大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
PNP硅平面外延晶体管
P2N2907
P2N2907A
TO-92
塑料包装
C
BE
设计用于切换和线性应用，直流放大器和驱动器的工业应用
绝对最大额定值（T
a
= 25C除非另有规定）
描述
符号
P2N2907
V
首席执行官
40
集电极 - 发射极电压
V
CBO
60
集电极 - 基极电压
发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
a
=25C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
C
=25C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
热阻
结到外壳
结到环境
V
EBO
I
CM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
5
600
625
5
1.5
12
- 55 + 150
P2N2907A
60
60
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/℃
W
毫瓦/℃
C
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
83.3
200
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
符号
*V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
CBO
收藏家切断电流
I
CEX
I
首席执行官
I
EBO
I
BEX
*V
CE （SAT）
*V
BE （SAT）
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 50V ，我
E
=0
V
CB
= 50V ，我
E
=0, T
a
=150 C
V
CE
=30V, V
EB （O FF ）
=0.5V
V
CE
= 10V ，我
B
=0
V
EB
= 3V ，我
C
=0
V
CE
=30V, V
EB （O FF ）
=0.5V
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
基极发射极饱和电压
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
o
P2N2907
>40
>60
>5
<20
<20
<50
<10
<10
<50
<0.4
<1.6
<1.3
<2.6
P2N2907A
>60
>60
>5
<10
<10
<50
<10
<10
<50
<0.4
<1.6
<1.3
<2.6
单位
V
V
V
nA
A
nA
nA
nA
nA
V
V
发射器切断电流
基地截断电流
集电极 - 发射极饱和电压
P2N2907_A Rev_1151204D
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页5
PNP硅平面外延晶体管
P2N2907
P2N2907A
TO-92
塑料包装
C
BE
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
描述
符号
测试条件
I
C
= 0.1毫安，V
CE
=10V
I
C
= 1mA时， V
CE
=10V
直流电流增益
h
FE
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V
I
C
= 150毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
动态特性
跃迁频率
输出电容
输入电容
开关特性
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
f
T
C
ob
C
ib
I
C
= 50mA时V
CE
=20V,
f=100MHz
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 2V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
>200
<8
<30
>200
<8
<30
兆赫
pF
pF
P2N2907
>35
>50
>75
100 - 300
>30
P2N2907A
>75
>100
>100
100 - 300
>50
单位
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA,
V
CC
=30V
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA,
I
B2
= 15毫安，V
CC
=6V
<10
<40
<50
<80
<30
<110
<10
<40
<50
<80
<30
<110
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*脉冲条件：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 1 ％
P2N2907_A Rev_1151204D
大陆设备印度有限公司
数据表
页2的5
P2N2907
P2N2907A
TO-92
塑料包装
TO- 92塑料包装
B
维与“L”
不受控制
除了“L”
2
3
D
G
F
F
A A
K
1
D
E
SEC AA
分钟。马克斯。
暗淡
4.32
5.33
A
4.45
5.20
B
3.18
C
4.19
0.41
0.55
D
0.35
0.50
E
F
5度
G
1.14
1.40
1.20
1.40
H
12.70
K
—
1.982 2.082
L
M
1.03
1.20
所有尺寸均为毫米
M
可焊性有保证的
L
3 2 1
模具
离别
LINE
H
C
A
引脚配置
1.发射器
2.基
3.收集
3 2 1
在TO- 92封装，卷带弹药包图纸是正确的，因为在这个数据表的问题/修订日期。
当前valild尺寸和资料，可以请从TO- 92图中的包确认，
包装的产品目录第。
包装详细资料
包
详细
TO-92散装
TO-92 T&A
1K/
塑料袋
2K/
弹药箱
标准包装
净重/吨
Qy
200克/个
1K
645克/个
2K
SIZE
3" X 7.5" X 7.5"
12.5 ＆ QUOT ; X 8英寸×1.8 ＆ QUOT ;
内箱箱
数量
5K
2K
SIZE
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
外箱BOX
数量
80K
32K
克重量
23公斤
12.5公斤
P2N2907_A Rev_1151204D
大陆设备印度有限公司
数据表
第3 5
客户注意事项
P2N2907
P2N2907A
TO-92
塑料包装
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最适合的
在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S） ，从而
要确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。装修中的数据表中的信息和
在CDIL网站/ CD上被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担责任
不准确或不完整的信息。此外， CDIL不承担任何责任，所引起的应用程序或
使用任何CDIL产品;它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品都没有
设计用于救生/支持设备或系统中使用。 CDIL客户销售这些产品（无论是作为个人
半导体分立器件或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或
应用这样做在自己的风险和CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话：+ 91-11-2579 6150 ， 5141 1112传真：+ 91-11-2579 5290 ， 5141 1119
email@cdil.com
www.cdilsemi.com
P2N2907_A Rev_1151204D
大陆设备印度有限公司
数据表
页5
摩托罗拉
半导体技术资料
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通过P2N2907A / D
晶体管放大器
PNP硅
集热器
1
2
BASE
3
辐射源
P2N2907A
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
–60
–60
–5.0
–600
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格17
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = -30伏直流， VEB （关闭） = -0.5 V直流）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -50伏直流， IE = 0 ）
（ VCB = -50伏直流， IE = 0 ， TA = 150 ° C）
发射Cuto FF电流
（ VEB = -3.0 V直流）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = -10 V）
基地截止电流
（ VCE = -30伏直流， VEB （关闭） = -0.5 V直流）
1.脉冲测试：脉冲宽度
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICEX
ICBO
—
—
IEBO
