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STP100NF04
STB100NF04
N沟道40V - 0.0043Ω - 120A - TO- 220 - D
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP100NF04
STB100NF04
■
■
V
DSS
40V
40V
R
DS （ ON）
< 0.0046Ω
< 0.0046Ω
I
D
120A
120A
Pw
300W
300W
3
1
1
2
3
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
DPAK
TO-220
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB100NF04
STP100NF04
记号
B100NF04
P100NF04
包
DPAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
2007年2月
第5版
1/17
www.st.com
17
内容：
STB100NF04 - STP100NF04
内容：
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
电特性（曲线）
............................ 6
香料的热模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
STB100NF04 - STP100NF04
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
E
AS(4)
T
j
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在Tc = 25℃
漏电流（连续）在Tc = 100℃
漏电流（脉冲）
总功耗在Tc = 25℃
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
40
±20
120
120
480
300
2
6
1.2
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
°C
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.
I
SD
≤
120A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
＆ LT ;
V
（ BR ） DSS 。
TJ < TJMAX
4.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 60A ，V
DD
=30V
表2中。
符号
Rthj情况
RthJ -PCB
Rthj - AMB
T
l
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
热阻结到环境（自由空气）最大
最大无铅焊接温度的目的
价值
0.5
（见
图13）
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
3/17
电气特性
STB100NF04 - STP100NF04
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关
参数
测试条件
分钟。
40
1
10
±100
2
4
0.0043 0.0046
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
漏源击穿
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
电压
零栅压漏V
DS
=最大额定值
电流（V
GS
=0)
V
DS
=最大额定值锝= 125°C
门体漏
电流（V
DS
=0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=50A
表4 。
符号
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
=50A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时， V
GS
=0
民
典型值。
150
5100
1300
160
110
35
70
35
220
80
50
150
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 32V ，我
D
=120A
V
GS
=10V
V
DD
= 20V ，我
D
=60A
,
R
G
=4.7 V
GS
=10V
（见
图21）
4/17
STB100NF04 - STP100NF04
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120A ，V
GS
=0
I
SD
= 120A ，V
DD
=20V,
的di / dt = 100A / μs的， TJ = 150℃
75
185
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/17
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