2006年11月
版本1.1
峰值抑制EMI解决方案
特点
P2180 / 81 / 82 / 83 / 84
FCC批准EMI衰减的方法。
提供了到15dB的EMI抑制。
生成一个1X低EMI的扩频时钟
从输入频率。
优化的频率范围：
八流传％的选择：
± 0.625 ％至-3.5 ％ 。
3.3V工作电压。
CMOS / TTL兼容的输入和输出。
低功耗CMOS设计。
支持笔记本VGA等LCD时序
控制器应用。
简易替换赛普拉斯W180 / 1 。
产品可用于工业级温度
范围内。
提供8引脚SOIC和TSSOP封装。
P2180 / 84 ： 20MHz至40MHz的
P2181 ：为60MHz至160MHz
P2182 / 83 ： 10MHz至20MHz的
环
滤波器
最小化
外
国内
元器件和电路板空间。
可选价差期权：向下传播和
中心传播。
低固有周期到周期抖动。
产品说明
该P2180 / 81X是一款多功能的扩频
频率调制器专门用于所设计的
大范围的时钟频率从20MHz至
为40MHz至60MHz至160MHz
（请参阅输入
频率和调制率表。 ）
该
P2180 / 81X可产生EMI降低时钟
形成的OSC或产生的系统时钟。该
P2180/81A
to
P2180/81D
提供
各个
传播的选择和比例组合
偏差。
（请参阅传播偏差选择
表。 ）
这些组合包括羽绒
传播中心和百分比偏差范围
从± 0.625 ％至-3.50 ％ 。
该
P2180/81X
减少
电磁
干扰（EMI）的时钟源，从而允许
全系统减少停机流时钟的EMI
与数据相关的信号。该P2180 / 81X允许
显著积蓄通过降低系统成本
的电路板层与屏蔽数
传统上必须通过EMI规范。
该P2180 / 81X调节单一的输出
PLL以“传播”的带宽
合成的时钟，由此降低峰值
其谐波幅值。这导致
显著降低系统的EMI相比
由振荡器产生的典型的窄带信号
最时钟发生器。降低电磁干扰
增加信号的带宽被称为传播
频谱时钟发生器。
该P2180 / 81X采用了最有效，最
经FCC优化调制曲线
并且，通过使用一个专有的全数字化的实现
方法。
应用
该P2180 / 81X的目标是向EMI
管理内存和LVDS接口
移动图形芯片和高速数字
的应用，如个人计算机的外围设备，
消费类电子产品，以及嵌入式控制器
系统。
PulseCore半导体公司
1715 S.巴斯科姆大道套房200 ，坎贝尔，CA 95008
联系电话： 408-879-9077
传真： 408-879-9018
www.pulsecoresemi.com
注意：本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
2006年11月
版本1.1
框图
SR的
VDD
P2180 / 81 / 82 / 83 / 84
调制
XIN
水晶
振荡器
XOUT
反馈
分频器
频率
分频器
相
探测器
环
滤波器
PLL
VCO
产量
分频器
MODOUT
VSS
引脚图
XIN
1
NC
2
VSS
3
SR的
4
XIN
1
8
NC
8
XOUT
NC
2
VSS
3
SR的
4
P2180X
P2181X
P2182X
7
NC
6
VDD
5
MODOUT
P2183X
P2184X
7
NC
6
VDD
5
MODOUT
引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
8*
引脚名称
XIN
NC
VSS
SR的
MODOUT
VDD
NC
NC
XOUT
TYPE
I
P
I
O
P
无连接。
描述
连接到外部产生的时钟信号或晶体。
地面到整个芯片。
传播范围选择。用于选择频率偏差的数字逻辑输入（参见
价差偏离选择表） 。该引脚具有内部上拉电阻。
扩频低EMI输出。
连接到+ 3.3V 。
无连接。
无连接。
O
水晶连接。
*适用于P2183和P2184只。
低EMI时钟为移动VGA
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2 9
2006年11月
版本1.1
输入频率和调制速率
产品型号
P2180/P2184
P2181
P2182/P2183
输入频率范围（MHz ）
20至40
60至160
10至20
P2180 / 81 / 82 / 83 / 84
输出频率范围（MHz ）
20至40
60至160
10至20
调制速率
输入频率/ 768
输入频率/ 2048
待定
价差偏离选择
