NIKO -SEM
N沟道增强型场
场效应晶体管
P0808ATG
TO-220
无铅
80
6.5
50
8
A
mΩ
S
通态漏电流
1
漏极 - 源极导通状态
阻力
1
正向跨导
1
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
2
栅极 - 漏极电荷
2
导通延迟时间
2
上升时间
2
打开-O FF延迟时间
2
下降时间
2
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 80A
V
DS
= 50V ，我
D
= 80A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 40V,
I
D
40A ，V
GS
= 10V ，R
GS
= 2.5Ω
V
DS
=60V, V
GS
= 10V,
I
D
= 80A
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
4645
780
115
195
42
67
18
150
70
125
nS
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25 °C)
连续电流
脉冲电流
3
正向电压
1
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= I
S
， DL
F
/ DT = 100A /
μS
I
F
= 40A ，V
GS
= 0V
120
200
410
80
250
1.3
A
V
nS
A
nC
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2％.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注：标有“ P0808ATG ” ，日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXG部分名称放置。
2
Sep-20-2006
NIKO -SEM
N沟道增强型场
场效应晶体管
P0808ATG
TO-220
无铅
典型的输出特性
1000
典型的传输特性
1000
I
D
，漏源电流（A ）
V
DS
= 25V
I
D
，漏源电流（A ）
T
J
=25°C
8.0V
10V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
100
100
10
0.1
1
10
100
10
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
归一化的导通电阻Vs.Temperature
3.0
电容特性
7000
6000
西塞
5000
4000
3000
2000
CRSS
1000
0
1
10
100
科斯
R
DS （ ON）
归一化
漏极至源极导通电阻
I
D
= 40A
V
GS
= 0V中，f = 1 MHz的
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
= 10V
0.0
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
，结温（ ° C）
C，电容（pF ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
典型栅极电荷
与
栅极 - 源极电压
20
I
D
= 40A
典型的源漏二极管正向电压
1000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
15
I
SD
， Rrverse漏电流（ A）
V
DS
= 37V
12
100
60V
T
J
=150° C
10
8
4
T
J
=25° C
1
0
0
50
100
150
200
V
GS
= 0V
0.1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
3
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场效应晶体管
P0808ATG
TO-220
无铅
80
6.5
50
8
A
mΩ
S
通态漏电流
1
漏极 - 源极导通状态
阻力
1
正向跨导
1
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
2
栅极 - 漏极电荷
2
导通延迟时间
2
上升时间
2
打开-O FF延迟时间
2
下降时间
2
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 80A
V
DS
= 50V ，我
D
= 80A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 40V,
I
D
40A ，V
GS
= 10V ，R
GS
= 2.5Ω
V
DS
=60V, V
GS
= 10V,
I
D
= 80A
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
4645
780
115
195
42
67
18
150
70
125
nS
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25 °C)
连续电流
脉冲电流
3
正向电压
1
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= I
S
， DL
F
/ DT = 100A /
μS
I
F
= 40A ，V
GS
= 0V
120
200
410
80
250
1.3
A
V
nS
A
nC
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2％.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注：标有“ P0808ATG ” ，日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXG部分名称放置。
2
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NIKO -SEM
N沟道增强型场
场效应晶体管
P0808ATG
TO-220
无铅
典型的输出特性
1000
典型的传输特性
1000
I
D
，漏源电流（A ）
V
DS
= 25V
I
D
，漏源电流（A ）
T
J
=25°C
8.0V
10V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
100
100
10
0.1
1
10
100
10
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
归一化的导通电阻Vs.Temperature
3.0
电容特性
7000
6000
西塞
5000
4000
3000
2000
CRSS
1000
0
1
10
100
科斯
R
DS （ ON）
归一化
漏极至源极导通电阻
I
D
= 40A
V
GS
= 0V中，f = 1 MHz的
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
= 10V
0.0
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
，结温（ ° C）
C，电容（pF ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
典型栅极电荷
与
栅极 - 源极电压
20
I
D
= 40A
典型的源漏二极管正向电压
1000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
15
I
SD
， Rrverse漏电流（ A）
V
DS
= 37V
12
100
60V
T
J
=150° C
10
8
4
T
J
=25° C
1
0
0
50
100
150
200
V
GS
= 0V
0.1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
3
Sep-20-2006
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