ICEO
IBEX
—
—
—
–0.01
–10
–10
–10
–50
NADC
NADC
NADC
–60
–60
–5.0
—
—
—
—
–50
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
P2N2907A
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -0.1 MADC ， VCE = -10伏直流）
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -10伏直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -10伏直流）
（IC = -150 MADC ， VCE = -10伏）（1）
（IC = -500 MADC ， VCE = -10伏）（1）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = -150 MADC ， IB = -15 MADC ）
（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = -150 MADC ， IB = -15 MADC ）
（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）
的hFE
75
100
100
100
50
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
–1.3
–2.6
–0.4
–1.6
VDC
—
—
—
300
—
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 1 ） ， （ 2 ）
（ IC = -50 MADC ， VCE = -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = -2.0伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
fT
科博
CIBO
200
—
—
—
8.0
30
兆赫
pF
pF
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
关断时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = -6.0伏， IC = -150 MADC ，
IB1 = IB2 = -15 MADC ） （图2）
（ VCC = -30伏直流， IC = -150 MADC ，
IB1 = -15 MADC ）（图1和5 ）
吨
td
tr
花花公子
ts
tf
—
—
—
—
—
—
50
10
40
110
80
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S，占空比
2.0%.
2. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
输入
ZO = 50
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
–16 V
200纳秒
50
1.0 k
输入
ZO = 50
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
–30 V
200纳秒
v
v
–30 V
200
+15 V
–6.0 V
37
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1.0 k
1.0 k
50
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1N916
图1.延迟和上升时间测试电路
图2.存储和下降时间测试电路
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
P2N2907A
典型特征
3.0
的hFE ，标准化的电流增益
2.0
VCE = -1.0 V
VCE = -10 V
TJ = 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
–0.1
– 55°C
–0.2 –0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0
–10
–20
–30
–50 –70 –100
–200 –300
–500
IC ，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
–1.0
–0.8
IC = -1.0毫安
–0.6
= 10毫安
-100毫安
± 500毫安
–0.4
–0.2
0
–0.005
–0.01
–0.02 –0.03 –0.05 –0.07 –0.1
–0.2
–0.3 –0.5 –0.7 –1.0
IB ，基极电流（毫安）
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
–50
图4.集电极饱和区
300
200
100
70
50
30
20
TD @ VBE （关闭） = 0 V
10
7.0
5.0
3.0
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
IC ，集电极电流
tr
500
VCC = -30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
300
200
tf
100
70
50
30
20
2.0 V
–200 –300 –500
10
7.0
5.0
–5.0 –7.0 –10
T的TS = - 1/8 TF
VCC = -30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
IC ，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
P2N2907A
典型的小信号特性
噪声系数
VCE = 10 VDC ， TA = 25°C
10
10
F = 1.0千赫
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
IC = -1.0毫安，卢比= 430
–500
A,
RS = 560
–50
A,
RS = 2.7千欧
–100
A,
RS = 1.6千欧
RS =最佳源电阻
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
6.0
6.0
4.0
4.0
IC = -50
A
–100
A
–500
A
= 1.0毫安
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100
0
50
100
200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k
20 k
50 k
男，频率（KHz ）
RS ，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
C，电容（pF ）
CEB
400
300
200
10
7.0
5.0
3.0
2.0
–0.1
建行
100
80
60
40
30
20
–1.0 –2.0
VCE = -20 V
TJ = 25°C
–0.2 –0.3 –0.5
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0
–10
–20 –30
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500 –1000
反向电压（伏）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.的电容
图10.电流增益 - 带宽积
–1.0
TJ = 25°C
–0.8
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
系数（MV /
°
C)
VBE （ ON） @ VCE = -10 V
+0.5
0
R
q
VC的VCE （SAT）
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–2.5
–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2.0
R
q
VB的VBE
–0.6
–0.4
–0.2
0
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0 –5.0 –10 –20
–50 –100 –200
–500
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200 –500
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图11. “开”电压
图12.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过P2N2907A / D
晶体管放大器
PNP硅
集热器
1
2
BASE
3
辐射源
P2N2907A
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
–60
–60
–5.0
–600
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格17
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = -30伏直流， VEB （关闭） = -0.5 V直流）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -50伏直流， IE = 0 ）
