P01xxxL
热阻
符号
Rth的第（j-一）
结到环境*
参数
价值
500
单位
° C / W
* ：安装在8 ×10× 0.7毫米陶瓷衬底。
GATE特性
（最大值）
P
G（ AV ）
= 0.02 W P
GM
= 1 W （ TP = 20
s)
电气特性
符号
I
GT
测试条件
02
V
D
= 12V （DC ）R
L
=140
TJ = 25°C
民
最大
V
GT
V
GD
V
RGM
TGD
I
H
I
L
V
TM
I
DRM
I
RRM
dv / dt的
tq
V
D
= 12V （DC ）R
L
=140
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
R
GK
= 1 K
I
RG
=10A
I
TM
=
VD
=V
DRM
dI
G
/ DT = 0.1A / μs的
3 ×1
T（ AV
)
I
G
= 10毫安
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
最大
民
民
典型值
最大
最大
最大
最大
最大
民
最大
25
-
200
灵敏度
09
-
1
0.8
0.1
8
0.5
5
6
1.3
1
100
25
200
50
100
11
4
25
15
15
50
V
V
V
s
mA
mA
V
A
A
V / μs的
s
A
单位
I
GM
= 0.5 A （ TP = 20
s)
I
T
= 50毫安
GK
= 1 K
I
G
= 1毫安
GK
= 1 K
I
TM
= 0.4A TP = 380μs
V
D
= V
DRM
R
GK
= 1 K
V
R
= V
RRM
V
D
=67%V
DRM
R
GK
= 1 K
I
TM
= 3 ×1
T（ AV
) V
R
=35V
的di / dt = 10A /μs的TP = 100μs的
dV/dt=10V/s
V
D
= 67%V
DRM
R
GK
= 1 K
订购信息
P
SCR平面
当前
2/6
01
02
灵敏度
A
L
包装：
L = SOT23
电压
P01xxxL
图1 ：
最大平均功耗ver-
SUS平均通态电流。
图2 ：
最大平均相关性
功耗和最高允许温
perature （环境温度Tamb ） 。
P（ W）的
P（ W）的
0.25
360
O
0.25
0.20
Rth的第（j-一）
DC
0.20
0.15
= 180
0.15
o
0.10
= 90
= 120
o
o
0.10
0.05
0.05
= 30
o
= 60
o
I T （ AV ） （A ）
TAMB （
o
C)
0.00
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.00
0
20
40
60
80
100
120
140
图3 ：
通态平均电流与温卡
perature 。
I T （ AV ） （A ）
图4 ：
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间。
第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）
1.00
0.25
0.20
= 180
o
0.15
0.10
0.10
0.05
TAMB （ C）
o
氧化铝工艺苏BST速度为10mm * 8毫米* 0.5毫米
TP （多个）
0.00
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
0.01
1E-3
1E-2
1E-1
1E +0
1E +1
1 E+2
图5 ：
门极触发电流的相对变化和
保持电流与结温。
IGT [ TJ ]
o
IGT [ TJ = 25℃ ]
IH [ TJ ]
o
IH [ TJ = 25℃ ]
图6 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对周期数。
ITSM （ A）
8
7
6
5
TJ初始= 25℃
o
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-40
-20
Ih
IGT
4
3
2
1
TJ （
o
C)
周期数
20
40
60
80
100
120 140
0
0
1
10
100
1,000
3/6
P01xxxL
图7 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对于正弦脉冲宽度： TP
≤
为10ms ，并
我相应的价值
2
t.
