添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第342页 > P2N2222
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过P2N2222A / D
放大器晶体管
NPN硅
集热器
1
2
BASE
3
辐射源
P2N2222A
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
40
75
6.0
600
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格17
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 3.0伏）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ， TA = 150 ° C）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 3.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 10 V）
基地截止电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 3.0伏）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICEX
ICBO
—
—
IEBO
ICEO
IBEX
—
—
—
0.01
10
10
10
20
NADC
NADC
NADC
40
75
6.0
—
—
—
—
10
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
P2N2222A
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， TA = -55°C ）
（IC = 150 MADC ， VCE = 10伏）（1）
（IC = 150 MADC ， VCE = 1.0伏）（1）
（IC = 500 MADC ， VCE = 10伏）（1）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
的hFE
35
50
75
35
100
50
40
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
0.6
—
1.2
2.0
0.3
1.0
VDC
—
—
—
—
300
—
—
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 20 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
集电极基时间常数
（ IE = 20 MADC ， VCB = 20伏， F = 31.8兆赫）
噪声系数
（ IC = 100
m
ADC ， VCE = 10 VDC ， RS = 1.0千欧， F = 1.0千赫）
fT
科博
CIBO
缺氧缺血性脑病
2.0
0.25
HRE
—
—
的hFE
50
75
HOE
5.0
25
rb'Cc
NF
—
—
35
200
150
4.0
ps
dB
300
375
8.0
4.0
—
8.0
1.25
X 10– 4
300
—
—
—
8.0
25
兆赫
pF
pF
k
m
姆欧
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = 30 V直流， VBE （关闭） = -2.0伏，
集成电路= 150 MADC ， IB1 = 15 MADC ） （图1）
（ VCC = 30 V直流， IC = 150 MADC ，
IB1 = IB2 = 15 MADC ） （图2）
td
tr
ts
tf
—
—
—
—
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
1.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S，占空比
2.0%.
2. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
v
v
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
P2N2222A
切换时间等效测试电路
+ 30 V
+16 V
0
–2 V
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
1 k
＆ LT ; 2纳秒
200
+16 V
0
CS * < 10 pF的
–14 V
< 20纳秒
1k
1N914
–4 V
CS * < 10 pF的
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
+ 30 V
200
范围上升时间< 4纳秒
*测试夹具的总并联电容，
连接器和示波器。
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
1000
700
500
的hFE ， DC电流增益
300
200
TJ = 125°C
25°C
100
70
50
30
20
10
0.1
–55°C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ，集电极电流（毫安）
50
70
100
200
300
500 700 1.0 k
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
TJ = 25°C
0.8
0.6
IC = 1.0毫安
10毫安
150毫安
500毫安
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
IB ，基极电流（毫安）
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
图4.集电极饱和区
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
P2N2222A
200
100
70
50
T， TIME （ NS ）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0 7.0
10
200 300
20 30
50 70 100
IC ，集电极电流（毫安）
500
IC / IB = 10
TJ = 25°C
TR @ VCC = 30 V
TD @ VEB （关闭） = 2.0 V
TD @ VEB （关闭） = 0
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
IC ，集电极电流（毫安）
300
500
T的TS = - 1/8 TF
