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NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P2503NVG
SOP-8
LEAD -FREE
产品概述
V
（ BR ） DSS
N沟道
P沟道
30
-30
R
DS （ ON）
25mΩ
45mΩ
I
D
7A
-5A
G：门
D：漏
S：源
绝对最大额定值（T
C
= 25
°C
除非另有说明）
参数/测试条件
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
结&存储温度范围
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
N沟道P沟道
30
±20
7
6
20
2
1.3
-55到150
-30
±20
-5
-4
-20
W
°C
A
单位
V
V
热电阻额定值
热阻
结到环境
1
2
符号
R
θJA
典型
最大
62.5
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1%
电气特性（T
C
= 25
°C,
除非另有说明）
范围
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
30
-30
1
-1
1.5
-1.5
2.5
-2.5
V
民
TYP MAX
单位
1
May-12-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P2503NVG
SOP-8
LEAD -FREE
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
±100
±100
1
-1
10
-10
20
-20
25
58
18
34
19
11
37
80
nA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55 ° C N -CH
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55 °C
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
A
通态漏电流
1
I
D（上）
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
A
漏源
阻力
1
导通状态
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4A
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 7A
V
GS
= -10V ，我
D
= -5A
mΩ
25
45
正向跨导
1
g
fs
V
DS
= 5V ，我
D
= 7A
V
DS
= -5V ，我
D
= -5A
S
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
2
栅极 - 漏极电荷
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
N沟道
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
P沟道
P沟道
N沟道
P沟道
P沟道
N沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 7A
P沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= -10V,
I
D
= -5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
790
690
175
310
65
75
16
14
2.5
2.2
2.1
1.9
nC
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的N-CH
2
May-12-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P2503NVG
SOP-8
LEAD -FREE
导通延迟时间
2
上升时间
2
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
N沟道
V
DD
= 10V
I
D
1A ，V
GS
= 10V ，R
根
= 6Ω
P沟道
V
DD
= -10V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
2.2
6.7
7.5
9.7
11.8
19.8
3.7
12.3
4.4
13.4
15
19.4
21.3
35.6
7.4
22.2
nS
打开-O FF延迟时间
2
2
下降时间
I
D
-1A ，V
GS
= -10V ，R
根
= 6Ω P -CH
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25
°C)
连续电流
I
S
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= 1A ，V
GS
= 0V
V
SD
I
F
= -1A ，V
GS
= 0V
1
2
1.3
-1.3
2.6
-2.6
1
-1
V
A
脉冲电流
3
I
SM
正向电压
1
N沟道
P沟道
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注：标有“ P2503NVG ” ，日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXG部分名称放置。
3
May-12-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P2503NVG
SOP-8
LEAD -FREE
N沟道
体二极管正向电压的变化与源电流和温度
100
V
GS
= 0V
是 - 反向漏电流（ A）
10
T
A
= 125
°
C
1
25
°
C
0.1
-55
°
C
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
- 体二极管正向电压（ V）
1.2
1.4
4
May-12-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P2503NVG
SOP-8
LEAD -FREE
5
May-12-2004
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PE44206
PSD913F4V-90U
PIC16C84-04/P
P1011U3WMWCNG2
PAG.M0.4GL.AC52N
PSD834F4V-15JIT
PSD934F3-12MI
PL611-05XXXTC-R
PME271Y447MR30
PACDN005QT
PSD4135F2V-B-12UI
PSD835F1-70U
PIC17C43T-08I/P
P1330R-333K
PSD9333V20MIT
PLP10-044C
PSD813F5V-20J
PSD833F5V-20MT
P3Z9ABT900W12
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    P2503NVG
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