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MicroCapacitance （ MC ） SC
SIDACtor
设备
RoHS指令
这些DO- 214AA SCMC
的SIDACtor
器件用于应用敏感加载
值。通常，高速连接，如xDSL和T1 / E1 ，需要较低
电容。
O
为MicroCapacitance设备值比低了40％
标准的SC部分。
这SCMC
的SIDACtor
系列使设备符合各项监管
的要求，包括GR 1089 ， IEC 60950 ， UL 60950 ， TIA- 968 -A （原名
FCC第68部分） ，和ITU K.20 ， K.21 ， K.45和。
电气参数
部分
号码*
P0080SCMCL
P0220SCMCL
P0300SCMCL
P0640SCMCL
P0720SCMCL
P0900SCMCL
P1100SCMCL
P1200SCMCL
P1300SCMCL
P1500SCMCL
P1800SCMCL
P2000SCMCL
P2100SCMCL
P2300SCMCL
P2500SCMCL
P2600SCMCL
P3100SCMCL
P3500SCMCL
V
DRM
伏
6
15
25
58
65
75
90
100
120
140
170
180
180
190
230
220
275
320
V
S
伏
25
32
40
77
88
98
130
130
160
180
220
220
240
260
290
300
350
400
V
T
伏
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
I
S
毫安
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
I
H
毫安
50
50
50
150
150
150
150
120
150
150
150
120
150
150
120
150
150
150
*
在部件编号“L”表示符合RoHS标准。
对于不符合RoHS标准的设备，从零件号删除“ L” 。
对于浪涌额定值，请参阅下表。
一般注意事项：
所有测量均在25℃的环境温度下进行。我
PP
适用于-40°C至+ 85 °C温度范围。
I
PP
是重复浪涌额定值，并且保证了产品的使用寿命。
上市
的SIDACtor
器件是双向的。所有电气参数和浪涌额定值适用于正向和反向极性。
V
DRM
的测量是在我
DRM 。
V
S
的测量是在100伏/微秒。
特殊电压（V
S
和V
DRM
）和保持电流（I
H
）规定，可根据要求提供。
在安培的浪涌额定值
系列
I
PP
0.2x310 * 2x10 *
8x20 *
0.5x700 ** 2x10 ** 1.2x50 **
安培
C
50
安培
500
安培
400
10x160 *
10x160 **
安培
200
10x560 *
10x560 **
安培
150
5x320 *
9x720 **
安培
200
10x360 * 10x1000 * 5x310 *
I
TSM
10x360 ** 10x1000 ** 10x700 ** 60 /60 Hz的
安培
175
安培
100
安培
200
安培
30
的di / dt
安/微秒
500
*在微秒电流波形
**在μs的电压波形
电信设计指南 2006年的Littelfuse
3-5
www.littelfuse.com
SIDACtor装置
MicroCapacitance （ MC ） SC SIDACtor器件
散热注意事项
包
DO-214AA
符号
T
J
T
S
R
θJA
参数
工作结温范围
存储温度范围
热阻：结到环境
价值
-40到+150
-65到+150
90
单位
°C
°C
° C / W
电容值
pF
产品型号
P0080SCMCL
P0220SCMCL
P0300SCMCL
P0640SCMCL
P0720SCMCL
P0900SCMCL
P1100SCMCL
P1200SCMCL
P1300SCMCL
P1500SCMCL
P1800SCMCL
P2000SCMCL
P2100SCMCL
P2300SCMCL
P2500SCMCL
P2600SCMCL
P3100SCMCL
P3500SCMCL
民
35
30
25
55
50
45
45
45
40
35
35
35
30
30
30
30
30
25
最大
75
65
45
85
75
70
70
65
60
55
50
50
50
50
45
45
45
40
注：关态电容（C
O
）的测量是在1MHz以2V的偏压。
www.littelfuse.com
3-6
2006年的Littelfuse 电信设计指南
MicroCapacitance （ MC ） SC SIDACtor器件
+I
I
PP
- 峰值脉冲电流 - ％I
PP
t
r
=上升时间峰值
t
d
=衰减时间价值的一半
I
T
I
S
I
H
I
DRM
-V
V
T
V
DRM
V
S
+V
100
PEAK
价值
波形= T
r
x深
d
50
半值
0
0
t
r
t
d
吨 - 时间（μs ）
-I
的V-I特性
t
r
x深
d
脉冲波形
V的百分比
S
CHANGE - ％
10
I
H
(T
C
= 25 C)
14
12
8
6
4
2
0
-4
-6
-8
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
H
25 C
25 C
比
外壳温度（T
C
) – C
结温（T
J
) – C
归V
S
改变与结温
归DC控股电流与外壳温度
电信设计指南 2006年的Littelfuse
3-7
www.littelfuse.com
SIDACtor装置
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