P01系列
订购信息
P 01 02
敏感
SCR
系列
电流： 0.8A
值D N
电压：
D： 400V
M： 600V
空白
1AA3
包装方式：
1AA3 ： TO- 92散装（首选）
2AL3 ： TO- 92 ammopack
5AA4 ： SOT- 223磁带&卷轴
包装：
答： TO- 92
N： SOT- 223
灵敏度：
02: 200A
11: 25A
18: 5A
其他信息
产品型号
P01xxyA 1AA3
P01xxyA 2AL3
P0102yN 5AA4
P0111yN 5AA4
P0118yN 5AA4
记号
P01xxyA
P01xxyA
P2y
P1y
P8y
重量
0.2 g
0.2 g
0.12 g
0.12 g
0.12 g
基地数量
2500
2000
1000
1000
1000
包装方式
体积
Ammopack
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
注意：
XX =灵敏度， Y =电压
图。 1 ：
最大平均功耗
与平均通态电流。
P（ W）的
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
图。 2-1 ：
平均和直流通态电流
与铅的温度。
IT （ AV ） （A ）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
Tlead或TTAB （ ° C）
0
25
50
75
100
125
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
图。 2-2 ：
平均和直流通态电流
相对于环境温度（装置安装在
FR4与SOT- 223推荐焊盘布局） 。
IT （ AV ） （A ）
图。 3 ：
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间。
K = [ Zth时第（j-一） / Rth的第（j- a）所示
1.00
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.10
TAMB （ ° C）
0
25
50
75
100
125
0.01
1E-2
1E-1
TP （多个）
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
3/6
P01系列
图。 4 ：
门极触发电流的相对变化，
保持电流和闭锁电流对
结温度（典型值）。
IGT ，IH， IL [ TJ ] / IGT ，IH， IL [T ] = 25℃
图。 5 ：相对
保持电流与变化
栅极 - 阴极电阻（典型值）。
IH[Rgk]/IH[Rgk=1k
]
6
5
4
3
2
1
TJ （ ° C）
0
-40
RGK （千欧）
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
图。 6 ：
中的dV / dt抗扰性相对变化
与门极 - 阴极电阻（典型值）。
的dV / dt [ RGK ] / DV / DT [ RGK = 1K
]
图。 7 ：
中的dV / dt抗扰性相对变化
相对于栅极 - 阴极电容（典型值）。
的dV / dt [ CGK ] / DV / DT [ RGK = 1K
]
10.0
10
8
6
1.0
4
2
RGK （千欧）
CGK （ NF）
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
图。 8 ：
浪涌峰值通态电流 -
周期数。
图。 9 ：
非重复浪涌峰值通态
电流的正弦脉冲宽度
TP < 10毫秒， I了相应的价值。
ITSM （A ） ，我
2
T（A
2
s)
ITSM （ A）
8
7
tp=10ms
100.0
6
5
4
3
2
1
0
1
10
重复
Tamb=25°C
不重复
TJ初始= 25°C
Onecycle
10.0
1.0
Numberofcycles
100
1000
0.1
0.01
0.10
TP（ ms）的
1.00
10.00
4/6
特征
P010xx
1
表2中。
符号
I
T（ RMS ）
特征
绝对额定值（限制值） P010xxA和P010xxN
参数
TO-92
通态电流有效值（ 180 °导通角）
SOT-223
TO-92
IT
（AV）
通态平均电流（ 180 °导通角）
SOT-223
不重复浪涌峰值通态电流
I
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 2×我
GT
, t
r
≤
100纳秒
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
t
p
= 8.3毫秒
t
p
= 10毫秒
t
p
= 10毫秒
F = 60赫兹
t
p
= 20 s
T
l
= 55 °C
T
AMB
= 70 °C
T
l
= 55 °C
T
AMB
= 70 °C
8
T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
A
7
0.24
50
1
0.1
- 40 + 150
- 40至+ 125
A
2
S
A / μs的
A
W
°C
0.5
A
价值
0.8
单位
A
I
TSM
I
t
的di / dt
I
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
表3中。
符号
I
T（ RMS ）
IT
（AV）
I
TSM
I
t
的di / dt
I
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
绝对额定值（限制值） P010xxL
参数
通态电流有效值（ 180 °导通角）
通态平均电流（ 180 °导通角）