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
tf
图5.转向 - 时间
图6.打开 - 关闭时间
10
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 1.0 mA时， RS = 150
500
A,
RS = 200
100
A,
RS = 2.0千欧
50
A,
RS = 4.0千欧
RS =优化
RS =
来源
RS =
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 50
A
100
A
500
A
1.0毫安
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50 100
0
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
男，频率（KHz ）
RS ，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
电容（pF）
CEB
10
7.0
5.0
建行
3.0
2.0
0.1
500
VCE = 20 V
TJ = 25°C
300
200
100
70
50
1.0
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向电压（伏）
20 30
50
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ，集电极电流（毫安）
50
70 100
图9.的电容
图10.电流增益带宽积
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
P2N2222A
1.0
TJ = 25°C
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 10 V
0.4
1.0 V
系数（MV /
°
C)
V，电压（V ）
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
– 2.5
0.1 0.2
50 100 200
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
IC ，集电极电流（毫安）
500 1.0 k
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200
IC ，集电极电流（毫安）
500
R
q
VB的VBE
R
q
VC的VCE （SAT）
+0.5
0.2
图11. “开”电压
图12.温度系数
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过P2N2222A / D
放大器晶体管
NPN硅
集热器
1
2
BASE
3
辐射源
P2N2222A
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
40
75
6.0
600
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格17
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 3.0伏）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ， TA = 150 ° C）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 3.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 10 V）
基地截止电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 3.0伏）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICEX
ICBO
—
—
IEBO
ICEO
IBEX
—
—
—
0.01
10
10
10
20
NADC
NADC
NADC
40
75
6.0
—
—
—
—
10
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
P2N2222A
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， TA = -55°C ）
（IC = 150 MADC ， VCE = 10伏）（1）
（IC = 150 MADC ， VCE = 1.0伏）（1）
（IC = 500 MADC ， VCE = 10伏）（1）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
的hFE
35
50
75
35
100
50
40
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
0.6
—
1.2
2.0
0.3
1.0
VDC
—
—
—
—
300
—
—
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 20 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
集电极基时间常数
（ IE = 20 MADC ， VCB = 20伏， F = 31.8兆赫）
噪声系数
（ IC = 100
m
ADC ， VCE = 10 VDC ， RS = 1.0千欧， F = 1.0千赫）
fT
科博
CIBO
缺氧缺血性脑病
2.0
0.25
HRE
—
—
的hFE
50
75
HOE
5.0
25
rb'Cc
NF
—
—
35
200
150
4.0
ps
dB
300
375
8.0
4.0
—
8.0
1.25
X 10– 4
300
—
—
—
8.0
25
兆赫
pF
pF
k
m
姆欧
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = 30 V直流， VBE （关闭） = -2.0伏，
集成电路= 150 MADC ， IB1 = 15 MADC ） （图1）
（ VCC = 30 V直流， IC = 150 MADC ，
IB1 = IB2 = 15 MADC ） （图2）
td
tr
ts
tf
—
—
—
—
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
1.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S，占空比
2.0%.
2. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
v
v
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
P2N2222A
切换时间等效测试电路
+ 30 V
