【NIKO -SEM双P沟道逻辑电平增强P06B03LV型场效应晶体管SOP-8产品概述V（ BR ）】,IC型号P06B03LV,P06B03LV PDF资料,P06B03LV经销商,ic,电子元器件-51电子网

NIKO -SEM

双P沟道逻辑电平增强

P06B03LV

型场效应晶体管

SOP-8

产品概述

（ BR ） DSS

-30

DS （ ON）

50mΩ

-6A

G： GATE

D：漏极

S： SOURCE

绝对最大额定值（T

= 25

°C

除非另有说明）

参数/测试条件

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

功耗

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

符号

, T

英镑

范围

-30

±20

-6

-5

-30

2.5

1.3

-55到150

单位

工作结&存储温度范围

°C

热电阻额定值

热阻

结到环境

符号

θJA

典型

最大

62.5

单位

C / W

脉冲宽度有限的最高结温。

占空比

≤

电气特性（T

= 25

°C,

除非另有说明）

参数

符号

测试条件

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

正向跨导

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

= 0V时，我

= -250A

= V

, I

= -250A

= 0V, V

= ±20V

= -24V, V

= 0V

= -20V, V

= 0V ，T

= 125 °C

= -5V, V

= -10V

= -4.5V ，我

=- 5A

= -10V ，我

= -6A

= -10V ，我

= -6A

-30

-0.9

-1.5

-3

范围

单位

最小典型最大

±100 nA的

mΩ

MAY-19-2003

NIKO -SEM

双P沟道逻辑电平增强

P06B03LV

型场效应晶体管

SOP-8

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= -15V ，R

= 1Ω

-1A ，V

= -10V ，R

= 6Ω

= 0.5V

（ BR ） DSS

, V

= -10V,

= -6A

= 0V, V

= -15V ， F = 1MHz的

530

135

2.2

5.7

源极 - 漏极二极管额定值和特性（T

= 25

°C)

连续电流

脉冲电流

正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

= -1A ，V

= 0V

= -5A ， DL

/ DT = 100A /

15.5

7.9

-2.1

-4

-1.2

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

微秒，

占空比

≤

2％.

独立的工作温度。

脉冲宽度有限的最高结温。

备注：标有“ P06B03LV ” ，日期代码或批号的产品

MAY-19-2003

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双P沟道逻辑电平增强

P06B03LV

型场效应晶体管

SOP-8

典型特征

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双P沟道逻辑电平增强

P06B03LV

型场效应晶体管

SOP-8

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双P沟道逻辑电平增强

P06B03LV

型场效应晶体管

SOP-8

SOIC - 8 （D ）机械数据

分钟。

4.8

3.8

5.8

0.38

典型值。

4.9

3.9

6.0

0.445

1.27

1.35

0.1

1.55

0.175

1.75

0.25

马克斯。

5.0

4.0

6.2

0.51

分钟。

0.5

0.18

典型值。

0.715

0.254

0.22

0°

4°

8°

马克斯。

0.83

0.25

维

MAY-19-2003

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双P沟道逻辑电平增强

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型场效应晶体管

SOP-8

产品概述

（ BR ） DSS

-30

DS （ ON）

50mΩ

-6A

G： GATE

D：漏极

S： SOURCE

绝对最大额定值（T

= 25

°C

除非另有说明）

参数/测试条件

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

功耗

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

符号

, T

英镑

范围

-30

±20

-6

-5

-30

2.5

1.3

-55到150

单位

工作结&存储温度范围

°C

热电阻额定值

热阻

结到环境

符号

θJA

典型

最大

62.5

单位

C / W

脉冲宽度有限的最高结温。

占空比

≤

电气特性（T

= 25

°C,

除非另有说明）

参数

符号

测试条件

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

正向跨导

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

= 0V时，我

= -250A

= V

, I

= -250A

= 0V, V

= ±20V

= -24V, V

= 0V

= -20V, V

= 0V ，T

= 125 °C

= -5V, V

= -10V

= -4.5V ，我

=- 5A

= -10V ，我

= -6A

= -10V ，我

= -6A

-30

-0.9

-1.5

-3

范围

单位

最小典型最大

±100 nA的

mΩ

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P06B03LV

型场效应晶体管

SOP-8

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= -15V ，R

= 1Ω

-1A ，V

= -10V ，R

= 6Ω

= 0.5V

（ BR ） DSS

, V

= -10V,

= -6A

= 0V, V

= -15V ， F = 1MHz的

530

135

2.2

5.7

源极 - 漏极二极管额定值和特性（T

= 25

°C)

连续电流

脉冲电流

正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

= -1A ，V

= 0V

= -5A ， DL

/ DT = 100A /

15.5

7.9

-2.1

-4

-1.2

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

微秒，

占空比

≤

2％.

独立的工作温度。

脉冲宽度有限的最高结温。

备注：标有“ P06B03LV ” ，日期代码或批号的产品

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SOP-8

典型特征

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SOP-8

SOIC - 8 （D ）机械数据

分钟。

4.8

3.8

5.8

0.38

典型值。

4.9

3.9

6.0

0.445

1.27

1.35

0.1

1.55

0.175

1.75

0.25

马克斯。

5.0

4.0

6.2

0.51

分钟。

0.5

0.18

典型值。

0.715

0.254

0.22

0°

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