（ VCB = -50伏直流， IE = 0 ， TA = 150 ° C）
发射Cuto FF电流
（ VEB = -3.0 V直流）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = -10 V）
基地截止电流
（ VCE = -30伏直流， VEB （关闭） = -0.5 V直流）
1.脉冲测试：脉冲宽度
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICEX
ICBO
—
—
IEBO
ICEO
IBEX
—
—
—
–0.01
–10
–10
–10
–50
NADC
NADC
NADC
–60
–60
–5.0
—
—
—
—
–50
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
P2N2907A
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -0.1 MADC ， VCE = -10伏直流）
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -10伏直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -10伏直流）
（IC = -150 MADC ， VCE = -10伏）（1）
（IC = -500 MADC ， VCE = -10伏）（1）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = -150 MADC ， IB = -15 MADC ）
（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = -150 MADC ， IB = -15 MADC ）
（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）
的hFE
75
100
100
100
50
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
–1.3
–2.6
–0.4
–1.6
VDC
—
—
—
300
—
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 1 ） ， （ 2 ）
（ IC = -50 MADC ， VCE = -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = -2.0伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
fT
科博
CIBO
200
—
—
—
8.0
30
兆赫
pF
pF
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
关断时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = -6.0伏， IC = -150 MADC ，
IB1 = IB2 = -15 MADC ） （图2）
（ VCC = -30伏直流， IC = -150 MADC ，
IB1 = -15 MADC ）（图1和5 ）
吨
td
tr
花花公子
ts
tf
—
—
—
—
—
—
50
10
40
110
80
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S，占空比
2.0%.
2. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
输入
ZO = 50
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
–16 V
200纳秒
50
1.0 k
输入
ZO = 50
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
–30 V
200纳秒
v
v
–30 V
200
+15 V
–6.0 V
37
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1.0 k
1.0 k
50
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1N916
图1.延迟和上升时间测试电路
图2.存储和下降时间测试电路
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
P2N2907A
典型特征
3.0
的hFE ，标准化的电流增益
2.0
VCE = -1.0 V
VCE = -10 V
TJ = 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
–0.1
– 55°C
–0.2 –0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0
–10
–20
–30
–50 –70 –100
–200 –300
–500
IC ，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
–1.0
–0.8
IC = -1.0毫安
–0.6
= 10毫安
-100毫安
± 500毫安
–0.4
–0.2
0
–0.005
–0.01
–0.02 –0.03 –0.05 –0.07 –0.1
–0.2
–0.3 –0.5 –0.7 –1.0
IB ，基极电流（毫安）
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
–50
图4.集电极饱和区
300
200
100
70
50
30
20
TD @ VBE （关闭） = 0 V
10
7.0
5.0
3.0
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
IC ，集电极电流
tr
500
VCC = -30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
300
200
tf
100
70
50
30
20
2.0 V
–200 –300 –500
10
7.0
5.0
–5.0 –7.0 –10
T的TS = - 1/8 TF
VCC = -30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
IC ，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
P2N2907A
典型的小信号特性
噪声系数
VCE = 10 VDC ， TA = 25°C
10
10
F = 1.0千赫
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
IC = -1.0毫安，卢比= 430
–500
A,
RS = 560
–50
A,
RS = 2.7千欧
–100
A,
RS = 1.6千欧
RS =最佳源电阻
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
6.0
6.0
4.0
4.0
IC = -50
A
–100
A
–500
A
= 1.0毫安
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100
0
50
100
200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k
20 k
50 k
男，频率（KHz ）
RS ，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
C，电容（pF ）
CEB
400
300
200
10
7.0
5.0
3.0
2.0
–0.1
建行
100
80
60
40
30
20
–1.0 –2.0
VCE = -20 V
TJ = 25°C
–0.2 –0.3 –0.5
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0
–10
–20 –30
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500 –1000
反向电压（伏）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.的电容
图10.电流增益 - 带宽积
–1.0
TJ = 25°C
–0.8
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
系数（MV /
°
C)
VBE （ ON） @ VCE = -10 V
+0.5
0
R
q
VC的VCE （SAT）
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–2.5
–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2.0
R
q
VB的VBE
–0.6
–0.4
–0.2
0
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0 –5.0 –10 –20
–50 –100 –200
–500
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200 –500
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图11. “开”电压
图12.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
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