+16 V
0
–2 V
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
1 k
＆ LT ; 2纳秒
200
+16 V
0
CS * < 10 pF的
–14 V
< 20纳秒
1k
1N914
–4 V
CS * < 10 pF的
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
+ 30 V
200
范围上升时间< 4纳秒
*测试夹具的总并联电容，
连接器和示波器。
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
1000
700
500
的hFE ， DC电流增益
300
200
TJ = 125°C
25°C
100
70
50
30
20
10
0.1
–55°C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ，集电极电流（毫安）
50
70
100
200
300
500 700 1.0 k
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
TJ = 25°C
0.8
0.6
IC = 1.0毫安
10毫安
150毫安
500毫安
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
IB ，基极电流（毫安）
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
图4.集电极饱和区
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
P2N2222A
200
100
70
50
T， TIME （ NS ）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0 7.0
10
200 300
20 30
50 70 100
IC ，集电极电流（毫安）
500
IC / IB = 10
TJ = 25°C
TR @ VCC = 30 V
TD @ VEB （关闭） = 2.0 V
TD @ VEB （关闭） = 0
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
IC ，集电极电流（毫安）
300
500
T的TS = - 1/8 TF
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
tf
图5.转向 - 时间
图6.打开 - 关闭时间
10
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 1.0 mA时， RS = 150
500
A,
RS = 200
100
A,
RS = 2.0千欧
50
A,
RS = 4.0千欧
RS =优化
RS =
来源
RS =
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 50
A
100
A
500
A
1.0毫安
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50 100
0
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
男，频率（KHz ）
RS ，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
电容（pF）
CEB
10
7.0
5.0
建行
3.0
2.0
0.1
500
VCE = 20 V
TJ = 25°C
300
200
100
70
50
1.0
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向电压（伏）
20 30
50
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ，集电极电流（毫安）
50
70 100
图9.的电容
图10.电流增益带宽积
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
P2N2222A
1.0
TJ = 25°C
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 10 V
0.4
1.0 V
系数（MV /
°
C)
V，电压（V ）
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
– 2.5
0.1 0.2
50 100 200
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
IC ，集电极电流（毫安）
500 1.0 k
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200
IC ，集电极电流（毫安）
500
R
q
VB的VBE
R
q
VC的VCE （SAT）
+0.5
0.2
图11. “开”电压
图12.温度系数
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
TRANSYS
电子
L I M I T E
NPN硅平面开关晶体管
P2N2222
P2N2222A
EBC
TO-92
互补硅晶体管开关和线性的应用
直流放大器&驱动程序用于工业应用。
绝对最大额定值（Ta = 25deg C除非另有说明）
描述
符号
2222
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流
功率耗散@ TA = 25摄氏度
减免上述25deg
@ TC = 25摄氏度
减免上述25deg
工作和存储结
温度范围
热阻
结到外壳
结到环境
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
30
60
5.0
2222A
40
75
6.0
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/摄氏度
W
毫瓦/摄氏度
摄氏度
600
625
5
1.5
12
-55到+150
RTH （J -C ）
Rth的第（j-一）
83.3
200
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
2222
VCEO
IC=10mA,IB=0
>30
集电极发射极电压
VCBO
IC=10uA.IE=0
>60
集电极基极电压
VEBO
IE =为10uA ， IC = 0
>5.0
发射极 - 基极电压
ICBO
VCB = 50V ， IE = 0
<10
集电极切断电流
VCB = 60V ， IE = 0
-
TA = 150℃
VCB = 50V ， IE = 0
<10
VCB = 60V ， IE = 0
-
ICEX
VCE = 60V ， VBE = 3V
