产品公告OPI120TX / TXV
1996年9月
高可靠性光耦合隔离器
类型OPI120TX ， OPI120TXV
特点
高电流传输比
15千伏电气隔离
基地铅为常规
晶体管的偏置
加工欧思组件“
s
经过筛选程序图案
MIL -PRF- 19500的TX和TXV
器件
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
输入至输出隔离电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
15 KVDC
(1)
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+ 125
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度[ 1/16英寸（ 1.6毫米）的情况下，持续5秒。与焊接
铁] 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240
o
C
输入二极管
正向直流电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0 V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫瓦
(2)
描述
该OPI120TX和OPI120TXV是
光耦合隔离器，每个
包括镓铝
砷化红外发光二极管
（ OP235TX或OP235TXV ）和NPN
硅光电晶体管（ OP804TX或
OP804TXV ）密封在高介电
塑料外壳。此系列的设计
用于要求高电压应用
输入和输出之间的隔离。
在执行高可靠性的处理
按照组件级别
MIL-PRF- 19500为红外光
发光二极管和NPN硅
phototransistor.Typical筛选和很多
提供页面上的验收测试
13-4.
输出光传感器
连续集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
集电极 - 基极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V
发射极 - 基极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.0 V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫瓦
(3)
注意事项：
（1 ）测量与输入引线短接在一起，并输出引线短接在一起，在空气中，其
的50 ％的最大相对湿度。如果适当地包封或油浸，隔离
电压增大到至少25千伏。
（ 2 ）线性降容2.0毫瓦/
o
C以上25
o
C.
（ 3 ）线性降容2.5毫瓦/
o
C以上25
o
C.
（4 ）甲醇或异丙醇中，建议作为清洗剂。
欧思科技公司
1215 W.克罗斯比路
卡罗尔顿，德克萨斯州75006
13-46
(972) 323-2200
传真：（ 214 ） 323-2396
类型OPI120TX ， OPI120TXV
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
输入二极管
V
F
参数
最小典型最大单位
1.00
1.20
0.90
1.40
1.60
1.15
0.1
30
30
5.0
0.2
10
100
100
10.0
40
40
1.70
1.90
1.50
10
V
V
V
A
V
V
V
nA
A
nA
mA
mA
mA
0.25
15.0
30.0
8.0
8.0
15.0
15.0
0.30
V
kV
s
s
I
F
= 30毫安
测试条件
正向电压
(5)
I
F
= 30毫安，T
A
= -55
o
C
I
F
= 30毫安，T
A
= 100
o
C
V
R
= 2 V
I
C
= 100
A,
I
E
= 0, I
F
= 0
I
C
= 100
A,
I
B
= 0, I
F
= 0
I
E
= 100
A,
I
C
= 0, I
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
B
= 0, I
F
= 0,
V
CE
= 10 V，I
B
= 0, I
F
= 0, T
A
= 100
o
C
V
CB
= 10 V，I
E
= 0, I
F
= 0
V
CE
= 5 V，I
B
= 0, I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
B
= 0, I
F
= 10毫安，T
A
= -55
o
C
V
CE
= 5 V，I
B
= 0, I
F
= 10毫安，T
A
= 100
o
C
I
C
= 2毫安，我
B
= 0, I
F
= 20毫安
见注1
V
CC
= 10 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
V
CC
= 10 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
I
R
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C（ OFF）
反向电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
输出PHOTOTRANSISTOR
I
CB （OFF）的
集电极 - 基极暗电流
通态集电极电流
(5)
2.0
1.2
1.2
0.1
再加
I
C（ ON）
V
CE （ SAT ）
V
ISO
t
r
t
f
集电极 - 发射极饱和电压
隔离电压（输入输出）
输出上升时间
输出下降时间
在过去的500 （5 ）测量被取
s
的单个1.0ms的测试脉冲。加热，由于增加脉率或脉冲宽度会引起变化
在测量结果。
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