产品型号
P2180/1/2/3/4
A
P2180/1/2/3/4
B
P2180/1/2/3/4
C
P2180/1/2/3/4
D
SR的
0
1
0
1
0
1
0
1
价差偏离
-1.25 ％ （下）
-1.75 ％ （下）
± 1.25 ％ （中心）
± 1.75 ％ （中心）
-2.50 ％ （下）
-3.50 （下）
± 0.625 ％ （中心）
± 0.875 ％ （中心）
绝对最大额定值
符号
VDD ，V
IN
T
英镑
T
A
T
s
T
J
T
DV
储存温度
工作温度
马克斯。焊接温度（ 10秒）
结温
静电放电电压（按照JEDEC STD22- A114 -B ）
参数
电压的任何引脚对地
等级
-0.5到+4.6
-65到+125
0至+70
260
150
2
单位
V
°C
°C
°C
°C
KV
注：上述参数仅是不是暗示了使用功能。暴露在绝对最大额定值为长时间可能会影响
器件的可靠性。
低EMI时钟为移动VGA
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2006年11月
版本1.1
DC电气特性
除非另有说明，V
DD
= 3.3V和T
A
=25°C
P2180 / 81 / 82 / 83 / 84
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
I
XOL
I
XOH
V
OL
V
OH
I
CC
I
DD
V
DD
t
ON
Z
OUT
输入低电压
输入高电压
参数
民
GND - 0.3
-
-60.0
-
2.00
-
-
2.8
8.6 f
IN
- 分
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.5
3.3
-
-
最大
0.8
V
DD
+ 0.3
-20.0
1.00
12.00
12.00
0.4
-
27.0 f
IN
- MAX
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
mA
mA
V
V
mA
mA
V
mS
低输入电流（输入SRS ）
输入高电流
X
OUT
输出低电平电流（ @ 0.4V ，V
DD
= 3.3V)
X
OUT
高输出电流（ @ 2.5V ，V
DD
= 3.3V)
输出低电压（V
DD
= 3.3V ，我
OL
= 20mA下）
输出高电压（V
DD
= 3.3V ，我
OH
= 20mA下）
动态电源电流正常模式（ 3.3V和
10pF的负载）
静态电源电流待机模式
工作电压
上电时间（第一锁定时钟周期后，电力
上）
时钟输出阻抗
AC电气特性
符号
f
IN
f
OUT
t
LH
*
t
HL
*
t
JC
t
D
输入频率
输出频率
输出上升时间（在0.8V至2.0V测量）
输出下降时间（在2.0V至0.8V测量）
抖动（周期循环）
输出占空比
参数
民
10
10
-
-
-200
45
典型值
-
-
0.69
0.66
-
50
最大
160
160
-
-
200
55
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
ps
%
* t
LH
和T
HL
被测量成为15pF的电容性负载
低EMI时钟为移动VGA
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2006年11月
版本1.1
包装信息
8引脚SOIC封装
P2180 / 81 / 82 / 83 / 84
E
H
D
A2
A
θ
e
B
A
1
C
L
D
尺寸
符号
民
A1
A
A2
B
C
D
E
e
H
L
θ
英寸
最大
0.010
0.069
0.059
0.020
0.010
0.004
0.053
0.049
0.012
0.007
MILLIMETERS
民
最大
0.10
1.35
1.25
0.31
0.18
4.90 BSC
3.91 BSC
1.27 BSC
6.00 BSC
0.41
0°
1.27
8°
0.25
1.75
1.50
0.51
0.25
0.193 BSC
0.154 BSC
0.050 BSC
0.236 BSC
0.016
0°
0.050
8°
注：控制尺寸为毫米。
SOIC ： 0.074克单位重量。
低EMI时钟为移动VGA
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