-
ICEO
VCE = 10V ， IB = 0
<10
IEBO
VEB = 3V ， IC = 0
-
射极切断电流
IBEX
VCE = 60V ， VBE = 3V
-
基切断电流
<0.4
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （星期六） * IC = 150毫安， IB = 15毫安
IC=500mA,IB=50mA
<1.6
VBE （星期六） * IC = 150毫安， IB = 15毫安
<1.3
基极发射极饱和电压
IC=500mA,IB=50mA
<2.6
2222A
>40
>75
>6.0
-
<10
-
<10
<10
<10
<10
<20
<0.3
<1.0
0.6-1.2
<2.0
单位
V
V
V
nA
nA
uA
uA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
P2N2222 ， P2N2222A
描述
符号测试条件
2222
2222A
的hFE
IC=0.1mA,VCE=10V
>35
>35
直流电流增益
IC=1mA,VCE=10V
>50
>50
IC=10mA,VCE=10V
>75
>75
IC=10mA,VCE=10V
-
>35
TA = 55℃下
IC=150mA,VCE=10V
100-300
100-300
IC=150mA,VCE=1V
>50
>50
IC=500mA,VCE=10V
>30
>40
动态特性
所有的F = 1kHz时
的hFE
IC = 1mA时， VCE = 10V
-
50-300
小信号电流增益
IC = 10毫安， VCE = 10V
-
75-375
缺氧缺血性脑病
IC = 1mA时， VCE = 10V
-
2.0-8.0
输入Inpedence
IC = 10毫安， VCE = 10V
-
0.25-1.25
HRE
IC = 1mA时， VCE = 10V
-
8.0 x 10-4
电压反馈比例
IC = 10毫安， VCE = 10V
-
4.0
HOE
IC = 1mA时， VCE = 10V
-
5.0-35
放出来Adimttance
IC = 10毫安， VCE = 10V
25-200
rb'Cc
IE = 20mA时， VCB = 20V
-
<150
集电极基时间常数
f=31.8MHz
NF
IC = 100uA的， VCE = 10V
-
<4.0
噪声系数
卢比= 1kohms中，f = 1kHz时
动态特性
晶体管频率
出，将电容
输入电容
单位
千欧
umhos
ps
dB
ft
COB
兴业银行
IC = 20mA时， VCE = 20V
f=100MHz
VCB = 10V ， IE = 0
f=1MHz
VEB = 0.5V ， IC = 0
f=1MHz
>250
<8.0
<30
>300
<8.0
<25
兆赫
pF
pF
开关时间
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
td
tr
ts
tf
IC=150mA,IB1=15mA
VCC=30V,VBE=0.5V
IC = 150毫安， IB1 =
IB2 = 15mA时VCC = 30V
-
<10
<25
<225
<60
ns
ns
ns
ns
-
*脉冲条件：长度= 300US ，占空比= 2 ％
TO- 92塑料包装
B
TO- 92晶体管上的磁带和弹药包
AMM 包装风格
M EC h的IC AL ATA
在向对希德ê广告hesive胶带
P
h
A
A1
(p)
FE ê
D
arrier
条
A
h
T
3 2 1
H1
H0
L
LA为L
FL舷侧
8.2"
W2
Wo
W1
W
K
t1
t
F1
F
P2
Po
F2
Do
1 3英寸
1. 7
7"
D
3
E
2
1
项
平虏身份证电子华氏度陈德良体管和
广告hesive带Visib乐
20 00件/ A M P莫ACK
在MM都暗淡ensions除非指定otherw ISE
SYM BO L
A1
A
T
P
Po
SPEC IFICATIO
REM方舟
M IN 。否M 。 M AX 。于升。
4.8
4.0
5.2
4.8
4.2
3.9
12.7
±1
12.7
± 0.3 CUM ü LAT IVE PIT CH
这种现象以1.0米米/ 20
沥青
6.35
± 0.4为M EASU RED AT
BOT TOM华氏度CLIN CH
+0.6
5.08
-0.2
0
1
AT BO DY到P
18
± 0.5
6
± 0.2
9
+0.7
-0.5
0.5
± 0.2
16
± 0.5
23.25
11.0
4
± 0.2
1.2
t1 0.3 - 0.6
2.54
+0.4
-0.1
3
6N
D
G
A A
SEC AA
BOD W IDT
BOD年小时EIG HT
BOD 牛逼HICKNESS
对C OM PO新界东北PITCH
FEED何LE PIT CH
F
F
暗淡
A
分钟。
4.32
4.45
3.18
0.41
0.35
马克斯。
5.33
5.20
4.19
0.55
0.50
FEED何乐中心
CO M分量中心
DISTAN CE之间的VC UTER
LEADS
CO M分量ALIGN M EN牛逼
TAPE W ID
HO LD -DO W N TAPE W ID
何乐PO SITIO
HO LD -DO W N TAPE POSIT IO
LEAD W IRE 林奇HEIG HT
CO M分量HEIGHT
冷TH华氏度剪断LEADS
FEED何乐DIAM ET ER
TO TAPE TAL THIC KNESS
铅 - 要 - 铅DISTANCEF 1 ，
医务室H高度
拉 - UT F或CE
P2
F
h
W
Wo
W1
W2
Ho
H1
L
Do
t
F2
H2
(P)
3 2 1
在MM都diminsions 。
B
C
D
E
F
G
H
K
H
C
引脚配置
1.发射器
2.基
3.收集
5度
1.14
1.40
1.14
1.53
12.70
—
OT ES
1 。 MAX IM UMAL IG NMENTDEV IAT IO NBETWEENLEADSNOTTOBEG RE AT ERTHAN 0 0.2毫米。
2 。 MAX IM UMNON -CUMUL AT IV E VA IAT IO NBETWEEN TA PEFEEDHOLESSHALLNOTEX CEED 1毫米的2 0
P IT建华（E S） 。
3 。 HOLDDOWN TA PENOT TO EXCEEDBEYONDTHEEDGE （S ） OFCARR IE浏览器TA PEANDTHERESHALLBENO
E X P 2 O 5 S ü ê F A深高（E S） IV E 。
4 。 NOMORETHAN 3 CONSECUT IV EM是S IN GCOMPONENTSAREPERM IT TED 。
5 。一个TA PETRA IL ER ，H AV G中AT LEASTTHREEFEEDHOLESAR EREQU IR EDAFTERTHELASTCOMPONE T.
