SMT功率电感
屏蔽鼓核 - P1168NL / P1169NL系列
身高：
4.5毫米最大
足迹：
12.2毫米X 12.2毫米最大
额定电流：
高达14A
电感值范围：
.32μH到750μH
电气规格@ 25°C - 工作温度-40 ° C至+ 130°C
部分
2,3
号码
P1168.501NL
P1168.102NL
P1168.162NL
P1168.242NL
P1168.332NL
P1168.452NL
P1168.562NL
P1168.682NL
P1168.103NL
P1168.123NL
P1168.153NL
P1168.183NL
P1168.223NL
P1168.273NL
P1168.333NL
P1168.393NL
P1168.473NL
P1168.563NL
P1168.683NL
P1168.823NL
P1168.104NL
P1168.124NL
P1168.154NL
P1168.184NL
P1168.224NL
P1168.274NL
P1168.334NL
P1168.394NL
P1168.474NL
P1168.564NL
P1168.684NL
P1168.824NL
P1168.105NL
*电感
at
电感
电感
I额定
5
@Irated
@0A
DC
(A
DC
)
(μH)
（ μH ）分
P1169.501NL
0.5
*
0.32
14
P1169.102NL
1.0
*
0.65
11
P1169.162NL
1.6
*
1.0
8.5
P1169.242NL
2.4
*
1.6
7.5
P1169.332NL
3.3
*
2.2
6.4
P1169.452NL
4.5
*
2.9
6.0
P1169.562NL
5.6
*
3.6
5.5
P1169.682NL
6.8
*
4.4
4.6
P1169.103NL
10
7.5
3.6
P1169.123NL
12
9.0
3.5
P1169.153NL
15
11.3
3.1
P1169.183NL
18
13.5
2.8
P1169.223NL
22
16.5
2.6
P1169.273NL
27
20.3
2.4
P1169.333NL
33
24.8
2.2
P1169.393NL
39
29.3
1.9
P1169.473NL
47
35.3
1.8
P1169.563NL
56
42.0
1.7
P1169.683NL
68
51.0
1.5
P1169.823NL
82
61.5
1.4
P1169.104NL
100
75.0
1.2
P1169.124NL
120
90.0
1.1
P1169.154NL
150
113
1.0
P1169.184NL
180
135
0.90
P1169.224NL
220
165
0.80
P1169.274NL
270
203
0.70
P1169.334NL
330
248
0.66
P1169.394NL
390
293
0.62
P1169.474NL
470
353
0.57
P1169.564NL
560
420
0.53
P1169.684NL
680
510
0.50
P1169.824NL
820
615
0.44
P1169.105NL
1000
750
0.40
0A
DC
宽容在指定的零件号为± 30 ％ ;有容乃
DCR （M
Ω
)
典型值
最大
1.9
2.3
3.0
3.7
5.4
6.3
6.9
8.1
9.5
11
11
13
13
15
18
22
29
35
32
37
40
47
48
58
55
67
67
79
76
94
101
126
112
140
129
157
169
202
191
232
222
270
252
316
346
456
385
497
506
681
596
775
764
955
870
1087
1150
1403
1283
1623
1493
1824
1924
2355
2174
2850
± 20％，在所有其他
饱和
当前
-25% (A)
18
14
10
8.1
7.3
6.4
5.7
5.2
4.1
3.8
3.3
2.9
2.7
2.4
2.2
2.0
1.9
1.7
1.5
1.4
1.2
1.1
1.0
0.90
0.80
0.70
0.66
0.62
0.57
0.53
0.50
0.44
0.40
件。
6
加热
7
磁芯损耗
8
SRF
当前
因素
（兆赫）
+40°C(A)
(K2)
14
100
>40
11
150
>40
8.5
180
>40
7.5
220
>40
6.4
260
>40
6.0
310
35
5.5
340
30
4.6
370
27
3.6
440
21
3.5
490
19
3.1
570
17
2.8
590
15
2.6
640
13
2.4
740
12
2.2
820
11
1.9
880
10
1.8
980
9.0
1.7
1000
8.0
1.6
1200
7.0
1.5
1300
6.0
1.4
1400
6.0
1.3
1500
5.5
1.1
1700
4.9
1.1
1900
4.4
0.93
2100
3.7
0.85
2300
3.3
0.75
2600
2.8
0.71
2800
2.6
0.61
3100
2.4
0.58
3300
2.2
0.54
3700
2.1
0.47
4000
1.7
0.45
