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STP16NE06
STP16NE06FP
N - CHANNEL 60V - 0.08
- 16A - TO- 220 / TO- 220FP
的STripFET 功率MOSFET
初步数据
TYPE
STP16NE06
STP16NE06FP
s
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS （ ON）
< 0.100
< 0.100
I
D
16 A
11 A
典型
DS （ ON）
= 0.08
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
175
o
C的工作温度
DV dt能力高/
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
SGS - THOMSON独有"Single功能Size"
过程，由此单个本体被植入于一
带布局结构。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
直流电机控制
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
同步整流
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
V
ISO
dv / dt的
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
绝缘耐压（ DC ）
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
TO-220FP
内部原理图
价值
STP16NE06
STP16NE06FP
60
60
±
20
16
10
64
60
0.4
6
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
16 A ， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
单位
V
V
V
11
7
64
30
0.2
2000
A
A
A
W
o
W / C
V
V / ns的
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
新的RDS（on ）规格。从98年7月开始
’
1998年6月
1/9
STP16NE06/FP
热数据
TO-220
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
2.5
62.5
0.5
300
TO-220FP
5
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
最大值
16
80
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
60
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
o
C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
I
GSS
开（ *）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值
电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 8 A
16
分钟。
2
典型值。
3
0.080
马克斯。
4
0.100
单位
V
A
论国有漏电流V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=8 A
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
6
760
100
30
1000
140
45
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STP16NE06/FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 30 V
R
G
=4.7 W
V
DD
= 40 V
I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 16 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
10
35
20
5
7
马克斯。
80
40
30
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 48 V I
D
= 16 A
R
G
=4.7
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
7
18
30
马克斯。
10
25
45
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 16 A
I
SD
= 16 A
V
DD
= 30 V
V
GS
= 0
的di / dt = 100 A / μs的
o
T
j
= 150 C
70
0.21
6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
16
64
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP16NE06/FP
对于TO- 220热阻抗
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
4/9
STP16NE06/FP
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
STP16NE06L
STP16NE06L/FP
N - 沟道增强型
单一特征尺寸功率MOSFET
目标数据
TYPE
ST P16NE06L
ST P16NE06LFP
s
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS （ ON）
< 0.12
< 0.12
I
D
16 A
11 A
典型
DS （ ON）
= 0.09
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
175
o
C的工作温度
DV dt能力高/
面向应用
表征
TO-220
1
2
3
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
SGS - THOMSON独有的“单一特征尺寸”
过程，由此单个本体被植入于一
带布局结构。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
直流电机控制
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
同步整流
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
V
ISO
dv / dt的
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额F演员
绝缘W ithstand电压（DC ）
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。操作摄像结温
o
o
o
TO-220FP
内部原理图
价值
ST P16NE06L
STP16NE06LF P
60
60
±
15
16
10
64
60
0.4
6
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
16 A ， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
取消它
V
V
V
11
7
64
30
0.2
2000
A
A
A
W
W / C
V
V / ns的
o
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1997年10月
1/7
STP16NE06L/FP
热数据
T O服务- 220
R
吨HJ -CA SE
R
吨hj- AMB
R
thc- SI NK
T
l
热阻结案件
最大
2.5
62.5
0.5
300
T O服务- 220F P
5
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
SYMB OL
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
o
（起始物为
j
= 25℃ ，我
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
最大VALU ê
16
80
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
SYMB OL
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
60
1
10
100
典型值。
马克斯。
取消它
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
15V
T
c
= 125
o
C
开（ *）
SYMB OL
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
门牛逼hreshold电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 250
A
I
D
= 8 A
I
D
= 8 A
16
分钟。
2
典型值。
3
0.090
马克斯。
4
0.12
取消它
V
I
D（ 0：N ）
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON） MAX
V
GS
= 10 V
A
动态
SYMB OL
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试电导率银行足球比赛s
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON） MAX
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=8 A
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
6
800
100
50
马克斯。
取消它
S
pF
pF
pF
2/7
STP16NE06L/FP
电气特性
（续）
接通
SYMB OL
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启对T IME
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 30 V
R
G
=4.7 W
V
DD
= 40 V
I
D
= 8 A
V
GS
= 5V
I
D
= 16 A
V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
马克斯。
取消它
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
SYMB OL
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
秋季牛逼IME
交叉牛逼IME
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 48 V I
D
= 16 A
R
G
=4.7
V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
马克斯。
取消它
ns
ns
ns
源漏二极管
SYMB OL
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
转移O N个电压
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 16 A
I
SD
= 16 A
V
DD
= 30 V
V
GS
= 0
的di / dt = 100 A / μs的
o
T
j
= 150 C
1.5
测试电导率银行足球比赛s
分钟。
典型值。
马克斯。
取消它
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
3/7
STP16NE06L/FP
图。 1 ：
非钳位电感负载测试电路
图。 2 ：
非钳位感应波形
图。 3 ：
开关时间测试电路，用于
阻性负载
图。 4 ：
栅极电荷测试电路
图。 5 ：
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
4/7
STP16NE06L/FP
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
E
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
分钟。
0.173
0.048
0.094
4.40
1.23
2.40
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
A
C
D1
L2
F1
D
G1
DIA 。
F2
F
L5
L7
L6
L9
L4
G
H2
P011C
5/7
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P10TG-2405Z21H35M
PS2506L-1
PT5023M
PL34120191000JHDF
P74FCT640CTSO
P74FCT648ATSO
PSD935G1V-20JI
PR1005L-T
PT7LR
PCF2
PIC16F716_07
PIC16C73-04E/SO
PAM2301CAAB250
PS2007B
PIC16C621AT-20I/SS
PHP1N60E
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