二代
0 ：随机列
2 : x4, 3 : x8, 4: x16
套餐类型
程世代
功能
组织
同步DRAM
密度
接口
力晶DRAM
128 ： 128Mbit的
V ： LVTTL
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128Mb的同步DRAM
P2V28S20ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行8,388,608 - WORD ×4位）
P2V28S30ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行4,194,304 - WORD ×8位）
P2V28S40ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行2,097,152 - WORD ×16位）
引脚功能
CLK
输入
主时钟：
所有其它输入都参考CLK的上升沿
时钟使能：
CKE控制内部clock.When CKE为低，内部时钟
下面的循环停止。 CKE也可以用来选择
自动/自刷新。
之后，开始自刷新模式中， CKE变成异步输入。
只要CKE低自刷新保持。
片选：
当/ CS为高电平时，任何命令意味着任何操作。
的RAS /组合， / CAS ， /我们定义了基本的命令。
A0-11与BA0,1一起指定行/列地址。
该行地址是通过A0-11指定。
列地址由A0-9,11 （ X4 ） / A0-9 （ X8 ） / A0-8 （ X16 ）指定。
A10也被用于指示预充电选项。当A10是在高一
读/写命令时，自动预充电被执行。当A10是
在高预充电命令，所有银行都预充电。
银行地址：
BA0,1指定该命令适用四家银行之一。
BA0,1必须ACT ， PRE ，读来设置，写入命令。
CKE
输入
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
输入
输入
A0-11
输入
BA0,1
DQ0-3(x4),
DQ0-7(x8),
DQ0-15(x16)
DQM(x4,x8),
DQMU/L(x16)
VDD ， VSS
VDDQ ， VSSQ
输入
输入/输出
数据在与数据输出被引用到CLK的上升沿。
嚣面膜/输出禁止：
当DQM （ U / L）是高突发写入，DIN当前周期
蒙面。当DQM （ U / L）是高突发读取，
Dout的下一个，但一个周期禁用。
电源，用于在存储器阵列和外围电路。
输入
电源
电源
VDDQ和VSSQ被提供给唯一的输出缓冲器。
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