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NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P01N02LMB
SOT- 23 ( M3 )
D
产品概述
V
( BR ) DSS
25V
R
DS ( ON)
180mΩ
I
D
1.2A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值(T
C
= 25
°C
除非另有说明)
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
1
符号
V
GS
范围
±15
1.2
1.0
12
0.6
0.5
-55到150
275
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
W
工作结&存储温度范围
焊接温度( /
16
“从案例10秒。 )
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
1
1
°C
符号
R
θJC
R
θJA
典型
最大
65
230
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
电气特性(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
范围
单位
最小典型最大
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
1
V
GS
= 0V时,我
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±15V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125 °C
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 7V ,我
D
= 1.2A
V
GS
= 10V ,我
D
= 1.2A
V
DS
= 20V ,我
D
= 1.2A
25
0.7
1.0
2.5
±250
25
250
1.2
220
180
16
250
220
V
nA
A
A
S
漏源导通电阻
正向跨导
1
R
DS ( ON)
g
fs
1
AUG-18-2001
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P01N02LMB
SOT- 23 ( M3 )
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
120
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
100
85
11
V
DS
= 0.5V
( BR ) DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 1A
3.0
5.8
7
V
DS
= 15V ,R
L
= 1Ω
I
D
1A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 50Ω
20
13
19
nS
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2
2
导通延迟时间
上升时间
t
D(上)
t
r
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
t
D(关闭)
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25 °C)
连续电流
脉冲电流
3
1
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
I
F
= I
S
, DL
F
/ DT = 100A /
S
1.2
12
1.3
70
0.22
A
V
nS
C
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
2
脉冲测试:脉冲宽度
300
微秒,
占空比
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注:标有“ 102B ”的产品
2
AUG-18-2001
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P01N02LMB
SOT- 23 ( M3 )
SOT- 23 ( M3 )机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
2.60
1.40
2.70
1.00
0.00
0.35
0.40
典型值。
0.95
2.80
1.60
2.90
1.10
3.00
1.80
3.10
1.30
0.10
0.50
马克斯。
H
I
J
K
L
M
N
分钟。
0.10
0.37
典型值。
0.15
马克斯。
0.25
mm
3
AUG-18-2001
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P01N02LMB
SOT- 23 ( M3 )
D
产品概述
V
( BR ) DSS
25V
R
DS ( ON)
180mΩ
I
D
1.2A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值(T
C
= 25
°C
除非另有说明)
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
1
符号
V
GS
范围
±15
1.2
1.0
12
0.6
0.5
-55到150
275
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
W
工作结&存储温度范围
焊接温度( /
16
“从案例10秒。 )
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
1
1
°C
符号
R
θJC
R
θJA
典型
最大
65
230
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
电气特性(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
范围
单位
最小典型最大
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
1
V
GS
= 0V时,我
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±15V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125 °C
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 7V ,我
D
= 1.2A
V
GS
= 10V ,我
D
= 1.2A
V
DS
= 20V ,我
D
= 1.2A
25
0.7
1.0
2.5
±250
25
250
1.2
220
180
16
250
220
V
nA
A
A
S
漏源导通电阻
正向跨导
1
R
DS ( ON)
g
fs
1
AUG-18-2001
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P01N02LMB
SOT- 23 ( M3 )
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
120
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
100
85
11
V
DS
= 0.5V
( BR ) DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 1A
3.0
5.8
7
V
DS
= 15V ,R
L
= 1Ω
I
D
1A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 50Ω
20
13
19
nS
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2
2
导通延迟时间
上升时间
t
D(上)
t
r
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
t
D(关闭)
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25 °C)
连续电流
脉冲电流
3
1
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
I
F
= I
S
, DL
F
/ DT = 100A /
S
1.2
12
1.3
70
0.22
A
V
nS
C
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
2
脉冲测试:脉冲宽度
300
微秒,
占空比
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注:标有“ 102B ”的产品
2
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N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P01N02LMB
SOT- 23 ( M3 )
SOT- 23 ( M3 )机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
2.60
1.40
2.70
1.00
0.00
0.35
0.40
典型值。
0.95
2.80
1.60
2.90
1.10
3.00
1.80
3.10
1.30
0.10
0.50
马克斯。
H
I
J
K
L
M
N
分钟。
0.10
0.37
典型值。
0.15
马克斯。
0.25
mm
3
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上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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联系人:朱
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全新原装现货,原厂代理。
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联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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NIKO
2017+
14040
SOT23
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联系人:李经理
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原装现货上海库存,欢迎咨询
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