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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1208页 > P10NK60Z
STB10NK60Z / -1 - STP10NK60Z / FP
STW10NK60Z
N沟道600V - 0.65Ω -10A - TO220 / FP - D / IPAK - TO- 247
齐纳保护的超网 MOSFET
一般特点
TYPE
STB10NK60Z
STB10NK60Z-1
STP10NK60ZFP
STP10NK60Z
STW10NK60Z
s
s
s
s
s
s
包
R
DS （ ON）
<0.75
<0.75
<0.75
<0.75
<0.75
I
D
10 A
10 A
10 A
10 A
10 A
Pw
115
115
35
115
156
V
DSS
600
600
600
600
600
V
V
V
V
V
3
1
2
1
2
3
3
2
1
TO-220
TO-220FP
TO-247
典型
DS （ ON）
= 0.65
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
REPEABILITY
3
1
3
12
DPAK
IPAK
内部原理图
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压
MOSFET的
INCLUDING
革命的
的MDmesh 产品。
应用
s
s
大电流，高开关速度
IDEAL离线电源，
适配器和PFC
灯光
s
2005年7月
REV 1
1/19
www.st.com
19
1绝对最大额定值
STB10NK60Z / -1 - STP10NK60Z / FP - STW10NK60Z
1
表1中。
绝对最大额定值
绝对最大额定值
参数
价值
TO- 220 / D / IPAK TO- 220FP
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
记
2
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
10
5.7
600
600
± 30
10
（注3）
5.7
（注3）
36
（注3）
35
0.28
4000
4.5
--
2500
-55到150
--
10
5.7
TO-247
V
V
V
A
A
单位
符号
36
115
0.92
36
156
1.25
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
VESD （G -S ）
dv / dt的
记
1
V
ISO
T
j
T
英镑
摹-S ESD （ HBM C = 100pF电容， R = 1.5kΩ上）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压Volatge （ DC ）
工作结温
储存温度
表2中。
热数据
TO-220
IPAK
DPAK
TO- 220FP TO-247
3.6
60
62.5
300
50
0.8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
Rthj情况
RthJ -PCB
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
（当安装在最小的足迹）
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的
用途
1.09
2/19
STB10NK60Z / -1 - STP10NK60Z / FP - STW10NK60Z
表3中。
符号
I
AR
E
AS
E
AR
1绝对最大额定值
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或
不重复性（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AR
, V
DD
= 50V)
重复性雪崩能量
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
最大值
9
300
单位
A
mJ
3.5
mJ
表4 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
栅极 - 源
击穿电压
测试条件
Igs=±1mA
（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
1.1
栅极 - 源极齐纳保护功能
二极管
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
3/19
2电气特性
STB10NK60Z / -1 - STP10NK60Z / FP - STW10NK60Z
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
GS
= ±15V, V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
3
3.75
0.65
分钟。
600
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
V
4.5
0.75
表6 。
符号
g
fs
记
4
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
记
5
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 4.5A
分钟。
典型值。
7.8
1370
156
37
90
50
10
25
70
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
输入电容
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
输出电容
反向传输电容
等效输出继电器容量V
GS
=0, V
DS
= 0V至480V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 480V ，我
D
= 8A
V
GS
=10V
（参见图19）
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
切换ON / OFF
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
=4A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图20）
V
DD
= 300 V，I
D
=4A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图20）
V
DD
= 480 V，I
D
=8A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图20）
分钟。
典型值。
20
20
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
55
30
18
18
36
ns
ns
ns
ns
ns
4/19
STB10NK60Z / -1 - STP10NK60Z / FP - STW10NK60Z
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
记
2
V
SD
记
4
t
rr
Q
rr
I
RRM
2电气特性
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10A ，V
GS
=0
I
SD
= 8A ， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 40 V ， TJ = 150℃
570
4.3
15
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
36
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
(1) I
SD
≤10A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区
（3）限定仅由最大允许温度
（ 4 ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
(5) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加
到80％
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