我TSM （ A） 。我
2
T（A
2
s)
图8 ：
通态特性（最大值） 。
100
10
TJ初始= 25
o
C
我TM （ A）
TJ初始
o
25 C
我TSM
10
1
1
I
2
t
TJ最大
TJ最大
VTO = 0.95 V
RT = 0.600
0.1
1
TP（ ms）的
VTM （ V）
10
0.1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
图9 ：
保持电流与相对变化
栅极 - 阴极电阻（典型值）。
IH（ RGK ）
Ih(Rgk=1k
)
Tj=25
o
C
5.0
1.0
0.1
RGK （ ）
1 .0 E+0 0 1. 0E+01 1.0 E+ 02 1. 0E+ 03 1 .0 E+0 4 1. 0E+05 1. 0E+ 06
4/6
特征
P010xx
1
表2中。
符号
I
T（ RMS ）
特征
绝对额定值（限制值） P010xxA和P010xxN
参数
TO-92
通态电流有效值（ 180 °导通角）
SOT-223
TO-92
IT
（AV）
通态平均电流（ 180 °导通角）
SOT-223
不重复浪涌峰值通态电流
I
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 2×我
GT
, t
r
≤
100纳秒
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
t
p
= 8.3毫秒
t
p
= 10毫秒
t
p
= 10毫秒
F = 60赫兹
t
p
= 20 s
T
l
= 55 °C
T
AMB
= 70 °C
T
l
= 55 °C
T
AMB
= 70 °C
8
T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
A
7
0.24
50
1
0.1
- 40 + 150
- 40至+ 125
A
2
S
A / μs的
A
W
°C
0.5
A
价值
0.8
单位
A
I
TSM
I
t
的di / dt
I
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
表3中。
符号
I
T（ RMS ）
IT
（AV）
I
TSM
I
t
的di / dt
I
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
绝对额定值（限制值） P010xxL
参数
通态电流有效值（ 180 °导通角）
通态平均电流（ 180 °导通角）
不重复浪涌峰值通态电流
I
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 2×我
GT
, t
r
≤
100纳秒
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
t
p
= 8.3毫秒
t
p
= 10毫秒
t
p
= 10毫秒
F = 60赫兹
t
p
= 20 s
T
AMB
= 36 °C
T
AMB
= 36 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
价值
0.25
0.16
7
A
6
0.18
50
0.5
0.02
- 40 + 150
- 40至+ 125
A
2
S
A / μs的
A
W
°C
单位
A
A
2/11
特征
表6 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（ J- T）
R
号（j -a）的
R
号（j -a）的
结到外壳（ DC ）
结到标签（ DC ）
结到环境（ DC ）
P010xx
热阻
参数
TO-92
SOT-223
TO-92
S
(1)
= 5厘米
2
SOT-223
最大
80
30
150
° C / W
60
400
° C / W
单位
° C / W
° C / W
结到环境（安装在FR4与建议焊盘布局） SOT23-3L
1. S =选项卡下的铜表面。
图1 。
最大平均功率
功耗与平均态
目前P010xxA和P010xxN
图2中。
最大平均功率
功耗与平均态
目前P010xxL
P（ W）的
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
360°
α
= 180°
P（ W）的
0.30
0.28
0.26
0.24
0.22
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0.6
α
= 180°
360°
I
T（ AV ）
(A)
α
0.5
I
T（ AV ）
(A)
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
α
0.14
0.16
0.18
网络连接gure 3 。
平均和DC通态电流
与焊接温度
P010xxA和P010xxN
图4中。
平均和DC通态电流
与环境温度P010xxA
和P010xxN
I
T（ AV ）
(A)
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
25
50
75
100
125
α
= 180°
(TO-92)
α
= 180°
(SOT-223)
特区
(TO-92)
特区
(SOT-223)
I
T（ AV ）
(A)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
25
50
α
= 180°
(TO-92)
特区
(TO-92)
α
= 180°
(SOT-223)
特区
(SOT-223)
装置安装在
FR4与recomended
键盘布局SOT- 223
T
领导
(°C)
T
AMB
(°C)
75
100
125
4/11
P010xx
特征
图5中。
平均和DC通态电流
与外壳温度P010xxL
图6 。
热相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
I
T（ AV ）
(A)
0.30
0.25
特区
K = [Z
号（j -a）的
/R
号（j -a）的
]
1.00
0.20
0.15
0.10
0.05
SOT23-3L
α
= 180°
TO-92
0.10
SOT-223
T
例
(°C)
0.00
0
25
50
75
100
125
0.01
1E-2
1E-1
t
p
(s)
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
图7 。
门极触发的相对变化，
持，并锁存电流
- 结温
网络连接gure 8 。
持有相对变化
电流与门极 - 阴极电阻
I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
] / I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
=25°C]
6
I
H
[R
GK
] / I
H
[R
GK
=1k
Ω
]
20
T
j
= 25°C
典型值
5
4
3
I
GT
18
16
14
12
10
8
6
典型值
2
1
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1E-2
1E-1
I
H
＆放大器;我
L
R
GK
= 1k
Ω
4
T
j
(°C)
2
R
GK
(k
Ω
)
1E+0
1E+1
图9 。
中的dV / dt抗扰度的dV / dt抗扰性图的相对变化10.相对变化
与门极 - 阴极电阻
与栅极 - 阴极电容
的dV / dt [C
GK
] / DV / DT [
R
GK
=1k
Ω
]
10
T
j
= 125°C
V
D
= 0.67 x垂直
DRM
的dV / dt [R
GK
] / DV / DT [R
GK
=1k
Ω
]
10.0
V
D
= 0.67 x垂直
DRM
T
j
= 125°C
R
GK
= 1k
Ω
8
典型值
1.0
6
4
典型值
2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
R
GK
(k
Ω
)
0
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
C
GK
（ NF）
0
1
2
3
4
5
6
7
5/11
QQ：2880707522 复制
