【P2N2222A放大器晶体管NPN硅特点这些都是Pb - Free设备*最大额定值(TA= 25 °】,IC型号P2N2222ARL1G,P2N2222ARL1G PDF资料,P2N2222ARL1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

P2N2222A

放大器晶体管

NPN硅

特点

这些都是Pb - Free设备*

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

特征

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗@ T

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗@ T

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

首席执行官

CBO

EBO

, T

英镑

价值

6.0

600

625

5.0

1.5

--55到

+150

单位

VDC

MADC

毫瓦/°C的

°C

TO -

-92

CASE 29

17风格

http://onsemi.com

集热器

BASE

辐射源

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

符号

θJA

θJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

直引线

散装

BENT LEAD

磁带&卷轴

弹药包

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

标记图

P2N2

222A

AYWW

=大会地点

=年

WW =工作周

=铅 - 免费套餐

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

P2N2222AG

P2N2222ARL1G

包

TO--92

（铅 - 免费）

TO--92

（铅 - 免费）

航运

5000单位/散装

2000 /磁带&弹药

*关于我们铅的更多信息 - 免费战略和焊接详情，请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

出版订单号：

P2N2222A/D

2007年4月 - 修订版5

P2N2222A

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

= 10 MADC ，我

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

= 10

MADC ，

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

= 10

MADC ，

= 0)

收藏家Cuto FF电流

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 3.0伏）

收藏家Cuto FF电流

= 60 VDC ，我

= 0)

= 60 VDC ，我

= 0, T

= 150°C)

发射Cuto FF电流

= 3.0伏，我

= 0)

收藏家Cuto FF电流

= 10 V)

基地截止电流

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 3.0伏）

基本特征

直流电流增益

= 0.1 MADC ，V

= 10 VDC ）

= 1.0 MADC ，V

= 10 VDC ）

= 10 MADC ，V

= 10 VDC ）

= 10 MADC ，V

= 10 VDC ，T

= --55°C)

= 150 MADC ，V

= 10 VDC ）（注1 ）

= 150 MADC ，V

= 1.0伏）（注1 ）

= 500 MADC ，V

= 10 VDC ）（注1 ）

集电极 - 发射极饱和电压（注1 ）

= 150 MADC ，我

= 15 MADC ）

= 500 MADC ，我

= 50 MADC ）

基地 - 发射极饱和电压（注1 ）

= 150 MADC ，我

= 15 MADC ）

= 500 MADC ，我

= 50 MADC ）

小型

- 信号特性

电流 - 增益 - 带宽积（注2 ）

= 20 MADC ，V

= 20伏， F = 100兆赫）C

输出电容

= 10 VDC ，我

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容

= 0.5伏，我

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗

= 1.0 MADC ，V

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

= 10 MADC ，V

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

= 1.0 MADC ，V

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

= 10 MADC ，V

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

小 - 信号电流增益

= 1.0 MADC ，V

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

= 10 MADC ，V

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

= 1.0 MADC ，V

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

= 10 MADC ，V

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

集电极基时间常数

= 20 MADC ，V

= 20伏， F = 31.8兆赫）

噪声系数

= 100

MADC ，

= 10伏，R

= 1.0千欧， F = 1.0千赫）

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

2. f

被定义为频率在哪些| H

|推断团结。

敖包

IBO

300

2.0

0.25

5.0

8.0

1.25

8.0

4.0

300

375

200

150

4.0

兆赫

kΩ

100

0.6

300

0.3

1.0

1.2

2.0

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CEX

CBO

0.01

VDC

NADC

MADC

符号

民

最大

单位

6.0

EBO

首席执行官

BEX

NADC

CE （ SAT ）

VDC

BE （ SAT ）

VDC

X 10

--4

毫姆欧

rb'C

http://onsemi.com

P2N2222A

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

= 30伏直流电，V

BE （OFF）的

= --2.0伏，

= 150 MADC ，我

= 15 MADC ）（图1）

= 30伏直流电，我

= 150 MADC ，

= I

= 15 MADC ）（图2）

225

符号

民

最大

单位

切换时间等效测试电路

+30 V

+16 V

--2 V

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1 kΩ

200

+16 V

＆ LT ; 2纳秒

* < 10 pF的

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1N914

--4 V

+30 V

200

--14 V

< 20纳秒

* < 10 pF的

范围上升时间< 4纳秒

*测试夹具的总并联电容，

连接器和示波器。

图1.开启

-on时间

图2.开启

-off时间

1000

700

500

的hFE ， DC电流增益

300

200

100

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

= 125°C

25°C

--55°C

= 1.0 V

= 10 V

3.0

5.0 7.0 10

20 30

，集电极电流（毫安）

100

200

300

500 700 1.0 k

图3.直流电流增益

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P2N2222A

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

= 25°C

0.8

0.6

0.4

0.2

0.005

= 1.0毫安

10毫安

150毫安

500毫安

0.01

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

，基极电流（毫安）

2.0

3.0

5.0

图4.集电极饱和区

200

100

T， TIME （ NS ）

7.0

5.0

3.0

2.0

5.0 7.0

= 10

= 25°C

@ V

= 30 V

@ V

EB （O FF ）

= 2.0 V

@ V

EB （O FF ）

= 0

500

300

200

100

7.0

5.0

t′

= t

-- 1/8 t

= 30 V

= 10

= I

= 25°C

T， TIME （ NS ）

200 300

20 30

50 70 100

，集电极电流（毫安）

500

5.0 7.0 10

20 30

50 70 100

200

，集电极电流（毫安）

300

500

图5.开启

-on时间

图6.开启

-off时间

8.0

6.0

4.0

2.0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

= 1.0毫安，R

= 150

500

毫安，

= 200

100

毫安，

= 2.0 kΩ

毫安，

= 4.0 kΩ

NF ，噪声系数（dB ）

=优化

来源

阻力

F = 1.0千赫

8.0

6.0

4.0

2.0

= 50

100

500

1.0毫安

0.5 1.0 2.0

5.0 10

50 100

100 200

500 1.0 k 2.0 k

5.0 k 10 k 20 k

50 k 100 k

男，频率（KHz ）

，源电阻（欧姆）

图7.频率的影响

图8.源电阻的影响

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P2N2222A

F T ，电流 - 增益带宽积（兆赫）

电容（pF）

7.0

5.0

3.0

2.0

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

反向电压（伏）

20 30

500

= 20 V

= 25°C

300

200

100

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

，集电极电流（毫安）

70 100

图9.的电容

图10.电流 -

- 获得带宽积

1.0

= 25°C

0.8

V，电压（V ）

BE （ SAT ）

@ I

= 10

0.6

BE（上）

@ V

= 10 V

0.4

0.2

CE （ SAT ）

@ I

= 10

0.1 0.2

50 100 200

0.5 1.0 2.0 5.0 10 20

，集电极电流（毫安）

500 1.0 k

系数（MV /

1.0 V

+0.5

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

， VB

对于V

ΔVC

对于V

CE （ SAT ）

0.1 0.2

0.5

1.0 2.0

5.0 10 20

50 100 200

，集电极电流（毫安）

500

图11. “开”电压

图12.温度系数

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