多端口MicroCapacitance （ MC ）的SIDACtor设备
多端口MicroCapacitance （ MC ）
的SIDACtor
设备
1
(R
1
)
2
(G
1
)
3
(T
1
)
6
(T
2
)
5
(G
2
)
4
(R
2
)
多端口线MC保护是保护一个综合的，多芯片解决方案
多重双绞线过压条件。它是用于应用程序
敏感的加载值。通常情况下，高速连接需要较低的电容。
C
O
对于MC设备的值比标准UC设备低40 ％
基于六引脚表面贴装SOIC封装，相当于四个分立DO-
214AA或两个TO- 220封装，这使得它非常适用于人口密集，高
高速线卡，可买不起PCB的低效率或采用系列电源
电阻器。浪涌电流额定值高达500A的都可以。
的SIDACtor
装置被用来使能设备，以满足各种法规要求，包括GR 1089 ，
ITU K.20 ， K.21 ， K.45和，IEC 60950 ， UL 60950和TIA- 968 -A （前身为FCC 68部分） 。
电气参数
部分
号码*
P0084UC MC
P0304UC MC
P0644UC MC
P0724UC MC
P0904UC MC
P1104UC MC
P1304UC MC
P1504UC MC
P1804UC MC
P2304UC MC
P2604UC MC
P3104UC MC
P3504UC MC
V
DRM
伏
6
25
58
65
75
90
120
140
170
190
220
275
320
V
S
伏
25
40
77
88
98
130
160
180
220
260
300
350
400
V
DRM
伏
12
50
116
130
150
180
240
280
340
380
440
550
640
V
S
伏
50
80
154
176
196
260
320
360
440
520
600
700
800
V
T
伏
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
I
S
毫安
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
I
H
毫安
50
50
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
C
O
pF
30
30
30
30
30
25
25
25
20
20
20
20
20
针脚1-2 ， 3-2 ， 4-5 ， 6-5
引脚1-3 ， 4-6
*对于浪涌额定值，请参阅下表。
一般注意事项：
所有测量均在25℃的环境温度下进行。我
PP
适用于-40°C至+ 85 °C温度范围。
I
PP
是重复浪涌额定值，并且保证了产品的使用寿命。
上市
的SIDACtor
器件是双向的。所有电气参数和浪涌额定值适用于正向和反向极性。
V
DRM
的测量是在我
DRM 。
V
S
的测量是在100伏/微秒。
特殊电压（V
S
和V
DRM
）和保持电流（I
H
）规定，可根据要求提供。
关态电容（C
O
）的测量是在1MHz以2V的偏压。
浪涌额定值
I
PP
2×10微秒
安培
500
I
PP
8x20微秒
安培
400
I
PP
10x160微秒
安培
200
I
PP
10x560微秒
安培
150
I
PP
10x1000微秒
安培
100
I
TSM
60赫兹
安培
50
的di / dt
安/微秒
500
系列
C
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+1 972-580-7777
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的SIDACtor
2004 Littelfuse公司
数据手册和设计指南
多端口MicroCapacitance （ MC ）的SIDACtor设备
散热注意事项
包
莫迪网络编MS- 013
6
5
4
1
2
3
符号
T
J
T
S
R
θJA
参数
工作结温范围
存储温度范围
热阻：结到环境
价值
-40到+150
-65到+150
60
单位
°C
°C
° C / W
+I
+I
I
PP
- 峰值脉冲电流 - ％I
PP
t
r
=上升时间峰值
t
d
=衰减时间价值的一半
I
T
I
T
I
S
S
I
H
I
DRM
-V
-V
V
T
V
T
V
DRM
V
DRM
V
S
V
S
100
PEAK
价值
波形= T
r
x深
d
+V
+V
50
半值
0
0
t
r
t
d
吨 - 时间（μs ）
-I
-I
的V-I特性
t
r
x深
d
脉搏波形
14
V的百分比
S
CHANGE - ％
10
I
H
(T
C
= 25 C)
12
8
6
4
2
0
-4
-6
-8
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
H
25 C
25 C
比
外壳温度（T
C
) – C
结温（T
J
) – C
归V
S
改变与结温
归DC控股电流与外壳温度
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