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0LFUR&DSDFLWDQFH ? 0&

6,'$&WRU
“ HYLFH
RoHS指令
¨
这些TO-92 MC
的SIDACtor
器件旨在用于应用程序的负载值敏感。
通常,高速连接,如xDSL和T1 / E1 ,需要较低的电容。
C
O
为MicroCapacitance设备值比标准乳油部分低了40% 。
该MC
的SIDACtor
系列使设备符合各项监管
的要求,包括GR 1089 , ITU K.20 , K.21 , K.45和,IEC 60950 , UL 60950和
TIA - 968 -A (前身为FCC第68部分),而串联电阻的需要。
电气参数
部分
号码*
P0080ECMCL
P0300ECMCL
P0640ECMCL
P0720ECMCL
P0900ECMCL
P1100ECMCL
P1300ECMCL
P1500ECMCL
P1800ECMCL
P2300ECMCL
P2600ECMCL
P3100ECMCL
P3500ECMCL
V
DRM
6
25
58
65
75
90
120
140
170
190
220
275
320
V
S
25
40
77
88
98
130
160
180
220
260
300
350
400
V
T
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
I
S
毫安
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
I
H
毫安
50
50
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
*
在部件编号“L”表示符合RoHS标准。
对于不符合RoHS标准的设备,从零件号删除“ L” 。
对于浪涌额定值,请参阅下表。
一般注意事项:
所有测量均在25℃的环境温度下进行。我
PP
通过85 ° C的温度范围+ 40 °C - 适用。
I
PP
是重复浪涌额定值,并且保证了产品的使用寿命。
上市
的SIDACtor
器件是双向的。所有电气参数和浪涌额定值适用于正向和反向极性。
V
DRM
的测量是在我
DRM 。
V
S
的测量是在100伏/微秒。
特殊电压(V
S
和V
DRM
)和保持电流(I
H
)规定,可根据要求提供。
浪涌
在安培评级
I
PP
系列
0.2x310 * 2x10 *
8x20 *
0.5x700 ** 2x10 ** 1.2x50 **
安培
C
50
安培
500
安培
400
10x160 *
10x160 **
安培
200
10x560 *
10x560 **
安培
150
5x320
*
9x720 **
安培
200
10x360 * 10x1000 *
5x310
*
I
TSM
10x360 ** 10x1000 ** 10x700 **
50
/ 60赫兹
安培
175
安培
100
安培
200
安培
30
的di / dt
安/微秒
500
*在微秒电流波形
**在μs的电压波形
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3 - 22
2006 Littelfuse公司电信设计指南
0LFUR&DSDFLWDQFH ? 0&

6 , “ $ &WRU ? “ HYLFH

散热注意事项
TO-92
符号
T
J
T
S
R
θJA
参数
工作结温范围
存储温度范围
热阻:结到环境
价值
-40到+150
-65到+150
90
单位
°C
°C
° C / W
电容值
pF
产品型号
P0080ECMCL
P0300ECMCL
P0640ECMCL
P0720ECMCL
P0900ECMCL
P1100ECMCL
P1300ECMCL
P1500ECMCL
P1800ECMCL
P2300ECMCL
P2600ECMCL
P3100ECMCL
P3500ECMCL
35
25
55
50
45
45
40
35
35
30
30
30
25
最大
75
45
85
75
70
70
60
55
50
50
45
45
40
注:关态电容(C
O
)的测量是在1MHz以2V的偏压。
电信设计指南 2006 Littelfuse公司
3 - 23
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5 + & # % VQT &GXKEGU
0LFUR&DSDFLWDQFH ? 0&

6 , “ $ &WRU ? “ HYLFH

+I
I
PP
- 峰值脉冲电流 - %I
PP
I
T
I
S
I
H
I
DRM
-V
V
T
V
DRM
V
S
+V
100
PEAK
价值
t
r
=上升时间峰值
t
d
=衰减时间价值的一半
波形= T
r
x深
d
50
半值
0
0
-I
t
r
t
d
吨 - 时间(μs )
的V-I特性
t
r
x深
d
脉冲波形
V的百分比
S
CHANGE - %
10
I
H
(T
C
= 25 C)
14
12
8
6
4
2
0
-4
-6
-8
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
H
25 C
25 C
结温(T
J
) – C
归V
S
改变与结温
外壳温度(T
C
) – C
归DC控股电流与外壳温度
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2006 Littelfuse公司电信设计指南
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    -
    -
    -
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