4500
1.5
手记表：
（见第43页）
机械
P1168/P1169
.039
1,00
.315
8,00
P1168
.315
8,00
2
.197
5,00
.472
12,00
.039
1,00
1
.315
8,00
P1169
.315
8,00
2
.118
3,00
.472
12,00
.079
2,00
.482
12,24 2
最大
XXX
1
1
.482
12,24
最大
.177
4,50
最大
.075
1,91
.366
9,30
拟议的焊盘布局
.787
20,00
.134
3,40
.075
1,91
拟议的焊盘布局
结构图：
1
.228
5,80
重量
。 。 。 。 。 。 。 。 2.5克
磁带&卷轴
。 。 。 。 。 。 500 /卷
.492
12,50
.945
24,00
2
TAPE & REEL布局
尺寸：
英寸
mm
除非另有说明，所有公差为± 0.010
0,25
美国858 674 8100
德国49 7032 7806 0
新加坡65 6287 8998
上海
86 21 54643211 / 2
中国86 755 33966678
台湾886 3 4641811
www.pulseeng.com
37
SPM2007 （ 11/07 ）
SMT功率电感
屏蔽鼓芯系列
从表注意事项
（页27 - 42 ）
1.除非另有规定，所有试验是由在
100kHz时， 0.1VAC 。
2.可选磁带&卷筒包装可进行排序
添加"T"后缀的零件数（即P1166.102NL
成为P1166.102NLT ） 。脉冲符合行业
标准磁带和磁带&卷轴规格EIA481 。
3. "NL"后缀表示符合RoHS标准
号。非NL后缀部分不一定
符合RoHS标准，但在电气和机械
相当于本地语言版本。如果零件号码不
有"NL"后缀，但符合RoHS标准版
需要请联系脉冲的可用性。
组件4的温度（室温加
温度上升）必须指定操作内
温度范围。
5.额定电流（ I额定）列出要么是饱和
化电流或加热电流，这取决于
值较低。
6.饱和电流的Isat ，是当前在哪
分量感下降的表示
百分比（典型），在环境温度
25 ℃。这个电流是通过将所确定的
在规定的环境的环境成分和
施加短持续时间脉冲电流（消除
自热效应）的组分。
7.加热电流，IDC ，就是所需的直流电流
由所指示的，以提高该组件的温度
增量（约） 。加热电流是
通过安装部件上的决定
典型的PCB，并且施加电流30分钟。该
温度是通过将热电偶测得的
上的单元的被测顶部。
产品型号
PG0085/86
PG0087
PG0040/41
P1174
PF0601
PF0464
PF0465
P1166
P1167
PF0560NL
P1168/69
P1170/71
P1172/73
PF0552NL
PF0553NL
因子素养
(K0 )
2.3
5.8
0.8
0.8
4.6
3.6
3.6
1.9
2.1
5.5
4.8
4.3
5.6
8.3
7.1
磁芯损耗因子
(K1)
5.29E-10
15.2E-10
2.80E-10
6.47E-10
14.0E-10
24.7E-10
33.4E-10
29.6E-10
42.2E-10
136E-10
184E-10
201E-10
411E-10
201E-10
411E-10
8.在高电压*时间（ET ）或纹波电流应用中，额外
tional加热组件中可能会发生由于芯
其中可能需要降额电感损耗
为了限制的温度上升的电流
组件。为了确定近似总
损失（或温度上升），用于一个给定的应用，都
铜损和铁损应考虑到
帐户。
估计温升：
素养
= [总损失（MW ） / K0 ]
.833
(
o
C )
全损
=铜损+铁损（MW ）
铜损
= I
RMS
2
X DCR （典型值） （MW ）
IRMS
= [I
DC
2
+
ΔI
2
/12]
1/2
(A)
磁芯损耗
= K1 X F （千赫）
1.23
X北（GA ）
2.38
（ mW）的
北（峰峰值磁通密度）
= K2 X
ΔI
（嘎）
[ = K2 / L（ μH ）×逸（ V-微秒） （GA） ]
其中，为25kHz至1MHz之间的F变换，并且是北
超过2500高斯以下。
K2是一个核心的大小和线圈相关的值和
给出了每个P / N在程序数据表。
K0 & K1的平台和材料相关的常数
并给出在下表中为每个平台。
磁芯损耗/ K1 （MW ）
3.00E+10
2.50E+10
2.00E+10
1.50E+10
1.00E+10
0.50E+10
0
0
CoreLoss / K1 VS磁通密度
100KHz
200KHz
300KHz
400KHz
500KHz
700KHz
1.0MHz
500
1000
哪里
DB
= K2 X
DI
[= K2 / L（ μH ）×的Et （Ⅴ-微秒） ]
DB
（高斯）
1500
2000
2500
需注意，该组件的温度上升的变化取决于系统状态。有人建议，该
组分在系统级测试，以验证该组件的系统操作过程中的温度上升。
美国858 674 8100
德国49 7032 7806 0
新加坡65 6287 8998
上海
86 21 54643211 / 2
中国86 755 33966678
台湾886 3 4641811
www.pulseeng.com
43
SPM2007 （ 11/07 ）
QQ：2880707522 复制