不重复浪涌峰值通态电流
I
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 2×我
GT
, t
r
≤
100纳秒
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
t
p
= 8.3毫秒
t
p
= 10毫秒
t
p
= 10毫秒
F = 60赫兹
t
p
= 20 s
T
AMB
= 36 °C
T
AMB
= 36 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
价值
0.25
0.16
7
A
6
0.18
50
0.5
0.02
- 40 + 150
- 40至+ 125
A
2
S
A / μs的
A
W
°C
单位
A
A
2/11
特征
表6 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（ J- T）
R
号（j -a）的
R
号（j -a）的
结到外壳（ DC ）
结到标签（ DC ）
结到环境（ DC ）
P010xx
热阻
参数
TO-92
SOT-223
TO-92
S
(1)
= 5厘米
2
SOT-223
最大
80
30
150
° C / W
60
400
° C / W
单位
° C / W
° C / W
结到环境（安装在FR4与建议焊盘布局） SOT23-3L
1. S =选项卡下的铜表面。
图1 。
最大平均功率
功耗与平均态
目前P010xxA和P010xxN
图2中。
最大平均功率
功耗与平均态
目前P010xxL
P（ W）的
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
360°
α
= 180°
P（ W）的
0.30
0.28
0.26
0.24
0.22
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0.6
α
= 180°
360°
I
T（ AV ）
(A)
α
0.5
I
T（ AV ）
(A)
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
α
0.14
0.16
0.18
网络连接gure 3 。
平均和DC通态电流
与焊接温度
P010xxA和P010xxN
图4中。
平均和DC通态电流
与环境温度P010xxA
和P010xxN
I
T（ AV ）
(A)
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
25
50
75
100
125
α
= 180°
(TO-92)
α
= 180°
(SOT-223)
特区
(TO-92)
特区
(SOT-223)
I
T（ AV ）
(A)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
25
50
α
= 180°
(TO-92)
特区
(TO-92)
α
= 180°
(SOT-223)
特区
(SOT-223)
装置安装在
FR4与recomended
键盘布局SOT- 223
T
领导
(°C)
T
AMB
(°C)
75
100
125
4/11
P010xx
特征
图5中。
平均和DC通态电流
与外壳温度P010xxL
图6 。
热相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
I
T（ AV ）
(A)
0.30
0.25
特区
K = [Z
号（j -a）的
/R
号（j -a）的
]
1.00
0.20
0.15
0.10
0.05
SOT23-3L
α
= 180°
TO-92
0.10
SOT-223
T
例
(°C)
0.00
0
25
50
75
100
125
0.01
1E-2
1E-1
t
p
(s)
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
图7 。
门极触发的相对变化，
持，并锁存电流
- 结温
网络连接gure 8 。
持有相对变化
电流与门极 - 阴极电阻
I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
] / I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
=25°C]
6
I
H
[R
GK
] / I
H
[R
GK
=1k
Ω
]
20
T
j
= 25°C
典型值
5
4
3
I
GT
18
16
14
12
10
8
6
典型值
2
1
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1E-2
1E-1
I
H
＆放大器;我
L
R
GK
= 1k
Ω
4
T
j
(°C)
2
R
GK
(k
Ω
)
1E+0
1E+1
图9 。
中的dV / dt抗扰度的dV / dt抗扰性图的相对变化10.相对变化
与门极 - 阴极电阻
与栅极 - 阴极电容
的dV / dt [C
GK
] / DV / DT [
R
GK
=1k
Ω
]
10
T
j
= 125°C
V
D
= 0.67 x垂直
DRM
的dV / dt [R
GK
] / DV / DT [R
GK
=1k
Ω
]
10.0
V
D
= 0.67 x垂直
DRM
T
j
= 125°C
R
GK
= 1k
Ω
8
典型值
1.0
6
4
典型值
2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
R
GK
(k
Ω
)
0
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
C
GK
（ NF）
0
1
2
3
4
5
6
7
5/11
QQ：2880707522 复制