6 。 SPL IC ESSHALLNOT在TERFEREW IT HTHESPROCKETFEEDHOLES 。
包装细节
包
详细
TO-92散装
TO-92 T&A
1K/polybag
2K /弹药箱
标准包装
净重量/数量
200克/ 1K个
645克/ 2K个
SIZE
3" X 7.5" X 7.5"
12.5 ＆ QUOT ; X 8英寸×1.8 ＆ QUOT ;
内箱箱
数量
5.0K
2.0K
SIZE
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
外箱BOX
数量
80.0K
32.0K
克重量
23公斤
12.5公斤
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过P2N2222A / D
放大器晶体管
NPN硅
集热器
1
2
BASE
3
辐射源
P2N2222A
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
40
75
6.0
600
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格17
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 3.0伏）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ， TA = 150 ° C）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 3.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 10 V）
基地截止电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 3.0伏）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICEX
ICBO
—
—
IEBO
ICEO
IBEX
—
—
—
0.01
10
10
10
20
NADC
NADC
NADC
40
75
6.0
—
—
—
—
10
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
P2N2222A
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， TA = -55°C ）
（IC = 150 MADC ， VCE = 10伏）（1）
（IC = 150 MADC ， VCE = 1.0伏）（1）
（IC = 500 MADC ， VCE = 10伏）（1）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
的hFE
35
50
75
35
100
50
40
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
0.6
—
1.2
2.0
0.3
1.0
VDC
—
—
—
—
300
—
—
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 20 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
集电极基时间常数
（ IE = 20 MADC ， VCB = 20伏， F = 31.8兆赫）
噪声系数
（ IC = 100
m
ADC ， VCE = 10 VDC ， RS = 1.0千欧， F = 1.0千赫）
fT
科博
CIBO
缺氧缺血性脑病
2.0
0.25
HRE
—
—
的hFE
50
75
HOE
5.0
25
rb'Cc
NF
—
—
35
200
150
4.0
ps
dB
300
375
8.0
4.0
—
8.0
1.25
X 10– 4
300
—
—
—
8.0
25
兆赫
pF
pF
k
m
姆欧
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = 30 V直流， VBE （关闭） = -2.0伏，
集成电路= 150 MADC ， IB1 = 15 MADC ） （图1）
（ VCC = 30 V直流， IC = 150 MADC ，
IB1 = IB2 = 15 MADC ） （图2）
td
tr
ts
tf
—
—
—
—
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
1.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S，占空比
2.0%.
2. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
v
v
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
P2N2222A
切换时间等效测试电路
+ 30 V
+16 V
0
–2 V
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
1 k
＆ LT ; 2纳秒
200
+16 V
0
CS * < 10 pF的
–14 V
< 20纳秒
1k
1N914
–4 V
CS * < 10 pF的
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
+ 30 V
200
范围上升时间< 4纳秒
*测试夹具的总并联电容，
连接器和示波器。
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
1000
700
500
的hFE ， DC电流增益
300
200
TJ = 125°C
25°C
100
70
50
30
20
10
0.1
–55°C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ，集电极电流（毫安）
50
70
100
200
300
500 700 1.0 k
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
TJ = 25°C
0.8
0.6
IC = 1.0毫安
10毫安
150毫安
500毫安
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
IB ，基极电流（毫安）
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
图4.集电极饱和区
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
P2N2222A
200
100
70
50
T， TIME （ NS ）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0 7.0
10
200 300
20 30
50 70 100
IC ，集电极电流（毫安）
500
IC / IB = 10
TJ = 25°C
TR @ VCC = 30 V
TD @ VEB （关闭） = 2.0 V
TD @ VEB （关闭） = 0
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
IC ，集电极电流（毫安）
300
500
T的TS = - 1/8 TF
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
tf
图5.转向 - 时间
图6.打开 - 关闭时间
10
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 1.0 mA时， RS = 150
500
A,
RS = 200
100
A,
RS = 2.0千欧
50
A,
RS = 4.0千欧
RS =优化
RS =
来源
RS =
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 50
A
100
A
500
A
1.0毫安
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50 100
0
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
男，频率（KHz ）
RS ，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
电容（pF）
CEB
10
7.0
5.0
建行
3.0
2.0
0.1
500
VCE = 20 V
TJ = 25°C
300
200
100
70
50
1.0
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向电压（伏）
20 30
50
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ，集电极电流（毫安）
50
70 100
图9.的电容
图10.电流增益带宽积
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
P2N2222A
1.0
TJ = 25°C
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 10 V
0.4
1.0 V
系数（MV /
°
C)
V，电压（V ）
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
– 2.5
0.1 0.2
50 100 200
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
IC ，集电极电流（毫安）
500 1.0 k
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200
IC ，集电极电流（毫安）
500
R
q
VB的VBE
R
q
VC的VCE （SAT）
+0.5
0.2
图11. “开”电压
图12.温度系数
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过P2N2222A / D
放大器晶体管
NPN硅
集热器
1
2
BASE
3
辐射源
P2N2222A
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
40
75
6.0
600
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格17
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 3.0伏）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ， TA = 150 ° C）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 3.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 10 V）
基地截止电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 3.0伏）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICEX
ICBO
—
—
IEBO
ICEO
IBEX
—
—
—
0.01
10
10
10
20
NADC
NADC
NADC
40
75
6.0
—
—
—
—
10
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
P2N2222A
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， TA = -55°C ）
（IC = 150 MADC ， VCE = 10伏）（1）
（IC = 150 MADC ， VCE = 1.0伏）（1）
（IC = 500 MADC ， VCE = 10伏）（1）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
的hFE
35
50
75
35
100
50
40
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
0.6
—
1.2
2.0
0.3
1.0
VDC
—
—
—
—
300
—
—
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 20 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
集电极基时间常数
（ IE = 20 MADC ， VCB = 20伏， F = 31.8兆赫）
噪声系数
（ IC = 100
m
ADC ， VCE = 10 VDC ， RS = 1.0千欧， F = 1.0千赫）
fT
科博
CIBO
缺氧缺血性脑病
2.0
0.25
HRE
—
—
的hFE
50
75
HOE
5.0
25
rb'Cc
NF
—
—
35
200
150
4.0
ps
dB
300
375
8.0
4.0
—
8.0
1.25
X 10– 4
300
—
—
—
8.0
25
兆赫
pF
pF
k
m
姆欧
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = 30 V直流， VBE （关闭） = -2.0伏，
集成电路= 150 MADC ， IB1 = 15 MADC ） （图1）
（ VCC = 30 V直流， IC = 150 MADC ，
IB1 = IB2 = 15 MADC ） （图2）
td
tr
ts
tf
—
—
—
—
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
1.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S，占空比
2.0%.
2. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
v
v
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
P2N2222A
切换时间等效测试电路
+ 30 V
+16 V
0
–2 V
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
1 k
＆ LT ; 2纳秒
200
+16 V
0
CS * < 10 pF的
–14 V
< 20纳秒
1k
1N914
–4 V
CS * < 10 pF的
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
+ 30 V
200
范围上升时间< 4纳秒
*测试夹具的总并联电容，
连接器和示波器。
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
1000
700
500
的hFE ， DC电流增益
300
200
TJ = 125°C
25°C
100
70
50
30
20
10
0.1
–55°C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ，集电极电流（毫安）
50
70
100
200
300
500 700 1.0 k
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
TJ = 25°C
0.8
0.6
IC = 1.0毫安
10毫安
150毫安
500毫安
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
IB ，基极电流（毫安）
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
图4.集电极饱和区
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
P2N2222A
200
100
70
50
T， TIME （ NS ）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0 7.0
10
200 300
20 30
50 70 100
IC ，集电极电流（毫安）
500
IC / IB = 10
TJ = 25°C
TR @ VCC = 30 V
TD @ VEB （关闭） = 2.0 V
TD @ VEB （关闭） = 0
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
IC ，集电极电流（毫安）
300
500
T的TS = - 1/8 TF
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
tf
图5.转向 - 时间
图6.打开 - 关闭时间
10
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 1.0 mA时， RS = 150
500
A,
RS = 200
100
A,
RS = 2.0千欧
50
A,
RS = 4.0千欧
RS =优化
RS =
来源
RS =
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 50
A
100
A
500
A
1.0毫安
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50 100
0
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
男，频率（KHz ）
RS ，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
电容（pF）
CEB
10
7.0
5.0
建行
3.0
2.0
0.1
500
VCE = 20 V
TJ = 25°C
300
200
100
70
50
1.0
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向电压（伏）
20 30
50
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ，集电极电流（毫安）
50
70 100
图9.的电容
图10.电流增益带宽积
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
P2N2222A
1.0
TJ = 25°C
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 10 V
0.4
1.0 V
系数（MV /
°
C)
V，电压（V ）
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
– 2.5
0.1 0.2
50 100 200
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
IC ，集电极电流（毫安）
500 1.0 k
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200
IC ，集电极电流（毫安）
500
R
q
VB的VBE
R
q
VC的VCE （SAT）
+0.5
0.2
图11. “开”电压
图12.温度系数
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
查看更多P2N2222PDF信息
推荐型号
PIC16LC715-20I/SS
PIC16LC72T-10I/SP
PEEL18CV8P-10
PS2501L-1N-E4
P170N-F15AR100K
PJ-A2980-60.0
PDA17-SS30-102BF
PIC16F946T-I/SOQTP
PTA3053-2215CIB203
PSD833F2-12MT
PT2126-F8N-RSN1-J
PSD953F2-20U
PCM1748
PQ48150HTA11PRS
PTMA402050A3AD
PI7C8148ANJE
PI74FCT2374TS
PNN1305-6R8
PRV61QPLCWLHCD
PLC-R010-5
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    P2N2222
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
P2N2222
√ 欧美㊣品
▲10/11+
7902
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
P2N2222
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9009
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多P2N2222供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！