高速的GaAlAs红外发射器
OPE5685
该
OPE5685
是的GaAlAs红外发光二极管
其被设计用于高功率，低正向电压
和高速上升/下降时间。
该器件的速度和效率优化
在发射波长为850nm ，并具有高的辐射
效率在宽范围的正向电流。
该器件采用T1-3 / 4塑料包装
并与带透镜封装宽光束角
和杯架。特别是该装置是适合
作为数据传输的发射极不带电缆。
特点
高速： 25ns的上升时间
850纳米波长
宽光束角
低正向电压
高功率和高可靠性
可用于脉冲操作
应用
红外线发射器
红外音频和电话
高速红外通信
IR局域网
可用于无线数字数据传输
外形尺寸（单位：毫米）
5.0
1.3最大
5.7
8.7
24.0敏
7.7
2-
0.5
2.0
2.5
阳极
阴极
公差：
±0.2mm
存储
条件： 5℃ 35℃ ， R.H.60 ％
条款： 3个月内，从生产日期
备注：一旦包装被打开，产品必须在一天之内使用。
否则，应当保持在一个防潮盒干燥剂。
*请大家以确保可靠性和安全性要求的条件下适当的措施
和环境为这个设备。
最大额定值
项
符号
等级
功耗
P
D
150
正向电流
I
F
100
脉冲正向电流
I
FP
1.0
*1
反向电压
V
R
4.0
工作温度。
TOPR 。
-25~ +85
*2
焊接温度。
TSOL 。
260.
*1
.Duty比= 1/100 ，脉冲宽度= 0.1毫秒。
*2
.Lead焊接温度（从案例5秒2毫米）。
光电特性
项
符号
正向电压
反向电流
电容
辐射强度
峰值发射波长
光谱带宽50 ％
半角
光的上升&下降时间（10％ 90％）
截止频率
*3
*3
(Ta=25°C)
单位
MW
MA
A
V
°C
°C
条件
I
F
=50mA
V
R
=4V
f=1MHz
I
F
=50mA
I
F
=50mA
I
F
=50mA
I
F
=50mA
I
F
=50mA
I
F
= 50毫安DC
+ 10毫安P-P
分钟。
典型值。
1.5
20
50
850
45
±22
25/13
14
(Ta=25°C)
马克斯。
单位
2.0
10
V
A
pF
毫瓦/ SR
nm
nm
度。
ns
兆赫
V
F
I
R
Ct
Ie
λp
λ
θ
TR / TF
fc
。 10logPo （ FC兆赫） /蒲（ 0.1兆赫） = - 3
7
高速的GaAlAs红外发射器
OPE5685
该
OPE5685
是的GaAlAs红外发光二极管
其被设计用于高功率，低正向电压
和高速上升/下降时间。
该器件的速度和效率优化
在发射波长为850nm ，并具有高的辐射
效率在宽范围的正向电流。
该器件采用T1-3 / 4塑料包装
并与带透镜封装宽光束角
和杯架。特别是该装置是适合
作为数据传输的发射极不带电缆。
特点
高速： 25ns的上升时间
850纳米波长
宽光束角
低正向电压
高功率和高可靠性
可用于脉冲操作
应用
红外线发射器
红外音频和电话
高速红外通信
IR局域网
可用于无线数字数据传输
外形尺寸（单位：毫米）
5.0
1.3最大
5.7
8.7
24.0敏
7.7
2-
0.5
2.0
2.5
阳极
阴极
公差：
±0.2mm
存储
条件： 5℃ 35℃ ， R.H.60 ％
条款： 3个月内，从生产日期
备注：一旦包装被打开，产品必须在一天之内使用。
否则，应当保持在一个防潮盒干燥剂。
*请大家以确保可靠性和安全性要求的条件下适当的措施
和环境为这个设备。
最大额定值
项
符号
等级
功耗
P
D
150
正向电流
I
F
100
脉冲正向电流
I
FP
1.0
*1
反向电压
V
R
4.0
工作温度。
TOPR 。
-25~ +85
*2
焊接温度。
TSOL 。
260.
*1
.Duty比= 1/100 ，脉冲宽度= 0.1毫秒。
*2
.Lead焊接温度（从案例5秒2毫米）。
光电特性
项
符号
正向电压
反向电流
电容
辐射强度
峰值发射波长
光谱带宽50 ％
半角
光的上升&下降时间（10％ 90％）
截止频率
*3
*3
(Ta=25°C)
单位
MW
MA
A
V
°C
°C
条件
I
F
=50mA
V
R
=4V
f=1MHz
I
F
=50mA
I
F
=50mA
I
F
=50mA
I
F
=50mA
I
F
=50mA
I
F
= 50毫安DC
+ 10毫安P-P
分钟。
典型值。
1.5
20
50
850
45
±22
25/13
14
(Ta=25°C)
马克斯。
单位
2.0
10
V
A
pF
毫瓦/ SR
nm
nm
度。
ns
兆赫
V
F
I
R
Ct
Ie
λp
λ
θ
TR / TF
fc
。 10logPo （ FC兆赫） /蒲（ 0.1兆赫） = - 3
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