多端口SLIC保护
RoHS指令
这种多端口线路保护器是专为保护一个单封装解决方案
多重双绞线过压条件。基于六脚SOIC封装，
相当于四个离散的DO- 214AA封装。可提供浪涌电流额定值
高达500 A的2×10 μs的情况下，多端口线路保护器非常适合密集
填充线卡，可买不起PCB的低效率或采用系列电源
电阻器。
对于具体的设计标准的详细信息，请参阅图6.44 ，图6.45和图6.46
在第6节， “参考设计”这一
电信设计指南。
电气参数
V
DRM
伏
部分
号码*
P0641U_L
P0721U_L
P0901U_L
P1101U_L
P1301U_L
P1701U_L
58
65
75
95
120
160
V
S
伏
V
T
伏
77
88
98
130
160
200
4
4
4
4
4
4
V
F
伏
5
5
5
5
5
5
I
DRM
μAMPS
5
5
5
5
5
5
I
S
毫安
800
800
800
800
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
I
H
毫安
120
120
120
120
120
120
1
(T
1
)
2
(G
1
)
3
(R
1
)
6
(T
2
)
5
(G
2
)
4
(R
2
)
引脚
1-2, 2-3,
4-5, 5-6
*
在部件编号“L”表示符合RoHS标准。
对于不符合RoHS标准的设备，从零件号删除“ L” 。
对于个别“ UA ”和“ UC”浪涌额定值，请参阅下表。
一般注意事项：
所有测量均在25℃的环境温度下进行。我
PP
适用于-40°C至+ 85 °C温度范围。
I
PP
是重复浪涌额定值，并且保证了产品的使用寿命。
V
DRM
的测量是在我
DRM 。
V
S
和V
F
在100V /μs的被测量。
特殊电压（V
S
和V
DRM
）和保持电流（I
H
）规定，可根据要求提供。
并联电容负载可能会影响电气参数。
在安培的浪涌额定值
I
PP
系列
0.2x310 * 2x10 *
8x20 *
0.5x700 ** 2x10 ** 1.2x50 **
安培
A
C
20
50
安培
150
500
安培
150
400
10x160 *
10x160 **
安培
90
200
10x560 *
10x560 **
安培
50
150
5x320 *
9x720 **
安培
75
200
10x360 * 10x1000 * 5x310 *
I
TSM
10x360 ** 10x1000 ** 10x700 ** 60 /60 Hz的
安培
75
175
安培
45
100
安培
75
200
安培
20
50
的di / dt
安/微秒
500
500
*在微秒电流波形
**在μs的电压波形
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多端口SLIC保护
散热注意事项
包
莫迪网络编MS- 013
6
5
4
1
2
3
符号
T
J
T
S
R
θJA
参数
工作结温范围
存储温度范围
热阻：结到环境
价值
-40到+150
-65到+150
60
单位
°C
°C
° C / W
电容值
pF
引脚1-2 / 3-2 （ 4-5 / 6-5 ）
提示地面，环地面
产品型号
P0641UAL
P0641UCL
P0721UAL
P0721UCL
P0901UAL
P0901UCL
P1101UAL
P1101UCL
P1301UAL
P1301UCL
P1701UAL
P1701UCL
民
50
65
45
60
45
60
40
50
40
50
30
40
最大
200
200
190
190
180
180
160
160
160
160
125
125
民
20
20
20
20
20
20
15
15
15
15
15
15
pF
引脚1-3 （ 4-6 ）
TIP- RING
最大
105
105
105
105
105
105
105
105
105
105
80
80
注：关态电容（C
O
）的测量是在1MHz以2V的偏压。
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多端口SLIC保护
+I
V
F
I
PP
- 峰值脉冲电流 - ％I
PP
100
PEAK
价值
t
r
=上升时间峰值
t
d
=衰减时间价值的一半
V
S
V
DRM
-V
V
T
+V
波形= T
r
x深
d
I
DRM
I
H
I
S
I
T
-I
50
半值
0
0
t
r
t
d
吨 - 时间（μs ）
的V-I特性
t
r
x深
d
脉冲波形
V的百分比
S
CHANGE - ％
10
I
H
(T
C
= 25 C)
14
12
8
6
4
2
0
-4
-6
-8
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
H
25 C
25 C
比
外壳温度（T
C
) – C
结温（T
J
) – C
归V
S
改变与结温
归DC控股电流与外壳温度
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