STGP10NC60H
N沟道10A - 600V - TO-220
非常快的PowerMESH IGBT
目标特定网络阳离子
一般特点
TYPE
STGP10NC60H
■
■
V
CES
600V
V
CE （ SAT ）
（最大值） @ 25°C
＆ LT ; 2.5V
I
C
@100°C
10A
更低的导通压降（ V
CESAT
)
LOWER
水库
/ C
IES
RATIO （ NO
交叉传导易感性）
非常软超快速恢复
反并联二极管
3
1
2
TO-220
■
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH
IGBT的，
同
优秀
表演。后缀"H"确定一个家庭
对于以高频应用进行了优化
要达到非常高的开关性能
（还原TFALL ） mantaining低的电压降。
内部原理图
应用
■
■
高频电机控制
SMPS和PFC以硬开关
及谐振拓扑结构
电机驱动器
■
订购代码
销售类型
STGP10NC60H
记号
P10NC60H
包
TO-220
包装
管
2005年11月
这是正在开发的新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知
REV 1
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9
2电气特性
STP10NC60H
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
R
G
= 10, V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图3）
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
R
G
= 10, V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图3）
V
cc
= 390V ，我
C
= 5A,
R
GE
= 10 , V
GE
= 15V ，T
J
=25°C
（参见图3）
V
cc
= 390V ，我
C
= 5A,
R
GE
=10 , V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图3）
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
宙
记
3
E
关闭
记
4
E
ts
宙
记
3
E
关闭
记
4
E
ts
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 75A
R
G
= 10, V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图3）
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
R
G
= 10, V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图3）
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
J
J
J
J
J
J
（ 1 ）脉冲宽度有限的最大值。结温
（ 2 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
（3）宙是屯通损失时一个典型的二极管被用在测试电路在图2中宙包括二极管恢复能量。如果
IGBT的是提供在一个包与助巴二极管，共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度（ 25℃和125 ℃）下
（ 4 ）关断损耗还包括集电极电流的尾巴
（5）根据迭代公式计算：
T
–T
JMAX
C
I
(
T
)
= -------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(T
,
I )
THJ - C
CESAT
(
最大
)
C C
4/9
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