STB11NM60FD - STB11NM60FD - 1
STP11NM60FD - STP11NM60FDFP
N沟道600V - 0.40Ω - 11A - TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK / I
2
PAK
FDmesh 功率MOSFET （具有快速二极管）
一般特点
TYPE
STB11NM60FD
STB11NM60FD-1
STP11NM60FD
STP11NM60FDFP
■
■
■
■
■
V
DSS
600V
600V
600V
600V
R
DS （ ON）
<0.45
<0.45
<0.45
<0.45
I
D
11A
11A
11A
11A
3
1
3
12
3
1
2
3
1
2
TO-220
TO-220FP
100％的雪崩测试
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
严密的过程控制和制造高
收益率
DPAK
DPAK
IPAK
内部原理图
描述
该FDmesh 联营各方优势
降低导通电阻和快速开关用
固有的快速恢复的体二极管。因此，它是
强烈建议在桥拓扑结构，在
特定的ZVS移相器。
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB11NM60FD
STB11NM60FD-1
STP11NM60FD
STP11NM60FDFP
记号
B11NM60FD
B11NM60FD
P11NM60FD
P11NM60FDFP
包
DPAK
IPAK
TO-220
TO-220FP
包装
磁带&卷轴
管
管
管
2006年7月
第9版
1/17
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17
目录
STB11NM60FD - STB11NM60FD - 1 - STP11NM60FD - STP11NM60FDFP
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
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STB11NM60FD - STB11NM60FD - 1 - STP11NM60FD - STP11NM60FDFP
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
TO-220/
DPAK / IPAK
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
漏源电压（V
gs
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
--
-65到150
11
7
44
160
0.88
20
2500
600
600
±30
11
(1)
7
(1)
44
(1)
35
0.28
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
单位
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
<11A ，二/ dt<400A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表2中。
热阻
价值
符号
参数
TO-220
DPAK / IPAK
单位
TO-220FP
3.57
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
R
THJ情况
热阻结案件最大
R
THJ -A
T
l
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.78
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩数据
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 35V)
价值
5.5
350
单位
A
mJ
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电气特性
STB11NM60FD - STB11NM60FD - 1 - STP11NM60FD - STP11NM60FDFP
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
=125°C
V
GS
= ±30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.5A
3
4
0.40
分钟。
600
1
100
±100
5
0.45
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
W
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 5.5A
分钟。
典型值。
5.2
900
350
35
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至
400V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
V
DD
= 400V ，我
D
= 11A,
V
GS
= 10V
（参见图15）
100
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
3
28
7.8
13
40
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
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STB11NM60FD - STB11NM60FD - 1 - STP11NM60FD - STP11NM60FDFP
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
电气特性
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 250V ，我
D
= 5.5A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（参见图14）
V
DD
= 400V ，我
D
= 11A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图16）
分钟。
典型值。
20
16
10
15
24
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 11A ，V
GS
= 0
I
SD
= 11A ，V
DD
= 50V
的di / dt = 100A / μs的，
（参见图19）
I
SD
= 11A ，V
DD
= 50V
的di / dt = 100A / μs的，
Tj=150°C
（参见图19）
140
680
A
260
1600
13
测试条件
民
典型值。
最大
11
44
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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